1 / 18

Superconductor corps.

Superconductor corps. Sou Machikawa Hiroki Iwasaki Shooter Yufune. 2003/11/22. 1.5 m m. 背　景. 微細ブリッジの電気特性. ● BridgeA 　　　　　　幅 0.9 m m ● BridgeB 　　　　　　幅 3.0 m m 長さ 1.0 m m ●20 m m 幅ライン. ジョセフソン接合のような振る舞い. I [mA]. Bridge A. 温度、サイズに依存. この現象のさらなる測定が求められる. V [V]. Sato Lab.

loc
Télécharger la présentation

Superconductor corps.

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Superconductor corps. Sou Machikawa Hiroki Iwasaki Shooter Yufune 2003/11/22

  2. 1.5mm 背　景 • 微細ブリッジの電気特性 ●BridgeA　　　　　　幅0.9mm ●BridgeB　　　　　　幅3.0mm 長さ1.0mm ●20mm幅ライン ジョセフソン接合のような振る舞い I [mA] Bridge A 温度、サイズに依存 この現象のさらなる測定が求められる V [V]

  3. Sato Lab. Device作りの一連の流れ FIBによる加工・SrTiO3基板上にブリッジ構造を作製するためにFIBを用いる・Bi保護膜を蒸着することによって精度良く掘れる MBEで成膜・基板加熱時に先程蒸着したBiは飛ぶ・加工した基板上にBi2Sr2CaCu2O8+dを蒸着する 評価・電気測定・SEM, EDX, XRDにて評価・Photolithography & Etchingで測定しやすい形状に整える・Au膜、In電極を付け､I-V, R-T測定・電気測定系のWindows化、機器の自動化・Josephson接合確認のためのマイクロ波特性(シャピロステップ)

  4. Sato Lab. FIBによる基板加工 Bi保護膜蒸着 FIBでエッチング 加熱によりBiを飛ばす 加熱によりBiを飛ばす BSCCOをdepo. FIB加工条件・Depth:~500[nm]・Bi保護膜を蒸着することによって精度良く掘れる・ブリッジ構造(~1[mm])を加工する Film Thickness150[nm] Bi(200~250[nm]) SrTiO3(001)

  5. 1mm程度 2.0mm Sato Lab. Bridges ブリッジの全体図 成膜後 保護膜アリ 保護膜なし

  6. RHEEDScreen heater Sub. E-Beam Load Lock Beam Monitor NO2-gas TMP DP K-cell Bi Sr Ca Cu RP TSP NO2-gas Sato Lab. MBEによる超伝導薄膜の成長 MBE Bi2Sr2CaCu2O8+dの成長 成膜条件基板：patterned SrTiO3(001)基板温度：720[℃]成長時間:3600[s]酸化剤:NO2-gas FIB加工した基板上に成長させる

  7. Sato Lab. XRD & EDX(評価) EDXによる組成比・Bi:1.97・Sr：　-・Ca:1.50・Cu:1.91

  8. Bridge No.1 5 Line 4 2 3 Sato Lab. Photolithography このサンプルをPhotolithographyして、電気測定しやすい形に整える・ラインパターンを各ブリッジ上に露光し、エッチングする｡

  9. 5・・? 4 Sato Lab. Etching 1 2 Bridge 3 4 Line 5 上図のように不要領域を削除・色の薄い部分が剥離されたところ。・20[mm]のLineと~1[mm]のBridgeの電気測定を行った｡ BSCCOの残っている部分

  10. Sato Lab. R-T & I-V特性 Line(20[mm]幅)部分のR-T特性 I-V特性(Bridge & Line)

  11. Sato Lab. 電気測定系の自動化 作製したサンプル 電圧計(182) source meter 3 nano-voltmeter 2 電流計(2400) Cryostat 12本 任意の4本を選ぶ GPIB 1 0 2本 Windows (DOS/V) 3本 Heater RS232C 温調器 Scanner 0~3の内の１つを選んで４端子測定を行う｡

  12. Sato Lab. 現状 ・スキャナの自動化 （配線の繋ぎ換えは必要） ・各パラメータ（温度､抵抗･･･)の表示 展望・ヒータ線を用いての温度上げを自動で・グラフの印刷etc… 完成間近？レイアウトも・・・

  13. Sato Lab. MOD法(有機金属分解法） ・昨年度から佐藤研は、MOD溶液を用いての成膜を行っている。 ・安価で大面積の薄膜作製が可能な有機金属分解法（MOD法)を用いて、Bi系超伝導薄膜の作製。 ・焼成温度、時間の条件出しはほぼ終了 ・今後の目標として、ブリッジなどデバイスの作製 ・最終目標として、超伝導フィルターの作製も念頭においている。

  14. Sato Lab. 温度870[℃]で２時間焼成

  15. Sato Lab. R-T電気特性 以前、780[℃]で酸素濃度100%で成膜した後(2時間)、10％で焼成したサンプル Tc=77[K]

  16. Sato Lab. Temp

More Related