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=== 第八章 場效電晶體 ===

=== 第八章 場效電晶體 ===. 第 8 章 場效電晶體. 8-1 JFET 之構造特性及直流偏壓 8-2 D-MOSFET 之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET 之構造特性及直流偏壓 8-4 FET 與 BJT 之功能特性比較. 8-1 JFET 之構造特性及直流偏壓. 如圖 8-1 所示為電晶體的分類圖,電晶體可分為 雙極性接面電晶體 ( bipolar junction transistor ,簡稱 BJT )和 場效電晶體 ( field effect transistor ,簡稱 FET )兩大類,而 FET 依控制閘的不同又分為兩類,分別為:

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=== 第八章 場效電晶體 ===

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Presentation Transcript


  1. === 第八章 場效電晶體=== 第8章 場效電晶體 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 8-2 D-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-3 E-MOSFET之構造特性及直流偏壓 8-4 FET與BJT之功能特性比較

  2. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 如圖8-1 所示為電晶體的分類圖,電晶體可分為雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor,簡稱BJT)和場效電晶體(field effect transistor,簡稱FET)兩大類,而FET 依控制閘的不同又分為兩類,分別為: 1.控制閘為接面型的接面場效電晶體(junction FET,簡稱JFET)。

  3. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 2.控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體(metal oxide semiconductor FET,簡稱MOSFET ),並再依通道預置與否,區分為空乏型(depletion)與增強型(enhancement)兩種。 無論何種FET,都有N 通道與P 通道之分。雖然FET 種類較多,但是其對應的特性方程式與曲線都很類似。同時,FET 輸入電阻極大,輸入電流趨近於0,所以實際應用分析比BJT 簡單很多。

  4. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  5. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 圖8-2(a)為N 通道接面型場效電晶體(JFET)的物理結構圖,如圖所示,在一個N 型半導體的通道上下兩端分別鍍上一層導體,再以導線引出作為電流通道的汲極(drain,D極)與源極(source,S極)。另外,在通道兩側植入P 型半導體並相連接後,再鍍上一層導體,以導線引出作為控制電流通道大小的閘極(gate,G極)。

  6. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 圖8-2(b)為N 通道JFET 電路符號,圖中箭頭方向表示P 型閘極指向N型源極通道,如同NPN 電晶體電路符號一樣,其箭頭方向為P 型基極指向N 型射極。圖8-2(c)為N 通道JFET 之簡化電路符號。 圖8-3 為P 通道JFET,其物理結構與N 通道大同小異,主要差別在於傳導載子不同。N 通道所傳導的載子為電子,而P 通道所傳導的載子為電洞。因此,P 通道JFET 控制閘極為N 型半導體,電路符號之箭頭方向與N通道相反,其餘結構則與N 通道相同。

  7. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  8. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  9. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 對FET 而言,不管是N 通道或是P 通道,其工作原理皆相同,只是傳導載子不同,所以產生的電流與電壓方向皆相反。由於N 通道傳導載子為電子,其移動率較高,速度較快,所以實用上,大多是以N 通道為主。

  10. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 工作原理 1 N通道JFET在閘極(G)未加任何偏壓時,汲極(D)與源極(S)間就已經存在電流通道;因此,為能控制電流通道大小,控制閘極電壓VGS在正常情況下,應施予負偏壓以形成空乏區,進而控制通道大小及輸出電流ID大小。

  11. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 如圖8-4(a)所示,當外加負偏壓VGG使閘源極電壓VGS形成逆向偏壓(P 型半導體的G極為負電壓、N型半導體的S極為正電壓)時,將使G、S之PN 接面附近形成空乏區,在此通道兩側所形成的空乏區大小會改變通道大小,並進而控制通道電流大小。同時,因為閘極與通道為逆偏特性,所以閘極電流IG =0。 N 通道JFET 不可將VGS接成正偏壓,否則PN 接面會形成順偏導通狀態,無法控制通道電流大小,並且將使閘極電流IG ≠0。

  12. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  13. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  14. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  15. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  16. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  17. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  18. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  19. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  20. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  21. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 特性曲線 2 由上述分析,可知JFET 的端點電流關係為:

  22. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  23. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  24. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  25. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  26. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 對於P 通道JFET 而言,輸入控制電壓VGS必須加上正電壓,如此才能形成空乏區,進而改變P 通道大小,以控制通道ID電流大小。因此可知,P 通道之電壓與電流方向,皆與N 通道相反,即輸出電流ID由D 極端流出,輸入電壓VGS為正電壓,而輸出電壓VDS為負電壓,其特性曲線與直流等效電路,如圖8-9 所示。

  27. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  28. 例題 8-1 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  29. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  30. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  31. 例題 8-2 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  32. 例題 8-3 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  33. 例題 8-4 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  34. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  35. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  36. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  37. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 JFET的直流偏壓方式可分為固定式、自給式及分壓式等偏壓方式,茲分述如下: 固定式偏壓電路 1

  38. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  39. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  40. 例題 8-5 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  41. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  42. 例題 8-6 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  43. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  44. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  45. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓 自給式偏壓電路 2

  46. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  47. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  48. 例題 8-7 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  49. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

  50. 8-1 JFET之構造特性及直流偏壓

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