1 / 43

Berkeley CMOS tesztábrák Minőségbiztosítás a mikroelektronikában, 2013. tavaszi félév

Dr. Mizsei János Somlay Gergely Juhász László. Berkeley CMOS tesztábrák Minőségbiztosítás a mikroelektronikában, 2013. tavaszi félév. Bevezet ő. Gyors méretcsökkenés a CMOS áramkökrökben Az áramkörök bonyolultságuk miatt alkalmatlanok a gyártási folyamat ellen ő rzésére és beállítására

rodd
Télécharger la présentation

Berkeley CMOS tesztábrák Minőségbiztosítás a mikroelektronikában, 2013. tavaszi félév

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Dr. Mizsei János Somlay Gergely Juhász László Berkeley CMOS tesztábrákMinőségbiztosítás a mikroelektronikában, 2013. tavaszi félév

  2. Berkeley CMOS tesztábrák Bevezető • Gyors méretcsökkenés a CMOS áramkökrökben • Az áramkörök bonyolultságuk miatt alkalmatlanok a gyártási folyamat ellenőrzésére és beállítására • A termékek mellett teszt eszközöket is legyártanak • Ezen teszt eszközök vagy tesztábrák mérési adataiból következtetnek a termék vagy a gyártási folyamat tulajdonságaira • Következtetni lehet a kihozatalra vagy alacsony kihozatal esetén a hibára, ellenőrizni és szabályozni lehet a gyártási folyamatot • A vágási sávokba helyezik a teszábrákat

  3. Berkeley CMOS tesztábrák Berkeley BCAM csoport • Berkeley Computer-Aided Manufacturing (BCAM) csoport tervezte a következőkben tárgyalt tesztábrákat • Céljuk a Berkeley Microfabrication Laboratory gyártási folyamatának havonkénti ellenőrzése • További felhasználási célok: • Kihozatal becslése • Áramkörök gyárthatóságának modellezése

  4. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztábrák típusai • Tesztábrák felhasználási területei: • Eszközparaméterek meghatározása • Áramkör paramétereinek meghatározása • Gyártási folyamat paramétereinek meghatározása • Random hibaellenőrzés • Megbízhatóság ellenőrzése

  5. Berkeley CMOS tesztábrák Eszközparaméterek meghatározása • Áramkörszimulációs célokra • SPICE tranzisztormodell stb. • Kétféle meghatározási mód: • Direkt: egy-egy paraméter meghatározása minden más tényező kizárásával • Indirekt: általános adathalmaz gyűjtése, melyben minden paraméter benne van, majd ezek alapján algoritmusok segítségével határozzák meg a paramétereket

  6. Berkeley CMOS tesztábrák Gyártási folyamat jellemzése • Optikai • Csíkszélesség, távolságok betartása • Megbízható és pontos • Lassú • Elektromos • Adalékolás, négyzetes ellenállás • Elektromos jelre adott válaszból számítanak egy-egy paramétert • Automatizált • Pontos tervezés szükséges, hogy csak egy paramétertől függjön a jelre adott válasz

  7. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák kiszűrése • Nem teljesen azonos a gyártási folyamat szeletről szeletre és a gyártósor nem tökéletesen tiszta • Tipikus hibák: • Fémezés megszakadása a fotorezisztben lévő szennyeződés miatt • Oxidban tűlyuk effektus • Vonalszakadás rossz lépcsőfedés miatt • A tesztek célja nemcsak a hiba felfedése, hanem lokalizálása is

  8. Berkeley CMOS tesztábrák Megbízhatósági tesztek • A vizsgált struktúrát erős igénybevételnek teszik ki • Túlfeszültség, áramerősség, hőmérséklet, párastb. • A hibák az atomi mozgások és ionos töltésállapot változások miatt alakulnak ki • Elektronmigráció • Átütés • Töltésinjekció • Korrózió A plazmamarás okozta oxid sérülés kivételével használhatóak a más vizsgálatokra tervezett tesztábrák

  9. Berkeley CMOS tesztábrák Áramkörparaméterek meghatározása • Paraméterek melyek az egész IC-t jellemzik: • Működési frekvencia, disszipáció, meghajtás • Az IC-k túl bonyolultak, ezért az IC-t utánzó teszt struktúrákat alkalmaznak (pl. ring oszcillátor)‏ • Nehéz az eredményekből a gyártási folyamat beállításait javítani • Elfogadható becslést ad az IC teljesítményéről

  10. Berkeley CMOS tesztábrák A technológia • 2 µm-es n-zsebes technológiára tervezve • 2 fémezési réteg • Csíkszélesség: 3 µm • Minimális távolság: 6 µm • Tesztpinek: 100 µm x 100 µm metal2, via, metal1

  11. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: eszköz paraméterek Egyedi MOSFET-ek 1; 1,3; 1,5; 2; 3; 5; 10 és 25 µm gatehosszúsággal, 5; 10 és 50 µm szélességgel

  12. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: eszköz paraméterek

  13. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: eszköz paraméterek Analóg áramkörökben fontosak az azonosan működő eszközök Szorosan csatolt tranzisztor mátrixok: 4x4 tömbök

  14. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: eszköz paraméterek

  15. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: eszköz paraméterek Kapacitások, melyekkel a gate oxid is minősíthető 300 x 300 µm méretűek C-V méréssel megállapítható a gate oxid vastagság, az adalékolás, a határfelületi jellemzők

  16. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: eszköz paraméterek

  17. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek Kontaktus ellenállás Jelentős a szórás az ellenállások között Méretcsökkenés miatt nő az ellenállásuk 4 vagy 6 kivezetéses kontaktus láncokkal vizsgálják

  18. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek

  19. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek Felhasított kereszt híd ellenállások Rétegellenállás és csíkszélesség ellenőrzése Összeköttetések ellenállása, késleltetések, adalékolás, áramvezetési képesség határozható meg

  20. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek A mérés három részből áll: • A kereszt rész a réteg-ellenállásmérésre: • A középső rész a vonalszélesség mérésére: • A harmadik rész a felhasítás adatainak mérésére:

  21. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek

  22. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek Fallon létra: minimális felbontás meghatározható Kiszámított ellenálláslépcsők A nem megvalósított ellenállások módosítják az eredő ellenállást A fokok 0,1 µm-rel keskenyednek

  23. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek

  24. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek Önillesztő n+ hidak: rétegek közötti félreillesztés vizsgálatára Az optikai ellenőrzés korai eredményeket ad, de időigényes és költséges lehet Az elektromos gyors és olcsó, de csak a megmunkálás után végezhető el a vizsgálat A struktúra két nagyon széles tranzisztorból áll,de a gate nincs bekötve A diffúziós rétegek alkotják az ellenálláspárokat

  25. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek

  26. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek • A négy ellenállás Wheatstone-hídba kapcsolva • A kialakítás miatt: R2 = R4 és R1 = R3 innen

  27. Berkeley CMOS tesztábrák Tesztstruktúrák: folyamatparaméterek

  28. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák és megbízhatóság Kontaktuslánc: a szeletenkénti kontaktusok száma nagy és akár egy meghibásodása is végzetes lehet Kontaktusok meghibásodásának okai: Layout tervezésnél kimarad Kontaktusellenállás a szórás miatt megnő Véletlen hiba a gyártás során Működés során bekövetkező hiba A kontaktusláncok kígyó alakban vezetett fémrétegek, melyeket kontaktusok kötnek össze

  29. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák és megbízhatóság 104 db 3 x 3 µm-es és 2 x 2 µm-es kontaktus

  30. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák és megbízhatóság Fésűs ellenállások: a vonalszélesség szórását és a szennyeződések jelenlétét lehet vizsgálni Ha a kivezetések között áram folyik, akkor hiba van Megbízhatósági teszt: pára, hőmérséklet, feszültség

  31. Végzetes hibák és megbízhatóság

  32. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák és megbízhatóság Szerpentin alakú ellenállások: szakadásvizsgálat Abnormálisan magas ellenállás hibát jelent Szerpentin/fésűs ellenállással mindkét hiba vizsgálható

  33. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák és megbízhatóság

  34. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák és megbízhatóság Szerpentin ellenállás topológián: fémezés folytonossága a lépcsőkön PoliSi csíkok a lépcsők

  35. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák és megbízhatóság

  36. Berkeley CMOS tesztábrák Végzetes hibák és megbízhatóság MOSFET antennával: plazmamarás során töltésfelhalmozódás léphet fel a gate-ekhez kapcsolódó alumínium vezetékekben és a gate oxidban Charge-to-breakdown mérések egy referencia és egy antennával rendelkező tranzisztoron

  37. Teszt chip felépítése • Scribe-line és drop-in területek • Scribe-line: tesztstruktúrák és illesztőábrák • Drop-in: a tényleges IC terület, a tesztchipen itt is tesztstruktúrák helyezkednek el

  38. Berkeley CMOS tesztábrák Scribe-line felépítése • A vágási zóna • Mérések a szeletdarabolás előtt

  39. BCAM tesztchip felépítése • Mindkét területen tesztstruktúrák helyezkednek el • A layout kialakítása során a cél az volt, hogy a felületen lévő különbségeket is mérni lehessen • Minden eddig bemutatott struktúrát megvalósították a chipeken

  40. Berkeley CMOS tesztábrák A teszt IC felépítése

  41. Berkeley CMOS tesztábrák Automata teszter felépítése • A hatékony adatgyűjtéshez automata teszter lett fejlesztve • A mérés a SUNBASE program segítségével vezérelhető

  42. Automata teszter felépítése • Két szövegfájl konfigurálásával lehet a beépített mérési szubrutinok közül választani, vagy továbbiakat hozzáadni • A mérési rutinok: • Meghatározzák a feszültség és áramszinteket, • Ellenőrzik ezek csatlakozását a mérőpontokra, • Összegyűjtik az adatokat • Elvégzik a paraméterbecslést • A mérési adatok egy szövegfájlba íródnak ki

  43. Mérési eredmény példa • Vonalvastagság változása két szeleten:

More Related