1 / 7

U +

U +. R L. R. hf. +. -. w. Ohmick ý kontakt s ploc hou A. d. L. F OTOREZISTOR (FOTOODPOR). Kvantový výťažok - účinnosť. N ed počet e-h párov. Zmena vodivosti vytvorená nadbytočnými nosičmi pri generácii. F OTOREZISTOR (FOTOODPOR). Po priložení napätia. bude zmena prúdu :.

fergal
Télécharger la présentation

U +

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. U + RL R hf + - w Ohmický kontakt s plochou A d L FOTOREZISTOR (FOTOODPOR) Kvantový výťažok - účinnosť Ned počet e-h párov Zmena vodivosti vytvorená nadbytočnými nosičmi pri generácii

  2. FOTOREZISTOR (FOTOODPOR) Po priložení napätia bude zmena prúdu : Iph Zosilnenie: Prúdová citlivosť

  3. FOTOREZISTOR (FOTOODPOR)

  4. G(x) Po x p-n Po - - - - - + - - + + + P N A wp wn I E Wp, Wn difúzne zóny Ws=dOPN - - EF + + + + + + + + + + + FOTODIÓDYS p-n PRIECHODOM Absorpcia –generácia e-h párov

  5. FOTODIÓDYS p-n PRIECHODOM Externá kvantová účinnosť Zvýšenie účinnosti R O wp<< 1 ws >> 1

  6. Režim zapojenia fotodiódy Io -Uo Uoc IV RL RL Imax RL RL + Režim fotodiódy Režim fotogenerátora FOTODIÓDYS p-n PRIECHODOM - I (Uph) U=0-I =Iph I -I =Io+ Iph U < 0 -Uph -Io III U Po

  7. FOTODIÓDYS p-n PRIECHODOM RI [A/W] Prúdová citlivosť e= 1 1 InGaAs Ge 0,4 Si 0,5 1 1,5  [m] Dynamické vlastnosti fotodiód Transport nosičov difúziou do OPN Transport cez OPN driftová rýchlosť vs Daná kapacitou diódya zaťažovacím odporom

More Related