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Memoria y Entrada/Salida Tecnología – Organización - Expansión

Universidad Simón Bolívar Departamento de Electrónica y Circuitos EC2721 – Arquitectura del Computador I Prof. Osberth De Castro. Clase. 05. Memoria y Entrada/Salida Tecnología – Organización - Expansión. La memoria como componente del Computador Tecnología de Almacenamiento

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Memoria y Entrada/Salida Tecnología – Organización - Expansión

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  1. Universidad Simón Bolívar Departamento de Electrónica y Circuitos EC2721 – Arquitectura del Computador I Prof. Osberth De Castro Clase 05 Memoria y Entrada/Salida Tecnología – Organización - Expansión La memoria como componente del Computador Tecnología de Almacenamiento Organización interna y Externa. Conexionado y Expansión Temporización. Entrada/Salida como componente del Computador Organización y estructura básica E/S Mapeada en Memoria y Aislada Dispositivos programables de E/S Entrada / Salida Programada, por interrupción y DMA. Basado en A. Tanenbaum, S.C.O., 5th Edition, William Stallings, C.O.A., 7ª Ed. y Barry B. Brey, Microprocesadores Intel, 5ta Ed.

  2. Carácterísticas de la Memoria en un Computador • Lo que se quiere: • Gran Velocidad de Acceso • Gran Capacidad • Flexibilidad de Expansión • Limitaciones: • Costo por bit • Complejidad en la organización para el acceso • Compatibilidad. Universidad Simón Bolívar

  3. Vision general de la memoria de Acceso Aleatorio Procesador Memoria Dirección Datos Control Universidad Simón Bolívar

  4. Memoria como dispositivo de capacidad 2n x p bits Dirección A0 D0 Datos A2 D2 . . . . . . . . . Dp-1 Dp An-1 An Lineas de Control CS OE WE Habilitación del chip Habilitación salida de datos Orden de Escritura Universidad Simón Bolívar

  5. Memoria de Acceso Aleatorio de 2n x p CONTROL bitp bitp-1 bit1 bit0 A0 a An Decodificacion de Localidad Localidad0 Celda Celda Celda Celda . . . Celda Celda Celda Celda Localidad1 . . . DIRECCION . . . . . . . . . . . . . . . . . . Celda Celda Celda Celda Dp a D0 . . . Localidad2n-1 Celda Celda Celda Celda . . . Localidad2n DATOS Universidad Simón Bolívar

  6. Tecnologías de Memoria Universidad Simón Bolívar

  7. RAM DINAMICA RAM ESTATICA Organización de la Memoria. El bit Universidad Simón Bolívar

  8. RAM DINAMICA Almacena como carga de capacitor Los capacitores se descargan. Necesita refrescamiento. Construcción simple. Celdas mas pequeñas. Mas barata. Mas lenta. Uso en arreglos grandes y lentos (Memoria Principal). Es básicamente analógica RAM ESTATICA Almacena como valor digital en flip-flops. No sufre descargas. No necesita refrescamiento. Construcción Compleja. Celdas mas grandes. Mas Costosa. Mas Rápida. Uso en arreglos mas pequeños y rápidos (Memoria Caché). Circuito Digital. Organización de la Memoria. El bit Universidad Simón Bolívar

  9. RAM Estática 6116: 16 Kbits (2Kbytes x 8 bits) Universidad Simón Bolívar

  10. Temporización de Lectura (ejemplo con RAM 6116) Ciclo general Ciclo general Ciclo simple si CS está habilitado permanentemente Ciclo simple si la dirección ya se ha establacido previamente. Universidad Simón Bolívar

  11. Temporización de Escritura (ejemplo con RAM 6116) Ciclo general con WE definiendo el momento de la escritura. Ciclo general con CS definiendo el momento de la escritura. Universidad Simón Bolívar

  12. Memoria del MC68HC908GP32 CPU • Memoria RAM • Datos y Variables de ejecución Direcciones Datos y Control • Memoria FLASH • Programa • Configuración • Datos semipermanentes Universidad Simón Bolívar

  13. Arreglos y expansión de Memoria • Sistemas de memoria usando múltiples chips de Memoria para aumentar su capacidad. • Expansión del número de datos disponible • Se dispone de mas capacidad de memoria para datos o programa. • Varios integrados almacenan espacios de direcciones diferentes. • Se debe decodificar el espacio de direcciones para habilitar/dehabilitar integrados cada vez que se hace un acceso. • Expansión del ancho de los datos • Se pueden leer o escribir palabras mas grandes ( multiples bytes ) en un solo ciclo de acceso. • Un dato está formado por varias localidades de distintos integrados, que comparten la misma dirección interna. Universidad Simón Bolívar

  14. Arreglos y expansión de Memoria Espansión en Direcciones Espansión en Ancho de Dato b7 b0 b31 b24 b23 b16 b15 b8 b7 b0 0000 Integrado(3) Integrado(2) Integrado(1) Integrado(0) 0000 Integrado(0) 0011 0011 0100 Integrado(1) 0111 1000 Integrado(2) 1011 1100 Integrado(3) 1111 Universidad Simón Bolívar

  15. Expansión en Direcciones a 4k x 8 con Memorias 6116 de 2k x 8 D0 – D7 A0 – A12 A0 – A10 A0 D0 ... ... ... ... A11 – A12 D7 A10 A Y0 WE B Y1 OE 6116(0) Y2 CS G Y3 CONTROL A0 D0 74LS139 ... ... ... ... WR OE D7 A10 . . . A CS de 6116(3) WE • La capacidad total direccionable es de 4K x 8. Direcciones de 0x000 a 0x1FFF, donde: • 6116(0) almacenará las direcciones de 0x0000 a 0x07FF. • 6116(1) almacenará las direcciones de 0x0800 a 0x0FFF. • 6116(2) almacenará las direcciones de 0x1000 a 0x17FF. • 6116(3) almacenará las direcciones de 0x1800 a 0x1FFF. OE 6116(1) CS A0 D0 ... ... ... ... D7 A10 WE OE 6116(2) Universidad Simón Bolívar CS ...

  16. Expansion en Ancho de dato a 2k x 32 con 6116 de 2k x 8 D0 – D31 A0 – A10 A0 – A10 A0 – A10 A0 – A10 D24 – D31 A0 D0 A0 D0 A0 D16 – D23 A0 D0 D0 D8 – D15 A0 – A10 D0 – D7 ... ... ... ... ... ... ... ... D7 D7 A10 D7 D7 A10 A10 A10 WE WE WE WE OE 6116(3) OE 6116(2) OE 6116(0) OE 6116(1) CS CS CS CS WR OE CS Universidad Simón Bolívar

  17. Ejemplo de Conexionado INTEL Universidad Simón Bolívar

  18. Memorias y arreglos complejos • Para arreglos grandes de Memoria Principal se usa RAM Dinámica (DRAM). Tipos: • EDO – RAM: Usa Latches para guardar información cercana a la lectura actual (típicamente 256 bits), eliminando esperas en accesos secuenciales. • SDRAM: DRAM síncrona. Trabaja con una señal de reloj permitiendo transferencias de bloques de datos, típicamente de 32 bytes. • Cada lectura de DRAM equivale a 3 ciclos de reloj (típico). • 32 lecturas secuenciales en DRAM tardan 32 x 3 = 46 ciclos. • 32 lecturas secuenciales en SDRAM tardan 3 + (1 x 32 ) = 36 ciclos. • DDR-SDRAM: DRAM síncrona de tasa Dual de Datos (Dual Data rate): igual que la SDRAM, pero permite accesos en ambos flancos del reloj (subida y bajada). Universidad Simón Bolívar

  19. Memorias Complejas: DDR-SDRAM Micron MT46V de 512 Mbits Universidad Simón Bolívar

  20. Memorias Complejas: DDR-SDRAM Micron MT46V de 512 Mbits Universidad Simón Bolívar

  21. Arreglos : DIMM MT18VDDF12872 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 La versión de 1Gbyte consiste en 18 Integrados MT46V, c/u de 128M x 4, mas circuitos de soporte de Reloj, Registros y otros. 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 128M x 4 Universidad Simón Bolívar

  22. Entrada y Salida • La Entrada y Salida es necesaria para la interacción con el exterior: • Procesador ↔ Usuario Humano (Teclados, visualizadores, actuadores, etc.) • Procesador ↔ Otros equipos (Otros Computadores, Impresoras, Almacenamiento externo, etc.). Computador Procesador Dirección Memoria Datos Control • Dispositivo • o equipo externo • Monitor • Teclado • Impresora • Otro Computador • Actuador Industrial • Sensores Mecanismo de acceso interno Dispositivos de Entrada / Salida (periférico) Interconexión a dispositivo externo Universidad Simón Bolívar

  23. Entrada / Salida Mapeada en Memoria 0000 Memoria RAM • Comparte el Espacio de direcciones de la memoria. • No hay instrucciones especiales para acceder a la Entrada / Salida, ni lineas. • Una instrucción de E/S podría ser: • mov 0x005 →0x101 ; Salida • mov 0x102→0x005 ; Entrada • Se minimiza la circuitería extra para la señalización de Entrada / Salida. • Ejemplo: MC68HC908GP32 0011 0100 Entrada / Salida 0111 1000 Memoria RAM 1111 Universidad Simón Bolívar

  24. Entrada / Salida Aislada 0000 Memoria RAM Entrada / Salida 000 • Espacio de direcciones especial. • Instrucciones especiales. • Una instrucción de E/S podría ser: • OUT 0x005 →0x005 ; Salida • IN 0x006→0x006 ; Entrada • Se deben usar señales especiales de control (no las de memoria) activadas por las instrucciones. • Ejemplo: Procesadores INTEL X86 111 1111 Universidad Simón Bolívar

  25. Entrada / Salida mapeada: Implementación Básica. D0 a D7 Procesador que direcciona 32 bytes (25) 74LS244 1Y1 1A1 A0 D0 A0 1Y2 1A2 A1 D1 A1 1Y3 1A3 A2 D2 A2 Memoria 16x8 1Y4 1A4 Buffer de 3 estados A3 D3 A3 2Y1 2A1 D4 A4 2Y2 2A2 D5 WE 2Y3 2A3 OE D6 2Y4 2A4 CS D7 2G 1G Puerto (0) A Y0 Puerto (1) 74LS374 B Y1 Puerto (2) D0 Q0 Y2 Puerto (3) D1 Q1 G Y3 D2 Q2 D3 Q3 74LS139 D4 Q4 Biestable D5 Q5 Direccionamiento: 00000 a 11111 Memoria RAM: 00000 a 01111 (16 bytes) Entrada/Salida: 10000 a 10011 (4 E/S) Indefinida en circuito: 10100 a 11111 El puerto(0) es entrada y tiene dirección 10000 El puerto(1) es salida y tiene dirección 10001 D6 Q6 D7 Q7 OC CLK GND Universidad Simón Bolívar

  26. IO / M Entrada / Salida Aislada: Implementación Básica. D0 a D7 Procesador que direcciona 16 bytes (25) 74LS244 1Y1 1A1 A0 D0 A0 1Y2 1A2 A1 D1 A1 1Y3 1A3 A2 D2 A2 Memoria 16x8 1Y4 1A4 Buffer de 3 estados A3 D3 A3 2Y1 2A1 D4 2Y2 2A2 D5 WE 2Y3 2A3 OE D6 2Y4 2A4 CS D7 2G 1G Puerto (0) A Y0 Puerto (1) 74LS374 B Y1 Puerto (2) D0 Q0 Y2 Puerto (3) D1 Q1 G Y3 D2 Q2 D3 Q3 74LS139 D4 Q4 Biestable D5 Q5 Direccionamiento: 0000 a 1111 Memoria RAM: 0000 a 1111 (16 bytes) Entrada/Salida: 0000 a 0011 (4 puertos) Indefinida en circuito: 0100 a 1111 El Puerto(0) es entrada y tiene dirección 0000 El Puerto(1) es salida y tiene dirección 0001 . . . D6 Q6 D7 Q7 OC CLK GND Universidad Simón Bolívar

  27. Entrada / Salida: Módulos Programables • Permiten flexibilizar la programación en el uso de E/S. • Circuitos menos discretos. • Un solo integrado puede cumplir multiples funciones programables. • Se construyen directamente adaptados al conexionado de buses del computador. • Ejemplos: • Interfaz de periféricos 82C55A. • Controlador de Interrupciones 82C59A. • Interfaz de teclado/pantalla 8279 • Temporizador programable 8254 • Módulos periféricos del MC68HC908GP32. Universidad Simón Bolívar

  28. Entrada/Salida: Dispositivos programables Conexionado Organización Interna general Universidad Simón Bolívar

  29. Dispositivos de E/S programables: 82C55A Universidad Simón Bolívar

  30. Entrada / Salida: programación • Entrada / Salida Programada • El programa en el procesador se encarga de todas las tareas de E/S. • El programa explícitamente transfiere los datos, configura los dispositivos, y les pregunta periódicamente por el estado y datos de los mismos. • Desvantajoso dado que el procesador es mucho mas veloz que los dispositivos de E/S, de modo que la espera por programa representa ineficiciencia. • Entrada / Salida por interrupción • El programa sólo configura el dispositivo de E/S y transfiere datos E/S a registros o Memoria, pero no pregunta por la operación del mismo, pues le será avisado por medio de una interrupción. • Los dispositivos de E/S generan interrupciones una vez que tienen datos listos para el programa ó han culminado una operación ordenada por el programa. • Entrada / Salida por Acceso Directo Memoria (DMA) • El programa sólo realiza configuraciones y da órdenes de E/S. No se encarga de la transferencia de datos E/S  Memoria. De esta transferencia se encargan dispositivos especiales llamados Controladores de DMA, como el 8237A de Intel. Universidad Simón Bolívar

  31. Entrada/Salida: programación E/S Programada E/S por interrupción E/S por DMA Universidad Simón Bolívar

  32. Entrada/Salida: programación Universidad Simón Bolívar

  33. Entrada/Salida por interrupciones Ejemplo de uso del 82C55A para E/S para el uso con un programa con E/S por interrupciones. Universidad Simón Bolívar

  34. Memoria Principal Memoria Principal Entrada/Salida por Interrupciones Universidad Simón Bolívar

  35. Entrada/Salida usando DMA Universidad Simón Bolívar

  36. Entrada/Salida usando DMA Universidad Simón Bolívar

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