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电子技术. 模拟电路部分. 第十章 晶闸管及其应用. 10.1 晶闸管工作原理 10.2 晶闸管特性与参数 10.3 可控整流电路 10.4 触发电路 10.5 单结管触发的可控整流电路 10.6 晶闸管的其它应用 10.7 晶闸管的保护及其它类型. 晶闸管 ( Thyristor ). 别名: 可控硅( SCR) ( S ilicon C ontrolled R ectifier ) 是 一种 大功率半导体器件,出现于 70 年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。.

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Presentation Transcript


  1. 电子技术 模拟电路部分 第十章 晶闸管及其应用

  2. 10.1 晶闸管工作原理 10.2 晶闸管特性与参数 10.3 可控整流电路 10.4 触发电路 10.5 单结管触发的可控整流电路 10.6 晶闸管的其它应用 10.7 晶闸管的保护及其它类型

  3. 晶闸管(Thyristor) 别名:可控硅(SCR)(Silicon Controlled Rectifier)是一种大功率半导体器件,出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。 应用领域: • 整流(交流  直流) • 逆变(直流  交流) • 斩波(直流  直流) • 变频(交流  交流) 此外还可作无触点开关等。

  4. A(阳极) 三 个 P1 四 层 半 导 体 PN N1 结 P2 G(控制极) N2 K(阴极) 10.1 工作原理 1. 结构 PNPN四层半导体结构

  5. A A A 阳极 P P1 N N G G 控制极 N1 G P P K P2 N 阴极 N2 K K 2. 工作原理 符号

  6. A P A RL ßßig N N T2 UAK G P P G ß ig T1 ig UGK N K K 等效为由二个三极管组成 T1、T2都导通后,即使去掉UGK, T1、T2仍然导通

  7. A RL T2 A UAK ßßig G T1 G UGK ß K K ig ig 可控硅导通的条件: (1)阳极A加正电压 (2)控制极G加正的触发电压 可控硅截止的条件: (1)阳极A加反向电压,或不加触发信号(即UGK= 0 )。 (2)可控硅正向导通后,若令其关断,必须减小UAK(或使UAK反向),使可控硅中电流小于某一最小电流IH( IH称为维持电流)

  8. 晶闸管的工作原理小结 (1)晶闸管具有单向导电性。 正向导通条件:A、K间加正向电压,G、K间加正的触发信号。 (2)晶闸管一旦导通,控制极便失去作用。 若使其关断,必须降低 UAK 或加大回路电阻,把阳极电流减小到维持电流以下。

  9. I 截止 导通 IF 反向击穿电压 URSM IH U UDSM 正向转折电压 I -- 阳极电流 U -- 阳极、阴极间的电压 10.2 特性与参数 1. 特性 导通后管压降约1V 额定正向平均电流 有IG时 IG=0时 维持电流 反向 正向

  10. 正向特性: 控制极开路时,随UAK的加大,阳极电流逐渐增加。当U = UDSM(正向转折电压)时,晶闸管自动导通。正常工作时,UAK应小于 UDSM。 反向特性:随反向电压的增加,反向漏电流稍有增加,当 U = URSM(反向击穿电压)时,反向击穿。正常工作时,反向电压必须小于URSM。

  11. I IF URSM IH 额定正向平均电流 反向击穿电压 U UDSM 正向转折电压 UDRM 2. 主要参数 (1) UDRM:正向阻断电压 晶闸管耐压值。一般取 UDRM= 80% UDSM(正向转折电压)。 普通晶闸管UDRM为 100V---3000V

  12. I IF URSM IH 额定正向平均电流 反向击穿电压 U UDSM 正向转折电压 UDRM URRM (2) URRM:反向峰值电压 控制极断路时,可以重复作用在晶闸管上的反向重复电压。一般取URRM = 80% URSM(反向击穿电压)。普通晶闸管URRM为100V--3000V)

  13. I IF URSM IH 额定正向平均电流 反向击穿电压 U UDSM 正向转折电压 UDRM URRM (3) IF:额定正向平均电流: 通用系列为: 1、5、10、 20、30、50、100、200、300、400 500、600、800、1000A 等14种规格。

  14. uG G A K uT u1 uL u2 RL 10.3 可控整流电路 1. 单相半波可控整流电路 (1) 电路及工作原理

  15. uG G A K u2 uT u1 uL u2 RL t uG t uL t uT t    :控制角  :导通角 (2) 工作波形(设u1为正弦波) u2 > 0 时,加上触发电压 uG,晶闸管导通 。且 uL的大小随 uG加入的早晚而变化;u2 < 0 时,晶闸管不通,uL = 0 。故称可控整流。

  16. p 1 ò = w U u d t L L p 2 a p 1 ò = w w 2 U sin td t 2 p 2 a uL U = L I  t  2  L R L (3) 输出电压及电流的平均值

  17. UDRM= uT 2 U 2 t 承受的最高反向电压:

  18. G uL K A uT R – u1 u2 L D + 电感性负载(如直流电动机的激磁线圈) 电路及工作原理 u2正半周时晶闸管导通,u2过零后,电感产生反电动势。 由于电感反电动势的存在,晶闸管在一定时间内仍维持导通,失去单向导电作用。 解决办法:加续流二极管D,加入D的目的就是消除反电动势的影响,使晶闸管在u2过零时关断

  19. uG A uL + T2 T1 u2 RL - D1 D2 B T1、T2 --晶闸管 D1、D2 --二极管 2. 单相全波可控整流电路 一、电阻性负载桥式可控整流电路 (1) 电路及工作原理 • u2 > 0的导通路径: u2(A) T1 RL u2(B) D2 T1、D2导通, T2、D1截止

  20. uG A uL - T2 T1 u2 RL + D1 D2 B T1、T2 --晶闸管 D1、D2 --晶体管 • u2 < 0的导通路径: u2 (B) T2 RL u2 (A) D1 T2、D1导通, T1、D2截止

  21. u2 t uG A t uL + T2 T1 uL  u2  RL - t D1 D2 B uT1 t (2) 工作波形

  22. uL  t  2  p 1 ò = w U u d ( t ) L L p a p 1 ò = w w 2 U sin td ( t ) 2 p a U = L I L R L (3) 输出电压及电流的平均值

  23. A uL + T2 T1 u2 RL UL - D1 D2 B 2 U UDRM= 2 U = L I 承受的最高反向电压: L R =311V L 例:桥式可控整流电路中,U2=220V,RL=3,可控硅控制角=15~180,求输出电压平均值Uo的调节范围,以及可控硅(包括二极管)的电流平均值的最大值和承受的最大反向电压。 =191V, =15 =0V, =180 =191/3=64A

  24. R T2 T1 uL D L u2 D1 D2 二、电感性负载桥式可控整流电路 该电路加续流二极管后电路工作情况以及负载上的电流、电压和电阻性负载类似。

  25. 电路一: T D2 D1 uL RL u2 D3 D4 两种常用可控整流电路的特点 1. 该电路只用一只晶闸管,且其上无反向电压。 电路 特点 2. 晶闸管和负载上的电流相同。

  26. 电路二: T1 D1 R uL u2 L T2 D2 1. 该电路接入电感性负载时,D1、D2便起续流二极管作用。 电路 特点 2. 由于T1的阳极和T2的阴极相连,两管控制极必须加独立的触发信号。

  27. 结构 等效电路 B2 B2 (第二基极) (发射极) RB2 N E E P RB1 B1 B1 (第一基极) 管内基极 体电阻 PN结 10.4 触发电路 1. 单结晶体管工作原理

  28. B2 RB2 E uE UBB A iE RB1 B1  UP -- 峰点电压 UF -- PN结正向 导通压降 工作原理: 当uE < UP = UA+UF时 PN结反偏,iE很小; 当 uEUP 时 PN结正向导通, iE迅速增加。  -- 分压比 (0.35 ~ 0.75)

  29. iE uE B2 RB2 E UBB A IV iE RB1 uE B1 UP UV UP--峰点电压 UV、IV --谷点电压、电流 (单结管由截止变导通 所需发射极电压。) (维持单结管导通的最小 电压、电流。) 2. 单结晶体管的特性和参数 uE<UV 时单结管截止 uE>UP 时单结管导通

  30. 单结晶体管符号 B2 N E P B1 单结晶体管符号

  31. uC uP R2 R uv t B2 E U B1 uo C uO uC R1 t 3. 单结晶体管振荡电路 (1) 电路组成 振荡波形

  32. R2 R B2 E U B1 C IR1 uO uC R1 (2)振荡过程分析 (a) uE = uC <UP时,单结管不导通,uo 0。 此时R1上的电流很小,其值为: R1、R2是外加的,不同于内 部的RB1、RB2。前者一般取 几十欧~几百欧; RB1+RB2 一般为2~15千欧。

  33. uC UP R2 R UV t E U uo t C uO uC R1 (b) 随电容的 充电,uC逐渐升高。当uC UP时,单结管导通。然后电容放电,R1上便得到一个脉冲电压。 UP、UV--峰点、谷点电压 R2起温度补偿作用 (c) 电容放电至 uc uv时, 单结管重新关断,使uo0。

  34. a c R R2 RP d e DZ u2 R1 C uc b u1 uL RL T2 T1 u3 D1 D2 10.5 单结管触发的可控整流电路 一、电路 触发电路 主电路

  35. u2 a c R uab 整 流 UZ DZ u2 UZ ucb 削 波 b UZ 二、波形关系 整流稳压电路部分

  36. ucb 削 波 UZ c R2 udb RP 电容充、放电 UZ d UP e DZ UV C uc R1 b ueb 触 发 脉 冲 UP-UD     单结晶体管电路部分

  37. u3 ueb e b ueb 触发脉冲 RL T2 T1 u3     uL 输出电压 D1 uL D2 可控硅桥式整流电路部分

  38. a c R R2 RP d e DZ u2 R1 C uc b u1 uL RL T2 T1 u3 D1 D2 问题讨论 1. 单结管触发的可控整流电路中,主电路和触发电路为什么接在同一个变压器上?

  39. a c R R2 RP d e DZ u2 R1 C uc b u1 uL RL T2 T1 u3 D1 D2 2. 触发电路中,整流后为什么加稳压管?

  40. ueb 触发脉冲   2  3. 一系列触发脉冲中,为什么只有第一个起作用?其移相范围(即控制角 的变化范围)有多大?

  41. a c R R2 RP d e DZ u2 R1 C uc b u1 uL RL T2 T1 u3 D1 D2 4. 输出电压如何调节,其大小如何计算?

  42. u2 udb uab 整 流 ueb ucb  削 波   u3 UZ uL 1. 单结管触发的可控整流电路中,主电路和触发电路为什么接在同一个变压器上? 保证主电路和触发电路的电源电压同时过零(即两者同步),使电容在每半个周期均从零开始充电,从而保证每半个周期的第一个触发脉冲出现的时刻相同(即 角一样),以使输出平均电压不变。

  43. c R2 udb RP ueb UZ d UP e DZ UV C uc R1 b     2. 触发电路中,整流后为什么加稳压管? 稳压管的作用是:将整流后的电压变成梯形(即削波),使单结管两端电压稳定在稳压管的稳压值上,从而保证单结管产生的脉冲幅度和每半个周期产生第一脉冲的时间,不受交流电源电压变化的影响。

  44. 3. 一系列触发脉冲中,为什么只有第一个起作用?其移相范围(即控制角 的变化范围)有多大? 根据单结管的特性,它一旦触发导通,在阳极电压足够大的条件下,即使去掉触发信号,仍能维持导通状态。因此,每半个周期中只有一个触发脉冲起作用。

  45. ude t  a c R R2 RP d e DZ u2 R1 C uc b 触发脉冲移相范围的计算 f—电源电压的频率

  46. uL UL 4. 输出电压如何调节,其大小如何计算? 电压的调节 电容充电速度变慢 RP  电压的计算

  47. UCC J 1 2 12 T3 D1 3 11 开锁 继电器 4 10 T2 9 5 T1 D2 8 6 7 R 按钮 S 10.6 晶闸管的其他应用 拨盘式密码锁控制电路 拨盘

  48. 工作原理 UCC J 1. 开锁时晶闸管工作情况 根据晶闸管的特性分析可知,开锁时三个晶闸管的工作顺序应该是:T1–T2–T3。否则T3或T2将因阳极和阴极间加不上电压而不导通,继电器线圈不通电,锁打不开。 T3 D1 T2 D2 T1 T1导通时的路径 T1导通时的路径如图中 虚线,此时发光管D2导 通,给出指示信号。

  49. UCC J 1 2 12 T3 D1 3 11 4 10 T2 9 5 T1 D2 8 6 7 R 锁 打 开 S 2. 开锁过程 根据开锁时三只晶闸管导通顺序的要求以及 图中连线,可知开锁过程如下: 拨盘拨至7 按下S T1导通 按下S T2导通 拨盘拨至10 按下S 拨盘拨至2 T3导通

  50. 结论  此密码锁的开锁密码是: 7--10--2  改换密码号的办法:变更拨盘和晶闸管控制极的连线。

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