1 / 13

Bi polární tranzistor

E … emitorový. B … kontakt. kontakt. báze. SiO. 2. n-Si …. emitor. p-Si … báze. n-Si … kolektor. +. n. -Si. kolektorový. kontakt … C. řez strukturou pro. jednorozměrný model. Bi polární tranzistor. Struktura bipolárního tranzistoru opakov ání z přednášek.

laszlo
Télécharger la présentation

Bi polární tranzistor

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. E … emitorový B … kontakt kontakt báze SiO 2 n-Si … emitor p-Si … báze n-Si … kolektor + n -Si kolektorový kontakt … C řez strukturou pro jednorozměrný model Bipolární tranzistor Struktura bipolárního tranzistoruopakování z přednášek Zjednodušený jednorozměrný model C E n p n emitor báze kolektor B Verze ze dne 26.03.2003

  2. ++ U BC U BC I C I I B C I + U B CE U CE I E I E U BE U U BE BE Normální aktivní režim náhradní model přechod CB - zavřen ++ U BC I C I + B => => U CE = I E přechod EB - otevřen

  3. I I B B U CE U U BE BE h21 = 100 IC UCE Normální aktivní režim, NPN, SE, ss pr. bod NPN přechod EB - otevřen přechod CB - zavřen 50 uA I C 5 mA U CE I E ++ U 10 V BE 10 V Příklad pracovního bodu: UBE = 0,6 V IB = 50 uA h21 = 100 UCE = 10 V IC = h21*IB = 5mA 50 uA 5 mA I C I B + = I 50 uA E 0,6 V Pro IB>0 a UCE > 0 Pro UCE > UCES 0,6 V

  4. REŽIMY ČINNOSTI TRANZISTORU opakování z přednášek režim saturace UBE > 0, UBC > 0 UBC = 0 hranice režimu saturace IC režim aktivní normální UBE > 0, UBC < 0 IB IB = 0 UCE režim závěrný UBE < 0, UBC < 0 UBE = 0 hranice závěrného režimu

  5. Charakteristiky bipolárního tranzistoru tranzistor NPN, zapojení SE(opakování z přednášek) proudová převodní výstupní IC [mA] UCE> 0,5 V IB [A] IB [A] UCE [V] IB UCE= 0 UCE> 5 V vstupní UBE [mV] zpětná

  6. + U N R C I C U I BC B U CE R U1 B U BE I E Tranzistor NPN v zapojení SE, nastaveni ss pracovního bodu ObvodTR1.

  7. + U N R C I C U I I BC B B U CE R U1 B U BE I U E BE C. grafické řešení UCE = UN - IC * RC UN/RC UBE = U1 - IB * RB U1/RB U1 UN IC UCE TR1. Tranzistor NPN v zapojení SE, NAR, ss pracovní bod A. pomocí rovnic1. UBE = 0,7 V IC = IB * h21 U1 = IB * RB + UBE UN = IC * RC + UCE B. logika V obvodu si postupně doplńujeme hodnoty R,U,I Základ - Ohmúv zákon I = U/R

  8. Příklady Příklad 1A. Dáno: UN = 15 V, U1 = 5,7 V, h21 = 200, UCE = 8 V, IC = 5 mA Určete: RB, RC Příklad 1B. Dáno: UN = 20 V, U1 =10,7 V, h21 = 100, RB = 1MO, RC = 1kO Určete: UCE, IC, IB Příklad 1C. Dáno: UN = 20 V, U1 =20 V, h21 = 500, RB = 1 MO, RC = 2,2 kO Určete: UCE, IC, IB Příklad 1D. Dáno: UN = 20 V, U1 =20 V, h21 = 500, RC = 2,2 kO Určete: RB, aby tranzistor pracoval v NAR

  9. Řešení Řešení 1A: RC = (UN - UCE) / IC = (15 – 8) / 5 kO = 1,4 kO IB = IC / h21 = 5/200 mA = 25 uA RB = (U1 – UBE) / IB = (5,7 – 0,7) / 0,025 kO = 200 kO Řešení 1B: IB = (U1 – UBE) / RB = (10,7 – 0,7) / 1 uA = 10 uA IC = IB * h21 = 10 * 100 uA = 1 mA UCE = UN – IC * RC = 20 – 1*1 V = 19 V Řešení 1C: IB = (U1 – UBE) / RB = (20 – 0,7) / 1 uA = 19,3 uA = 20 uA IC = IB * h21 = 0.02 * 500 uA = 10 mA UCE = UN – IC * RC = 20 – 10 * 2,2 = 20-22 V = -2 V POZOR !! UCE < UCES V ..... TRANZISTOR PRACUJE V SATURACI !!! zvolíme UCE = UCES = 0,2 V IC = (UN - UCES) / RC = (20 - 0,2) / 2,2 mA = 9 mA Řešení 1D: UBE <= UCE U1 – IB *RB <= UN – IB * h21 * RC RB >= (U1 – UN)/IB + h21 * RC RB >= h21 * RC RB >= 1,1 MO

  10. + U N R C I C U I BC B U CE R U1 B U BE I E Vyzkoušejte si v Excelu (TR1.XLS)

  11. I IZ R ID U1 U2 UD RZ Opakování Navrhněte stabilizátor se stabilizační diodou, kde U1ss = 15 V, u1str = +- 5V Rzmin = 0 , Rzmax = 1kO D: Uz = 10V, rd = 1O, Izmax = 50 mA Určete: Stabilizační činitel pro Rz = 500 O Výkonové zatížení všech součástek Verze ze dne 26.03.2003

  12. Nakreslete zapojení hradla OR pomocí diod. Vstupní napětí U1 a U2 je 0V a 5V, zatěžovací odpor je 1kO.Vypočtěte napětí a proudy pro všechny možné kombinace vstupních napětí.

  13. Obvod TR1 • Musíte dokonale porozumět tomuto obvodu • Výpočet jednoho příkladu je 2 minuty. • Pokud vám výpočet trvá déle, opakujte • Nejlépe si zapamatujete, při opakování • za 2 dny • za 7 dni • za měsíc • Pokud nejdete chybu, nebo Vám nebude něco jasné, pište trunky@trunky.cz

More Related