1 / 11

Theorie der Dotierung von SiC: Fremdatome und intrinsische Defekte

Theorie der Dotierung von SiC: Fremdatome und intrinsische Defekte. Dotierung. Charakterisierung. Löslichkeit / Aktivierung. Diffusion. Defektsignaturen. Mikroskopische Modelle der Dotierzentren. Theorie. Donatoren: N und P Kodotierung mit N und P Akzeptor: B

madge
Télécharger la présentation

Theorie der Dotierung von SiC: Fremdatome und intrinsische Defekte

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Theorie der Dotierung von SiC: Fremdatome und intrinsische Defekte

  2. Dotierung Charakterisierung Löslichkeit / Aktivierung Diffusion Defektsignaturen Mikroskopische Modelleder Dotierzentren Theorie

  3. Donatoren: N und P Kodotierung mit N und P Akzeptor: B Komplexe mit intrinsischen Defekten Ziel I: Vollständige Theorie der Dotierung von 3C- und 4H-SiC Ziel II: Intrinsische Defekte in 3C- und 4H-SiC • C- und Si-Interstitials, Leerstellen • Komplexe intrinsischer Defekte • Identifizierung unbekannter Defekte (DI, DII, Z1/Z2)

  4. Was kann man rechnen? Bildungsenergien Konzentration im Gleichgewicht: Löslichkeit, Aktivierung Migrations-, Reaktionsbarrieren Diffusion, Kinetik der Defektreaktionen Umladungsniveaus Ladungszustände (DLTS) Lokale Schwingungen Phononenreplika (Lumineszenz) Hyperfeinwechselwirkung Spinresonanz (ESR, ENDOR) Methode: Dichtefunktional-Theorie

  5. Beispiel: Bor Auf Si-Platz: Flacher Akzeptor B Tiefer Akzeptor: 0.6-0.7 eV C Si

  6. Bor-komplexe mit intrinsischen Defekten

  7. Konzentration der Bor-Defekte im thermischen Gleichgewicht C-reich Si-reich

  8. Bor-Dotierung: Löslichkeitsgrenzen

  9. Defektidentifikation: LVMs (DII-Zentrum) Di-Kohlenstoff-Antisite-Komplex1 1 A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov, Physica B, in print

  10. Defektidentifikation: Hyperfeinparameter VSi- Silizium-Leerstelle VSi- 1H. Itoh et al., phys. stat. sol. (a) 162, 173 (1997) 2T. Wimbauer et al., Phys. Rev. B 56, 7384 (1997) 3M. Bockstedte et al., Mat. Sci. Forum, in print

  11. Projekt III N / P Kodotierung   Extern Dr. H. Huang Polytech. Uni Hong Kong Dotierprofile: kin. Monte Carlo   Projekt VIII Isotopverschiebung Projekt IV p-Dotierung zur Bauelementeisolation Zusammenarbeit und Kooperationen   Projekt V Theorie der Dotierung  

More Related