§2-3 双极型晶体管（三极管）

§2-3 双极型晶体管 （三极管） • 学习要点： • 三极管伏安特性及电流关系 • 三极管工作状态的判别

双极型晶体管 2-3-1 三极管的结构及分类 2-3-2 电流关系 2-3-3 伏安特性 2-3-4 主要参数 2-3-5 三极管的命名方法退出

晶体管分类——1）双极型（三极管）：内部电子、空穴同时参与晶体管分类——1）双极型（三极管）：内部电子、空穴同时参与导电 2）单极型（场效应管）：内部只有一种载流子（电子或空穴）参与导电 2-3-1 三极管的结构及分类分类—— 1）按结构分：有NPN型、PNP型 2）按材料分：有硅管、锗管三极管内部结构——两个背靠背或面对面的PN结。如下图说明：1）NPN型、PNP型符号上的区别是射极电流方向相反； 2）射极电流方向为三极管在放大状态下的实际方向； 3）NPN型、PNP型欲处于放大状态，所需外加偏置电压不同。

(a)PNP型结构与符号 (b)NPN型结构与符号

(a)共发射极 (b)共基极 (c)共集电极 2-3-2 电流关系 1.三极管的三种连接组态 2.三个电极上的电流关系—— IE=IB+IC并且 IE>IC>> IB（注：三种组态均适用）＝β、IE= IB+IC=（1+β）IB（注：仅适于共射、共集）其中：β——为三极管的参数之一，称“电流放大系数”

3.三极管工作在放大状态的条件—— NPN型：发射结正偏（uBE>0），且集电结反偏（uCE>0或uCB<0）用电位判别 UC>UB>UE即：集电极电位最高、射极最低基极处于中间 PNP型：发射结正偏（uBE<0）, 且集电结反偏（uCB<0）用电位判别 UE>UB>UC即：射极电位最高、集电极最低基极处于中间例1.已知图示三极管中的偏置，试判断哪个处于放大状态？ (见黑板) 例2.某放大电路已知三极管三个极分设为1、2、3，现测得它们对地的电位依次为-8V、–3V、–3.2V，试判别各管脚名称，并说明是NPN型还是PNP型、是硅管还是锗管。(见尾页)

2-3-3 伏安特性 1.输入特性—— iB＝f(uBE)|uCE＝常数

死区电压Uth(on)——硅管Uth(on)≈0.5V、锗管Uth(on)≈0.1V死区电压Uth(on)——硅管Uth(on)≈0.5V、锗管Uth(on)≈0.1V 导通管压降UBE(on)——硅管UBE(on)≈0.7V、锗管UBE(on)≈0.2V 管子一旦导通则UBE(on)≈0 2.输出特性—— iC＝f(uCE)∣iB=常数

1)截止区( ) ——条件：uBE < Uth(on)(死区电压)、零偏或反偏特点：iB=0时→ iC≈0、uCE较大→ C、E间相当于开路; 2)饱和区( )——条件：uBE > Uth(on)，但饱和、放大的判别相对复杂，见书P53; 特点：无论iB为何→iB、iC失去控制关系，且 uCE很小→C、E相当于短路; 3)放大区( )——条件：同上特点：iC受iB控制，且＝β为常数（线段平行、等间距）、与uCE无关。 2-3-4 主要参数

1.电流放大系数——β：在共射、共集电路中存在1.电流放大系数——β：在共射、共集电路中存在：在共基电路中存在两者关系： <1 2.极间反向电流——ICBO:反向饱和电流 ICEO：穿透电流两者关系：ICEO=（1+β）ICBO (它们越↓→热稳定性越好) 3.极限参数——ICM：集电极最大允许电流 PCM：集电极最大允许功耗 U(BR)CEO、U(BR)CBO、U(BR)EBO：反向击穿电压，以保证集电结不被击穿 2-3-5 三极管的命名方法 ——见书P57

例2.在放大电路中的某三极管三个极分设为1、2、3，现测得它们例2.在放大电路中的某三极管三个极分设为1、2、3，现测得它们对地的电位依次为– 8V、–3V、–3.2V，试判别各管脚名称，并说明是NPN型还是PNP型、是硅管还是锗管。解：已知三极管在放大状态，必然满足电位关系，且基极电位处于三者之中间值，所以，UB = –3.2V(3脚为b)；导通时UBE(ON)≈0.7V（或0.3V），由此确定 UE = –3V（2脚为e）并且是锗管；进一步得到 : UC = – 8V（1脚为c）；因为满足 UE>UB>UC，故为PNP型课后小结——见黑板

课前复习及提问： 1. 二极管符号、正向特性、反向特性、如何使用？ 2.稳压管正常工作条件（加压方法）。思考题：P57 1、2（改：只回答特点）作业题：P57 3、4、5（改：判别哪只工作在放大状态）预习：单极型晶体管

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