第一章电力电子技术的基本概况

首页 第一章电力电子技术的基本概况 1.1 电力电子技术的含义 1.2 电力电子的主要应用形式 1.3 电力电子技术的发展历史 1.4 电力电子技术的发展方向和前景

第一章电力电子技术的基本概况 返回下页 1.1 电力电子技术的含义利用最为普及的能量形式易于转换的能量形式特殊的能量形式电能服务于人们生活中的各个方面转换为交流电、直流电、电磁辐射、激光束、脉冲、电弧、电磁能

第一章电力电子技术的基本概况 较比上页下页返回 • 电力电子器件承载的电流大，承受的电压高； • 模拟电子技术和数字电子技术中的电流、电压等当作信号处理，不考虑转换效率和散热等问题。 • 电力电子技术应用中涉及到高电压、大电流，须优先考虑电能的转换效率。 • 电力电子技术与模拟电子技术或信息电子技术都是基于硅材料应用科学的一个分支，采用的是硅分子渗透技术。

第一章电力电子技术的基本概况 电能转换功率损耗电力电子器件消耗的功率上页下页返回约50%左右由电力电子器件吸收其余部分由电感、电容、保护电路和电路接口消化。使器件的温升增加，如散热条件不好，将损坏电力电子器件，并使整个装置、电网遭到破坏。 • 电力电子器件的保护是电力电子技术实际应用中的重要部分。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回电力电子技术的前景是信息电子技术发展的继续在电能的发电、传输、配电、及终端用户等环节起着重要的作用传送功率等级从几瓦到数千兆瓦大量应用在高压直流输电、灵活交流输电系统、电气传动控制、自动化生产线以及电能质量控制等方面

第一章电力电子技术的基本概况 电力电子集成上页下页返回是电力电子技术发展一个新的阶段表示了一体化设计的概念，对于降低成本、损耗、体积和重量都有着积极的意义减少工程技术人员在应用电力电子技术过程中的设计和制作费用将器件驱动和器件本身“融合”在一起，减小装置本身的体积，极大地增强集成系统的整体可靠性

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • 电力电子技术的市场取决于它的成本、可靠性，以及它在电力应用中所展示的新技术的有效性。 • 电力电子成本的核心是功率器件的特性，特别是它的导通损耗、关断损耗和开关速度。根据电力电子器件的特性、采用一种有效的静态变换和控制方法，将一种电能形式转换为另一种电能形式的技术。 • 电力电子技术

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回电气和电子器件的有效使用线性与非线性电路的理论分析控制理论的应用成熟设计方法的使用配合使用先进的分析工具研究其控制系统的性能方法达到体积小、重量轻、损耗低、效果好的目的，并能实现高效、可靠、实用的控制。目的

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回不使用像发热电子管以及电解电容器等等这些时限很短的器件。 • 高可靠性避免使用需要周期性维护或替换的旋转器件。 • 高实用性尤其是当这些器件在功率变换电路中作为关键部件接通或者中断电流时要特别注意。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 1.2 电力电子的主要应用形式电力电子设备的主要目的处理电气意义上的功率。控制交流或直流电源与一个或者多个需要此交流或直流电源负载之间的功率传输。功能 • 传输功率的大小由与变流器终端相连的负载大小确定。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回电能转换形式的分类把交流电压变换成固定或可调的直流电压。 AC/DC变换 • AC/DC变换 • 整流把交流电压变换成固定或可调的直流电压的装置。 • 整流器 • 整流器一般用于如充电、电镀、电解和直流电动机的速度调节等场合。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回把直流电变换成频率可变、电压固定或可调的交流电。 DC/AC变换 • DC/AC变换 • 逆变 DC/AC变换时，交流输出与电网相连。 • 有源逆变 DC/AC变换时，交流输出直接与负载相连。 • 无源逆变

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回无源逆变装置的输出可以是恒频恒压（CVCF）的电源或不间断供电电源（UPS），也可是变频输出的电源。把直流电变换成频率可变、电压固定或可调的交流电的装置。 • 变频器 • 变频器广泛应用于各种变频电源中，如在中频感应加热和交流电动机的变频调速等方面的应用。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回将一种频率和幅植固定或变化的交流电压转换成另一种频率和幅植可调或固定的交流电压。 AC/AC变换 • AC/AC变换电路 • 周波变流器 • 变频器 • AC/AC变换电路主要用于交流电动机的变频调速。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回将一种幅植固定或变化的直流电压变换成幅植可调或恒定的另一个电压等级的直流电压。 DC/DC变换 • DC/DC变换 • 直流斩波将一种幅植固定或变化的直流电压变换成幅植可调或恒定的另一个电压等级的直流电压的装置。 • 斩波器

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • 脉宽调制变流器 • 斩波器 • 斩波器主要用于直流电压变换、开关电源、电车、地铁、矿车等电力机车上所用的直流电动机的牵引，以及计算机、通信和各类仪器仪表的电源等场合。

第一章电力电子技术的基本概况 利用电力电子技术可以有效地节约能源电力电子技术迅速发展，与全球能源、环境等问题息息相关上页下页返回 1.3 电力电子技术的发展历史

第一章电力电子技术的基本概况 全控型器件迅速发展期史前期 1904 1930 1947 1957 1970 1980 1990 2000 年份电子管问世水银（汞弧）整流器时代晶闸管时代 IGBT出现智能功率模块上页下页返回晶闸管问世晶体管诞生

第一章电力电子技术的基本概况 电力电子技术的开始是以1957年第一个晶闸管的诞生为标志上页下页返回在晶闸管出现之前，电力电子技术已经用于电力变换硒整流器水银整流器电子管闸流管

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回晶体管的发明引发了电子技术的革命锗功率二极管硅二极管晶闸管

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • 工业技术的迅速发展推动了晶闸管的进步。 • 电力电子技术的概念和基础由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而逐渐建立起来。 • 在电力系统的无功补偿、以及在中频加热应用中，晶闸管是处理大功率不可缺少的器件。 • 晶闸管在高压直流输电中的换流器、静止相控无功补偿器、周波变流器、负载换流逆变器等设备中仍大量使用。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回半导体器件的发展变流器的拓朴结构 PWM技术硬件和软件控制电力电子进步仿真分析方法集成芯片控制和估算技术数字信号处理计算机

第一章电力电子技术的基本概况 第一代电力电子器件上页下页返回晶闸管的派生器件快速晶闸管（FST）逆导晶闸管（RCT）光控晶闸管（LTT）双向晶闸管（TRIAC）推动各种电力变流器在冶金、电化学、电力工业、交通及矿山等行业中的应用，促进了工业技术的进步。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回晶闸管只能在承受正向电压过程中，通过对门极施加一个触发脉冲才能使其导通，不能通过脉冲的控制使其关断，属于半控型器件。阻碍晶闸管发展的原因 • 关断晶闸管时须采用强迫换流电路。增加的换流电路使电路复杂、体积增大、重量增加、效率降低，从而导致可靠性下降；

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • 由于晶闸管不能通过控制实现关断，因此它的开关频率难以提高，最高也不会超过400Hz，这样大大限制了它的应用范围； • 由于晶闸管相位控制方式对电网及负载产生严重的谐波，这不但会降低电路的功率因数，而且还会对电网造成谐波污染的“公害”。

第一章电力电子技术的基本概况 第二代电力电子器件上页下页返回自关断的全控型器件门极可关断晶闸管（GTO）双极型电力晶体管（GTR）电力场效应晶体管（Power MOSFET）通过对门极（基极、栅极）的控制既可使其开通，又可使其关断。这些器件的开关速度高于晶闸管，可以用于开关频率较高的场合。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回门极可关断晶闸管(GTO ) • GTO的关断功率损耗较大，须使用开关吸收电路，以减小dv/dt，在实际应用中受到一定的限制。 • GTO的一般容量为6KV/4KA。 • 实际使用中，GTO的触发功率很大，关断时要消耗其导通功率的20%左右，限制了它的开关频率。 • 在GTO变流器的吸收和驱动电路设计应考虑其特殊性。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 MOSFET是多数载流子传导器件，它的导通压降较高，开关损耗并不是太大，且电压等级不能做得太高，它一般只应用于低压、高频电路中。大功率达林顿双极结型晶体管（BJT），由于它的驱动损耗大，以及可靠性差，现已由大功率场效应晶体管MOSFET（低压范围内）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）所取代。

第一章电力电子技术的基本概况 第三代复合型场控半导体器件上页下页返回功率半导体器件静电感应式晶体管（SIT）静电感应式晶闸管（SITH） MOS晶闸管（MCT）这些器件具有很高的开关频率，可以承受更高的电压，并允许更大的导通电流，这种类型的大功率开关器件在构成高频大功率变流器中具有特别的优势。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回绝缘栅双极型晶体管（IGBT） • IGBT的开关频率比BJT高很多，在正向偏置安全工作区内可以不需要吸收电路，这种模块的额定容量在20世纪90年代就已达到了3500V/1200A，它的电气特性还在不断完善。 • IGBT在许多中、大功率的变流设备中得到了广泛使用，直到现在，它仍是主要的功率开关器件。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • IGBT的智能模块（IPM）是将内置门极驱动及热保护等功能集于一体的集成模块，它可以控制和保护几百千瓦的负载，用于中小功率的变流设备中。 • 具有沟槽栅技术的现代IGBT模块比二极管的导通压降稍高一点，但它具有更快的开关速度。 • 近期发展起来的新型大功率半导体器件3.3kV、4.5kV、6.5kV的IGBT改进了变流电路的设计，在三电平拓扑结构中广泛采用，迅速增加了PWM型可控电压源变流器所占的市场份额。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 PWM可控VCS（电压源型变流器）的优势在于，可以降低线路中的谐波含量，提高功率因数，并有效降低了滤波器的容量和体积，提高了系统的效率，从而降低在冶炼、船舶、采矿、电解和高压直流输电等行业中的能耗。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 MCT • MCT是另一种MOS门极驱动装置，它的触发电路比起GTO简单得多，所需的开关能量和MOSFET或IGBT差不多，关断时不需要像GTO那样大的反向门控电流，在相同功率等级的条件下，导通压降比IGBT小，其开关速度也比较高。 • 但无论是电压等级还是功率等级都不能与GTO和IGBT媲美。 • MCT模块在软开关变流器中应用。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 GCT的主要特点 • 阴极关断电流全部从门极流出，关断增益为1，并能在小于1ms的时间内均匀流出。 • 由于采用很薄的n+缓冲层结构，使GCT器件的通态压降很低，因而通态损耗较小。 • 该器件采用ABB公司的特殊低电感外壳设计，有效减小了门极驱动电路的等效电感，大大提高diGQ/dt（约3kA/ms）。该器件的存储时间短，关断均匀，易于串联使用。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • GCT的硅片中同时集成了功率二极管，减少了硬件电路的电缆连线，并使设计更为紧凑。 • 允许较高的开关频率，而且通态和关断损耗均较低。但在GCT的使用过程中，其控制功能还不够完善，仍需要较大的驱动功率，开关控制电路的设计较复杂，因而必须另外增加外部触发控制电路。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回集成门换流晶闸管IGCT • IGCT相当于开关特性很硬的GTO，但它比GTO具有更多的优势。 • IGCT的导通压降较低，开关速度更高。 • IGCT带有旁路二极管的单片集成电路，不需对吸收电路进行特别的设计，甚至可以不用吸收电路。 • IGCT容易实现连续运行，连续运行的有效性和元器件的易更换性对工业实际运行非常有利。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • IGCT已广泛用于大型电力机车牵引、大功率高压变频器等设备之中。 • 在牵引和工业领域中，以IGCT或IGBT作为开关器件的PWM型VSC，正在迅速取代普通GTO作为开关器件的VSC和电流源型变流器（CSC）。 • IGCT将功率处理模块（GCT）与控制电路集成在一个封装结构内。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 IGCT可工作在中等电压等级、能关断10MW功率的硅材料开关元件。 IGCT将功率处理单元GCT和控制电路集成在一个封装内，这样更易于控制，可有效降低开关元件的成本。 1 在相同运行功率的条件下，IGCT比GTO和IGBT的开关频率更高，开关损耗更低。在中等电压等级下控制相同的兆瓦级功率，并保证相同效率和可靠性的前提下，它的封装尺寸更小，费用更低。 2

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回在高频工作条件下，若采用IGCT来实现逆变器时，可将逆变器的元件数量减少50%，因而可节省约30%的能量。这种开关元件的典型电压应用等级有：2.3, 4.16和6.9kV。这可保证它能直接用于工业电机，电力机车牵引，轮船推进，流水线等大功率应用场合。 3

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 IGCT是对GTO和IGBT的改进和提高。GTO需要复杂的外围电路，以保证可靠的工作，工作频率也低；IGBT在中等电压等级应用时，损耗增加。在大功率应用时，需要较多的元件组成模块。IGCT则克服了GTO和IGBT设计中内在的开关技术缺陷。 4 IGCT技术是一个高速的技术飞跃，它的开关特性相当于IGBT，而导通能力则相当于GTO，但IGCT减少了成本和外围器件。 5

第一章电力电子技术的基本概况 GTO晶闸管高压IGBT模块 IGCT的性能开关技术 • 高频开关特性 • 低开关损耗 • 无需吸收器 • 集成门驱动 • 高频开关特性 • 低开关和通态损耗 • 无需吸收器 • 可用于大多数的电压等级 • 对各种电压等级都有效 • 低通态损耗功率电路 • 低压时，元件数较少 • 低压时，适合并联和级联 • 不发生灾难性的事故 • 可靠性高 • 集成了二极管和门控单元 • 适合于并联和级联不发生灾难性的事故 • 可靠性高 • 结构紧凑 • 允许紧凑和模块化设计 • 减少电缆互连线器件设计模块设计上页下页返回表1.1 典型开关元件的特性归纳

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 GTO是将数千个分离开关元件集成在一个硅片上。由于它们可以在交流电流周期中的任意点上进行开关操作，因而在GTO的四种工作情况下都会产生损耗。 6 关断过程导通状态触发导通关断状态

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回在中等电压等级运行时，GTO的导通功率损耗很低，开关功率损耗还比较合理的。但由于GTO的非齐性（顺序的，而不是同时的）开关特性，在关断时，它需要额外增加一个吸收电路，这个吸收电路占用了器件本身一半以上的体积。因而增加了设计的复杂性和设计成本，同时也增加了功率损耗。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 7 将功率处理模块（GCT）与控制电路集成在一个封装结构内的 IGCT特点封装好的GCT可自由移动，不会出现功能丧失现象。集成门驱动电路可减少杂散电感，使设计简化。 GCT功率处理器件和控制部分一起，可减少IGCT的通态损耗，无需吸收电路，并提供了可靠的开关单元。 IGCT易于进行电气设计和机械设计，出现故障时易于更换。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回每个/所有的IGCT元件在三个方面对中等电压等级的控制运行具有改善作用 8 • 合适的开关速度。 • 在满额定电流运行的情况下，IGCT的开关速度可达到1kHz，几乎为GTO元件的四倍。 • 紧凑的逆变器设计和高可靠性。 • 在交流电器运行时所需的大部分的二极管都集成在GCT结构中。

第一章电力电子技术的基本概况 较比上页下页返回 • 在相同运行功率的条件下，IGCT比GTO和IGBT的开关频率更高，而且开关损耗更低。 • 在中等电压等级下控制相同的兆瓦级功率，并保证相同效率和可靠性的前提下， IGCT比GTO和IGBT的封装尺寸更小，费用更低。 • IGBT在中等电压等级应用时，损耗增加。在大功率应用时，需要较多的元件组成模块。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • IGCT的开关特性相当于IGBT，而导通能力则相当于GTO，但IGCT减少了成本和外围器件。 • GTO将数千个分离开关元件集成在一个硅片上， GTO在触发导通，导通状态，关断过程，关断状态都会产生损耗。 • 在中等电压等级运行时，GTO的导通功率损耗很低，开关功率损耗比较合理。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回 • 关断时，GTO需要额外增加一个吸收电路，增加了设计的复杂性和设计成本和功率损耗。 • 在满额定电流运行的情况下，IGCT的开关速度可达到1kHz，为GTO元件的四倍。 • 相控晶闸管、快速晶闸管、门极可关断晶闸管（GTO）、IGCT等都具有擎住结构，其中载流子从阳极和阴极注入。 • 普通晶闸管不能自行关断。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回双向控制晶闸管（BCT）是由在一个晶片上的两个反并联晶闸管组成，两个门极相互独立,这样能最大限度地保留大功率变流器的钳位、内部构成和设计技术等特性。光触发晶闸管（Light triggered thyristor）的发展，极大地简化了门极控制，提高了晶闸管应用在大功率、高电压中的可靠性。

第一章电力电子技术的基本概况 上页下页返回电力电子器件的前景 • 近10多年来，电力电子器件已向模块化、智能化的方向发展，它使得电力电子器件的使用变得更加简单易行，有效地减少了设备的体积、增加了系统运行的可靠性。 • 对终端用户的应用而言，国际上有许多大公司已开发出了IPM智能功率模块，目前应用最多的仍然是IGBT智能模块。

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