第四章电子衍射（二） — 单晶体电子衍射花样标定

金属材料电子显微分析 第四章电子衍射（二）—单晶体电子衍射花样标定燕山大学材料科学与工程学院材料现代分析测试方法课程教学团队张静武教授/博导

说明：应用与方法 花样标定的应用

基本方法：尝试－查表－对照 • 练习一：例题 • 练习二：立方系练习 • 练习三：六方系练习 • 练习四：正交系练习

一、常见的单晶体电子衍射花样

二、电子衍射花样的产生－花样的位置

三、电子衍射花样的产生

试样

四、电子衍射花样的基本特征 R1 Φ R3 000 R2 特征平行四边形 R1 - R2 -R3 - Φ R/ R1 夹角

材料工艺已知条件衍射花样可能相 PDF卡片

R1 R3 Φ 000 R2 五、尝试法花样标定（一般步骤） 1.确定特征四边形，测量R、 Φ： R1 = R2 = R3 = 最短边、次短边 Φ≦90°

2.计算面间距： L λ = Rd L : 0.8m λ： 0.00251nm(200KV) 单位：mm ．nm R1= d1 = R2= d2 = R3= d3 = 1) 2 R / 2 = R 2) Lλ = f0 · MI ·MP f0 r L R

3.依据已知参数确定物相(族指数) 1）可能相： α-Fe γ-Fe Al 2）d值一般不顺次出现：不同于X光衍射（多晶体） 3）注意误差

PDF （ASTM）卡片值

{h1k1l1} - h1k1l1 {h3k3l3} – h3k3l3 {h2k2l2} – h2k2l2 000 • 4.确定倒易点指数 • 1点：任意确定 • 2点：尝试确定－夹角 • 3点：矢量相加

h1k1l1 h3k3l3 Φ h2k2l2 Φ ′ 000 5 检验：

000 6.其它倒易点指数倒易平面 1）对称 2）矢量相加

7.求倒易平面指数(UVW)﹡ r＝[UVW] h2k2l2 Φ h1k1l1 ( u v w )﹡ • 膜面向上 • 逆时针：g1－g2 • 夹角Φ≦90° • r ＝ [UVW] = g1 × g2

g = ha﹡+ kb﹡ +lc﹡ r = Ua + Vb + Wc 倒易平面-晶带轴 :晶带定理 hu + kv + lw = 0

[UVW] h2k2l2 Φ h1k1l1 h1 k1 l1 h1 k1 l1 h2 k2 l2 h2 k2 l2 ( u v w )﹡ h1U + k1V + l1W = 0 h2U + k2V + l2W = 0 U V W [UVW] (UVW)0﹡ 指数化简

[UVW] Φ＝90° h k l (h k l) （UVW)﹡ 衍射花样给出的信息 • 物相 • 点－晶面组 • 晶带 • 晶面夹角 • 晶面 h k l

电子衍射花样标定要点： 1 反射球切倒易杆：布拉格衍射、偏离矢量、结构振幅、晶体厚度 2 电子衍射公式：d值PDF 卡片 3 晶面夹角公式：7个晶系 4 材料和工艺：可能相 Lλ＝ Rd

R1 θ R2 000 五、其它方法 1.查表法

R1 θ R2 000 2.对照法

六、内标法 1）基体花样－Lλ 2) Lλ-析出相d值

第四章 电子衍射（二） — 单晶体电子衍射花样标定