1 / 28

MIT Paměti

leosjuranek .cz / mit. MIT Paměti. Díl I. Mikroprocesorová technika. Téma: Paměti Předmět: MIT Ročník: 3 Autor: Juránek Leoš Ing. Verze : 12.2010. 2. . Pojmy k zapamatování. 3. . Cíl. 4. Obsah. Funkce paměti Blokové schéma paměti Vlastnosti pamětí

allistair-buck
Télécharger la présentation

MIT Paměti

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. leosjuranek.cz/mit MITPaměti Díl I

  2. Mikroprocesorová technika • Téma:Paměti • Předmět:MIT • Ročník: 3 • Autor: Juránek Leoš Ing. • Verze: 12.2010 2

  3. Pojmy k zapamatování 3

  4. Cíl 4

  5. Obsah • Funkce paměti • Blokové schéma paměti • Vlastnosti pamětí • Rozdělení dle přístupu do paměti 5

  6. Nová kapitola Paměti 6

  7. ? Paměť • Jakou funkci má paměť ? 7 Next: Blokové schéma paměti

  8. Blokové schéma paměti 8

  9. ? Blokové schéma paměti • Popište jednotlivé funkční bloky paměti. 9 Next: Vlastnosti pamětí

  10. Vlastnosti pamětí • Organizace • Kapacita • Rychlost • Přístup k datům • Energetická závislost 10 Next: Organizace paměti

  11. Organizace paměti 11 Next: Organizace paměti

  12. ? Organizace paměti • Co je to organizace paměti ? • Co je to šířka paměti ? • Kolik adres obsahuje paměť, která má počet adresových bitů 10. 12 Next: Kapacitapaměti

  13. ? Kapacita pamětí • Co je to kapacita paměti. • V jakých jednotkách měříme kapacitu paměti. • Jaké jsou větší jednotky kapacity. • Jaký je vztahmezi organizací paměti a kapacitou paměti. • Seřaďte paměti podle kapacity? • 256 x 4 bity • 128 x 1 bit • 1k x 1 bit • 64 x 8 bitů 13 Next: Rychlost paměti

  14. Rychlost pamětí • Je čas, který uplyne od změny na vstupu čtení nebo zápisu do vystavení dat na výstupu nebo zapsání dat na nastavenou adresu. 14 Next: Dělení pamětí podle přístupu k datům

  15. Dělení podle přístupu k datům • Paměť s libovolným přístupem RAM • Data jsou přístupna na libovolné adrese. Nezáleží na předchozím čtení nebo zápisu. • RAM(Random Acces Memory - paměť s libovolným přístupem) 15 Next: Paměti se sériovým přístupem

  16. Dělení podle přístupu k datům • Paměť se sériovým přístupem • LIFO (Last In-FirstOut) Data zapsaná jako poslední jsou čtena jako první. • LIFO se označuje jako zásobník. • FIFO (FirstIn-FirstOut) Data zapsaná první jsou čtena jako první. • FIFO se označuje jako fronta. 16 Next: Dělení podle možnosti zápisu

  17. Energetická závislost • Paměť pro čtení a zápis RWM (závislé) • Paměť pouze pro čtení (nezávislé) 17 Next: Paměti RWM

  18. Paměť RWM • Paměť pro čtení a zápis RWM • (ReadWriteMemory) • Doba zápisu i čtení je přibližně stejná • Odpojením napětí se uložená informace ztrácí. 18 Next: RWM podle paměťového prvku

  19. Dělení RWM podle paměťového prvku • Statická paměť • Paměťovým prvkem je klopný obvod. • Bipolární • Paměť je rychlá, má malou kapacitu a velkou spotřebu. • CMOS • Paměť má malou spotřebu. Používá se pro uložení proměnného nastavení. Napájení je zálohování baterií.0 19 Next: Paměť ROM

  20. Dělení RWM podle paměťového prvku • Dynamická paměť • Paměť je pomalejší, mé velkou kapacitu a malou spotřebu. • Paměťovým prvekemje kondenzátor. • Paměť potřebuje doplňování náboje, cykly čtení a zápisu jsou prokládány cykly obnovy. 20 Next: Paměť ROM

  21. Paměť ROM • Paměť pouze pro čtení ROM (ReadOnlyMemory) • Doba zápisu je podstatně větší než doba čtení. • Odpojením napětí data zůstávají. • Používá se jako paměť 21 Next: Dělení pamětí podle paměťového prvku

  22. Dělení ROM podle paměťového prvku • ROM – propojky realizované ve výrobě • PROM - tavné spojky ve struktuře paměti • EPROM - elektricky programovatelné opakovatelně (mažou se UV zářením) MOS tranzistor s indukovaným nábojem • EEPROM elektricky programovatelné opakovatelně (mažou se elektrickým signálem) MNOS tranzistor 22 Next: Blok paměťi

  23. Blok paměti • Vytvořte blok paměti 2Mx8bitů z bloků 512K x 4 23 Next: Blok paměti

  24. Blok paměti • Adresní prostor paměti 2M počet adres = 221 • Adresní prostor paměti 512K počet adres = 219 24

  25. Blok paměti 2M • Adresní prostor paměti 2M 512K bank0 512K bank1 512K bank2 512K bank3

  26. Blok paměti • Mapa paměti 2M 26

  27. Zásobník 5 LastInFirstOut 4 3 2 1

  28. Fronta 5 FirstInFirstOut 4 3 2 1

More Related