1 / 9

Китай

Китай. 300 компаний делают светодиодные источники света, частично с серийным производством; часть из них сертифицирована для американского рынка. 100 компаний делают светодиоды 3 компании имеют эпитаксиальное оборудование и производят исходные структуры и чипы;

barb
Télécharger la présentation

Китай

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Китай 300 компаний делаютсветодиодные источники света, частично с серийным производством; часть из них сертифицирована для американского рынка. 100 компаний делают светодиоды 3 компании имеют эпитаксиальное оборудование и производят исходные структуры и чипы; в 1-й компании – 8 эпитаксиальных установок; есть компания от фирмы “SemiLEDs” (20 млн. СД в месяц) Шоссейная дорога со светодиодными осветителями (так сделано 600 км) Мост через реку Янцзы

  2. ЯПОНИЯ Международная Премия «Kyoto Prize» в области высоких технологий по разделу «Электроника» присуждена в 2009 г. профессору Исаму АКАСАКИ за пионерские работы по созданию p-n- переходов в нитриде галлия и за его вклад в разработку светодиодов синего свечения. • А.Э.Юнович, «Светотехника», 2010, №2, с. 65-66.

  3. Развитие работ по нитридным полупроводникам в мире, Конференции IWN-2008 и ICNS - 8 International Workshop on Nitride Semiconductors IWN-2008, October 6-10, 2008, Montreux, Switzerland.ww.ledinside.com/IWN2008_20080721 Более 500 участников и около 200 студентов; 17 приглашенных докладов и 6 докладов о последних достижениях в первые дни семинара; более 150 устных докладов на 7 секциях; около 300 стендовых докладов; 9 обзорных докладов по тематике секций. The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-8 (Южная Корея, остров Жежу, октябрь 2009 г.)icns8.org/index.php Организатором Конференции было «Society of LED and Solid State Light» Было представлено более 230 приглашенных, обзорных и устных докладов, около 500 стендовых докладов. Около 15 – российские авторы. Разделы: Подложки для нитридной эпитаксии; нитрид индия и твердые растворы с большим содержанием индия; нитрид алюминия и твердые растворы с большим содержанием алюминия; неполярные эпитаксиальные слои; наноструктуры; новые физические идеи и приборы; оптоэлектроника – физические явления и материалы; оптоэлектроника – технология и приборы; электронные приборы. От организатора следующего семинара профессора Ветцеля (C.Wetzel) получена просьба рекомендовать доклады, которые могут быть приглашены на этот семинар: «International Workshop on Nitride Semiconductors IWN-2010, September 6-10, 2010, Tampa, Florida, USA» . www.iwn2010.org

  4. Принципиально решенные задачи • Создано оборудование для массового производства структур, чипов, светодиодов. • Разработана технология роста гетеростуктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN на подложках из сапфира и SiC с внутренним квантовым выходом излучения до 80%. • Разработаны методы увеличения оптического вывода излучения из кристалла СД. • Разработаны эффективные люминофоры для создания «холодного», «нейтрального» и «теплого» белого свечения. • Рекордные значения световой отдачи (при токе 350 мА): 209 лм/Вт в лабораториях, 100-110 лм/Вт в лучших промышленных, 60-80 лм/Вт в массовых коммерческих партиях.

  5. Основные направления исследований и разработок светодиодов • Усовершенствование установок эпитаксиального роста • Новые подложки для эпитаксиального роста структур. • Совершенствование технологии роста гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN для большей однородности и большего выхода годных приборов. • Исследование механизмов тока и рекомбинации для уменьшения падения эффективности при больших плотностях тока. • Разработки эффективных люминофоров для улучшения световой отдачи и цветовых характеристик белых СД. • Разработка методов уменьшения теплового сопротивления и отвода тепла от СД. • Разработка эффективных источников питания, конструкций различных светодиодных ламп. • Исследование биофизических проблем восприятия светодиодного освещения человеческим зрением. • Выработка стандартов и норм светодиодного освещения. • Автоматизация производства светодиодов и светодиодных ламп.

  6. Улучшить понимание процесса роста структур. Совершенствовать методы контроля роста «in-situ». Улучшать качество и совершенство сапфира и SiC подложек., исследовать новые GaN и Si подложки. Однородность и воспроизводимость структур. Новые установки для эпитаксиального роста. Объем и автоматизация производства. Уменьшение времени ростового цикла.(Доклады А.Гурария и Ф.Шульте) Обеспечить 2-кратное уменьшение стоимости для оборудования каждые 5 лет. Стандартизация параметров на разных этапах. Быстрые методы контроля. Технология люминофоров и их нанесения. Постоянество цветоваых параметров. Исследования и разработки, необходимые для совершенствования светодиодной технологии с целью с целью значительного удешевления стоимости(Solid-State Lighting Research and Development: Manufacturing Roadmap, Sept. 2009) http://www.solidstatelightingdesign.com/ - Конференция на Тайване, январь 2010 г.

  7. Подложки для эпитаксиального роста структур – сапфир, SiC, Si. Перспективы до 2016 г. Подложки из GaN и AlN, выращенные хлор-гидридным или аммоно-термальным методом должны обеспечить меньшую плотность дефектов и дислокаций, большую эффективность и долговечность; возможность кристаллографи-ческой ориентации плоскости роста. 4-6 inch C-plane Non-polar $10000@wafer price Bulk (LPE, ammonothermal, modified HVPE, sublimation, size new technique) HVPE size 2 inch C-plane $100-$1000@wafer (wafer to wafer process) International Workshop on Nitride Semiconductors, Montreux, Suisse, Oct. 2008

  8. Доклады (часть) на Семинаре DOE SSL R&D Manufacturing Workshop,April 21, 2010 • Фирма GE Lumination LLC разрабатывает конструкцию СД с удаленным от кристалла люминофором для улучшения цветовых характеристик белых СД (Vio) despande_warmwhite__silicon_sanhose2010.pdf • Фирма Filips разрабатывает технологию изготовления СД c применением эпитаксии на подложках из Si диаметром 150 мм; дешевле, по сравнению с подложками из Al2O3на 60% craven_silicon_sanhose2010.pdfи простые методы оценки надежности и долговечности белых СД hodapp_simplicity_sanhose2010.pdf • Фирма Osram разрабатываетметодику улучшения модульных конструкций СД светильников, в которой заменяется последовательно только наиболее быстро изменяющийся элемент, без изменения остальных частей levy_design_sanhose2010.pdf • Фирма Applied Materials, Inc усовершенствует установки для эпитаксиального роста так, чтобы уменьшить разброс параметров СД по пластине, между пластинами и от цикла к циклу patibandla_nitride_sanhose2010.pdf • Фирма Ultratech разрабатывает автоматизированные методы литографии в технологии «чипов» для СД hawryluk_litography_sanhose2010.pdf……………

  9. Экономические цели • Американская программа предполагает увеличить световую отдачу (с 2009 до 2020 г.) от 113 до 243 лм/Вт для холодных и от 70 до 234 лм/Вт для теплых белых светодиодов. • Стоимость электроэнергии предполагается уменьшать от 25 до 1 $/клм для холодных и от 36 до 1.1 $/клм для теплых белых СД. • Предсказывается, что световой поток от одного СД будет увеличиваться в 20 раз за 10 лет и достигнет 10000 лм к 2020 г. • Стоимость 1 клм - уменьшится в 10 раз за 10 лет и может достигнуть 1-0.1 $/клм в 2020 г.

More Related