1 / 8

7. Zjawiska transportu elektronowego

7. Zjawiska transportu elektronowego. Kryształ idealny: quasi-pęd elektronu  k=const F = 0 v=  k/m* = const dla małych k (prędkość translacyjna). Zaburzenia idealnej sieci : drgania sieci defekty punktowe samoistne ( luki , atomy między wę złowe , defekty p rzestawieniowe )

tuan
Télécharger la présentation

7. Zjawiska transportu elektronowego

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. 7. Zjawiska transportu elektronowego Kryształ idealny: quasi-pęd elektronu k=const F = 0 v=k/m* = const dla małych k (prędkość translacyjna) • Zaburzenia idealnej sieci: • drgania sieci • defekty punktowe • samoistne (luki, atomy między węzłowe, • defektyprzestawieniowe) • domieszki • defekty liniowe - dyslokacje

  2. Transport prądu Gęstość prądu: j=envd prawo Ohma: j=E Przewodnictwo: =envd/E e=vd/E • Zderzenia z niedoskonałościami sieci • średnia droga swobodna l • średni czas pomiędzy zderzeniami  przewodnictwo bipolarne: =e(ne+ph) F = eE v(t) = eEt/m* prędkość dryfu vd =<v>=eE  /m* = E  = vd/E = e  /m*ruchliwość

  3. Zależność ruchliwości od temperatury mechanizmy rozpraszania Rozpraszanie na drganiach cieplnych sieci (fononach) Rozpraszanie na naładowanych domieszkach Zależność przewodnictwa od temperatury (T)=en(T)(T)  n(T)

  4. Efekt Halla • Pomiar efektu Halla pozwala wyznaczyć: • znak dominujących nośników prądu • n (T) lub p(T) •  (T)

  5. Siła termoelektryczna T1 To gradient temperatury gradient koncentracji nośników gradient potencjału • znak - typ nośników • (T)  EF(T) i dominujący mechanizm rozpraszania

  6. Prąd unoszeniaiprąd dyfuzji Wzór Einsteina Stała dyfuzji: Dyfuzja Dryf (unoszenie)

  7. Generacja i rekombinacja swobodnych elektronów i dziur Szybkość rekombinacji: generacja G - szybkość generacji nośników R - szybkość rekombinacji Rekombinacja pasmo-pasmo odchylenie od równowagi termodynamicznej Rekombinacja z udziałem defektów czas życia nadmiarowych elektronów

  8. Równanie ciągłości (zasada zachowania ładunku) G - szybkość generacji nośników R - szybkość rekombinacji Droga dyfuzji stan stacjonarny, G=0

More Related