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1. Modelos equivalentes de pequea seal de los transistores Ing. Hugo Fdo. Velasco Pea
2. Introduccin El circuito equivalente de pequea seal de un transistor FET se puede obtener por mtodos anlogos a los utilizados en transistores bipolares.
Sin embargo, al ser dispositivos controlados por tensin, el modelo bipuerta ms adecuado es el de parmetros {Y}, ya que relacionan las corrientes de salida con tensiones de entrada.
3. Introduccin La figura 2.17 representa el modelo de pequea seal de un FET constituido por dos parmetros: gm, o factor de admitancia, y rd, o resistencia de salida o resistencia de drenador. Esta notacin es la ms extendida para describir estos parmetros, aunque algunos fabricantes utilizan la notacin en parmetros {Y} o {G}, denominando yfs o gfs a gm, e yos-1 o gos-1 o ross a rd.
4. Introduccin Estos parmetros dependen de la corriente de polarizacin del transistor (ID), y el fabricante proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes condiciones de polarizacin. A continuacin se describe con ms detalle los paretros gm y rd.
6. FACTOR DE ADMITANCIA gm Se define este parmetro como
7. gm en JFET En un JFET, gm se puede extraer a partir de la ecuacin analtica del transistor en la regin de saturacin que relaciona la ID con la VGS, definida por
8. gm en JFET gm es un parmetro definido por cociente de incrementos que se pueden aproximar por derivadas, de forma que aplicando esta definicin a la ecuacin de ID y resolviendo se obtiene que
9. gm en MOSFET En un transistor MOS, cuya ecuacin analtica en la regin de saturacin es
gm se puede expresar mediante la siguiente ecuacin
10. RESISTENCIA DE SALIDA O DE DRENADOR rd.
11. FACTOR DE AMPLIFICACIN Relaciona los parmetros gm y rd de la siguiente manera
14. AMPLIFICADORES MULTIETAPA