1 / 17

Difusiooniprotsessid tahketes kehades

Difusiooniprotsessid tahketes kehades. 6. DIFUSIOONIPROTSESSID TAHKETES MARERJALIDES. . 6.1 . Sissejuhatus 6.2 . Aatomdifusioon tahketes materjalides 6.3 . Difusiooni vakantsmehhanism. 6.4 . Võrevaheline difusioonimehhani 6.5 . Statsionaarne difusioon

elam
Télécharger la présentation

Difusiooniprotsessid tahketes kehades

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Difusiooniprotsessid tahketes kehades

  2. 6. DIFUSIOONIPROTSESSID TAHKETES MARERJALIDES . 6.1. Sissejuhatus 6.2. Aatomdifusioon tahketes materjalides 6.3. Difusiooni vakantsmehhanism. 6.4. Võrevaheline difusioonimehhani 6.5. Statsionaarne difusioon 6.6. Mittestatsionaarne difusioon 6.7. Difusioonikiirust mõjutavad faktorid 6.7.1. Temperatuuri mõju  6.8. Kokkuvõte

  3. 4.3. Cu-Ni metallide paar: algolek ja olekpärast difusiooni

  4. 4.4. Difusiooni põhimõisted Difusioon on materjali ülekanne, mis põhineb aatomite liikumisel materjalis. Energia hulka, mida aatomid peavad omama üle kõigi aatomite keskmise energia, et osa võtta difusioonist, nimetatakse difusiooni aktivisatsioonienergiaks E*. Nende kõrgema energiaga osakeste arv on avaldatav nn. Bolzmani valemiga

  5. 4.5. Aktivatsioonienergiamõiste

  6. 4.6.6.2 Aatomdifusioon tahketes materjalides • Et aatom saaks liikuda võres, peavad olema täidetud 2 tingimust: • aatomi kõrval peab olema tühi koht (vakants) võres, kuhu aatom võiks asetuda; • aatomi energia peab olema küllaldane, et lõhkuda sidemed enda kõrval asuvate aatomitega ja ületada mõningane võremoonutus, mis on seotud selle asukoha vahetusega

  7. 4.7. Aatomite difusioon kristallvõres (a) ja sellega seotud aktivatsioonienergia (b)

  8. 4.8.Difusiooni vakants (a) ja võrevaheline (b) mehhanism

  9. 4.9. Tasakaalne difusioon

  10. 4.10. Aatomite tasakaalne difusioon kontsentratsiooni gradiendis

  11. 4.11.6.5 Statsionaarne (tasakaalne) difusioon

  12. 4.12. Mittestatsionaarne difusioon

  13. 4.13.6.6 Mittestatsionaarne difusioon

  14. 4.14.6.7. Difusioonikiirust mõjutavad faktorid Difusioonikiirus tahkes kehas sõltub difundeeruva osakese suurusest, difusiooni mehhanismist, temperatuurist ja aine kristallmodifikatsioonist. 6.7.1 Temperatuuri mõju D = D0 e-Q/RT

  15. 4.15. Difusiooni temperatuursõltuvus

  16. Kriteeriumid, mis määravad ära lisandi asendusliku defektina lahustumise astme . 11. aatomi suuruse faktor - märgatav lahustumine võib esineda vaid siis, kui põhiaine ja lisandi aatomite raadiused ei erine rohkem kui 15%. Vastasel juhul peab lisandvõõrdefekti tekkel kristallvõre moonduma, mis aga viib uue faasi tekkele. 22.  elektronegatiivsuse faktor - mida elektropositiivsem on üks ja elektronegatiivsem on teine element, seda suurem on võimalus, et toimub intermetalse ühendi moodustumine selle asemel, et moodustuks tahke lahus; 33. asendatava ja asendava aatomi valents - kui kõik muud faktorid on samad, siis suurema valentsiga metall lahustub põhiaines paremini kui asendatavast elemendist väiksema valentsiga metall; 44.  struktuuri faktor - tahke lahuse tekkeks peavad asendatav ja asendav metall omama sama või lähedast kristallstruktuuri.

More Related