1 / 11

KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR

KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR. Struktur Fisik Transistor Bipolar Karakteristik Terminal Arus Terminal Aktif Forward Penguat Arus Aktif Forward Model Ebers-Moll (cont.). Struktur Fisik Transistor Bipolar :. Terdapat Dua jenis Transistpr bipolar: NPN BJT PNP BJT NPN BJT:

pascal
Télécharger la présentation

KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR • Struktur Fisik Transistor Bipolar • Karakteristik Terminal • Arus Terminal Aktif Forward • Penguat Arus Aktif Forward • Model Ebers-Moll (cont.)

  2. Struktur Fisik Transistor Bipolar : Terdapat Dua jenis Transistpr bipolar: NPN BJT PNP BJT NPN BJT: Daerah Emiter : lapisan tipe n yang dihubungkan dengan lapisan polysilicon n+. Daerah Basis : Lapisan p Daerah Kolektor : Lapisan n Simbol Rangkaian Transistor Struktur Fisik Transistor Bipolar

  3. Daerah Operasi BJT npn dan pnp Karakteristik BJT npn Daerah arus konstan disebut Forward active, (F = Penguat arus forward): Daerah tegangan konstan disebut saturasi Karakteristik Terminal

  4. Cut-off terjadi jika : IB = 0, sehingga IC = 0 Untuk F = 100 (gambar disamping) IC bertambah jika VCE bertambah VCE < 0 IC Negatif Penguat arus aktif reverse (R) R = IE/IB. dan, - IC = IE + IB = (R +1) IB . Gambar disamping untuk R = 3 Karakteristik Terminal (cont)

  5. Fisik BJT satu dimensi (arah X): Pembawa minoritas pada seimbang-panas (emiter,basis dan Kolektor): Potensial elektrostatis & konsentrasi pembawa minoritas (cm-3): NdE =1019, NaB=1017, NdC=1016. Arus Terminal Aktif Forward

  6. Arus Kolektor = Rapat Arus difusi elektron x Luas Emiter Arus Basis = Rapat arus difusi hole x Luas Emiter Arus Emiter ( IE ) = - ( IB+IC ) Perbandingan Arus Kolektor dan Magnitude arus emiter : Untuk, NdE =1019, NaB=1017, NdC=1016. Karena, Penguat Arus Aktif Forward

  7. Maka: Daerh saturasi terjadi pada : Sifat dari keadaan ini, menunjukan hubungan emiter-basis dan basis-kolektor dalam bias forward. Arus difusi elektron terpisah dalam dua komponen yaitu: hubungan emiter-basis dan basis-kolektor Hubungan tersebut adalah: Penguat Arus Aktif Forward ( cont)

  8. Arus difusi Elektron : Arus emiter terdiri dari 3 komponen: 1. -I1 yang disebabkan injeksi elektrron dari hubungan emiter-basis 2. -I1 /F yang disebabkan injeksi balik dari hole ke emiter. 3. I2, yang disebabkan kumpulan elektron dari hubungan basis -kolektror Atau dapat dinyatakan: Arus kolektor terdiri dari 3 komponen: 1. -I2 yang disebabkan injeksi elektrron dari hubungan basis- kolektor 2. -I2 /R yang disebabkan injeksi balik dari hole ke kolektor. 3. I1, yang disebabkan kumpulan elektron dari hubungan emiter-basis Model Ebers-Moll

  9. Atau dapat dinyatakan: Di mana penguat arus revers, Bentuk standar dari persamaan Ebers-Moll didefinisikan dari 2 komponen: sehingga arus Emitter: Dan arus kolektor Arus kolektor dan emiter merepresentasikan dua buah dioda dengan pengendali sumber arus yang menggandengkan emiter dan kolektor Bentuk equivalen dari rangkaian Ebers-Moll, dengan: Model Ebers-Moll (cont.)

  10. Model aktive-Forward: Model Ebers-Moll (cont.)

  11. Bentuk equivalennya: Ganti Diaoda bias-forward dengan battere 0,7 V. Model Ebers-Moll (cont.)

More Related