1 / 12

1 、发射极开路，基极 - 发射极反向击穿电压，记为 BV CBO

§3-5 晶体管的反向特性. 1 、发射极开路，基极 - 发射极反向击穿电压，记为 BV CBO. BV CBO 即为集电结的雪崩击穿 电压，当 M → ∞ 时的集电结电压 。. 已知 PN 结的雪崩倍增因子 M 可以表示为：. 它表示进入势垒区的原始电流经雪崩倍增后放大的倍数。. 在工程实际中常用下面的经验公式来表示当已知击穿电压时 M 与外加电压之间的关系：. S = 6 (PN + ). S = 2 (PN + ). 锗 PN 结 :. 硅 PN 结 :. S = 4 (P + N). S = 3 (P + N).

darena
Télécharger la présentation

1 、发射极开路，基极 - 发射极反向击穿电压，记为 BV CBO

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. §3-5晶体管的反向特性 1、发射极开路，基极-发射极反向击穿电压，记为BVCBO BVCBO即为集电结的雪崩击穿 电压，当M→ ∞ 时的集电结电压。 已知 PN 结的雪崩倍增因子 M 可以表示为： 它表示进入势垒区的原始电流经雪崩倍增后放大的倍数。

  2. 在工程实际中常用下面的经验公式来表示当已知击穿电压时 M 与外加电压之间的关系： S = 6 (PN+) S = 2 (PN+) 锗PN 结: 硅PN 结: S = 4 (P+N) S = 3 (P+N) 共基极连接对基极-发射极反向击穿电压的影响。 IE IC E N+ P N C - VBC + B B

  3. 输入电流越大，基极-集电极雪崩击穿电压越小：输入电流越大，基极-集电极雪崩击穿电压越小： 对于晶体管，在共基极接法的放大区中， ， 当发生雪崩倍增效应时， 成为：

  4. P N N 当 时，即 时， ，将此关系代入M式中，得： 2、基极开路，发射极-集电极反向击穿电压，记为BVCEO BVCEO ?

  5. 曲线中有时会出现一段 负阻区。图中， VSUS 称为维持电压。 IC 负阻区 ICEO VCE 0 VSUS BVCEO 原因： 在击穿的起始阶段电流还很小， 在小电流下变小，使满足击穿条件 的 M 值较大，击穿电压 BVCEO 也就较高。随着电流的增大， 恢复到正常值，使满足 的M值减小，击穿电压也随之下降到与正常的 与 值相对应的 ，使曲线的击穿点向左移动，形成一段负阻区。

  6. 雪崩击穿对共发射极输出特性曲线的影响：

  7. 思考题：发射极与基极间接有一定外电路时的C-E之间得 击穿电压 晶体管的各种偏置条件 BVCES基极对发射极短路时的C-E间的击穿电压 BVCER基极接有电阻RB时的C-E间的击穿电压 BVCEX基极接有反向偏压时的C-E间的击穿电压 各种击穿电压的大小关系BVCEO< BVCER< BVCEX< BVCES< BVCBO

  8. 3、发射结击穿电压 集电极开路（IC = 0），发射极与基极之间加反向电压时的 IE记为 IEBO ， 使IEBO→ ∞时的发射极与基极间反向电压记为BVEBO。 在通常的晶体管中，NE > NB > NC ， 故 BVCBO取决于NC， BVEBO 取决于NB, 且 BVCBO >> BVEBO 。

  9. 4、基区穿通效应 1）基区穿通电压 当集电结上的反向电压增大到其势垒区将基区全部占据， WB’ = 0 时， IC将急剧增大，这种现象称为 基区穿通，相应的集电结反向电压称为 穿通电压，记为Vpt 。 N P N 0 WB

  10. ●穿通电压 VPT的计算的计算： 集电结基区一侧的空间电荷区宽度等于基区宽度时 忽略Vbi 防止基区穿通的措施：提高WB和NB，这与防止基区宽变效应一致，与提高电流放大系数相矛盾。 2)基区穿通时的 BVCBO 基区穿通时的 BVCBO与Vpt是否相等？为什么？

  11. = + = V V V , V V V , 正偏，当发生穿通时， CE CB BE BE CB pt V V 因此只要 稍微增加一点，当 达到开启电压时， CE BE 就会发生电流急剧增加 的现象，产生击穿。 在进行BVCBO的测试时，发射结上存在浮空电势，它使其反偏，发生穿通时，由于发射结反偏，所以并未发生击穿，直到发射结达到击穿电压才发生击穿。 3)基区穿通时的 BVCEO 防止基区穿通的措施 ：增大 WB 与 NB。这与防止厄尔利效应的措施相一致，但与提高 放大系数 α与 β的要求相反。

  12. 在平面型晶体管中，NB > NC，势垒区主要向集电区扩展，一般不易发生基区穿通。但可能由于材料的缺陷或工艺的不当而发生局部穿通。 IC VCE 0 Vpt VSUS

More Related