1 / 27

HF SSB PA-trin

Agenda. Kort Pr

emily
Télécharger la présentation

HF SSB PA-trin

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


    1. HF SSB PA-trin ved OZ2ACV Jens

    3. Thrane & Thrane og SP Radio

    4. Thrane & Thrane lborg HF SSB, 150W til 500W VHF og UHF

    5. Thrane & Thrane er ogs

    6. PA trin overordnet Tre forstrker trin 5 mW ind, 250W ud 47 dB power gain Lavpas filtre, Diplexer til afsluttelse af 3. harmonisk -43dB harm. dmpning SWR beskyttelse ALC power kontrol Vcc = 24 V (21.6 31.2 V) Ipa = 20A Push-pull udgang og driver

    7. PA Blokdiagram

    8. Klasse A forstrker

    9. Klasse AB forstrker Klasse AB Klasse AB

    10. Gain Fordeling

    11. Mling p et PA trin

    12. To tone test signal

    13. Undg at presse dit PA trin

    14. Unsket Sender Udstrling

    15. Teori om Intermodulation

    16. Bipolr, MOSFET og RR

    17. IMD Opsummering Kunsten i SSB PA design er at opn mindst mulig Intermodulation ved hjest mulig Power. IMD opstr pga. ulinearitet Linearitet ndvendig fordi vi krer SSB IMD giver splatter p nabokanalerne IMD giver forvrnget modulation IMD ved en given Power giver et ml for PA trinnets ydevne Snak aldrig om SSB PA power uden at nvne ved hvilken IMD

    18. Hvordan opns hj power og god IMD Det er det vi skal snakke om resten af foredraget Tilpas valg af udgang og driver transistorer, Vlg ikke for sm transistorer til opgaven Vlg en passende Vcc afhngig af nsket power Transistor tilbagekobling IMD fra bagved liggende trin skal vre bedre end IMD for efterflgende trin Bias spnding under kontrol, evt softbias. Softbias og bnd afhngig bias Lav tab i trafo og lavpasfiltre Ingen form for selvsving God termisk kling

    19. Power og IMD forbedringer

    20. Trafoerne hvorfor sidder de der Effekt tilpasning p udgang, 50 ohm til Rcc Impedanstilpasning p indgang, 50 ohm til Zbb Interstage match i fler-trins PA Husk at frekvenskompensere trafoen

    21. Trafo frekvensgang

    22. Udgangs trafoer Effekt og Z tilpasning

    23. Kernematriale til Bredbndstrafoer Ferrit anvendes. Kernematriale skal forsvinde ved stigende frekvens. Kobling mellem primr og sekunder ved hje frekvenser sker uden hjlp fra ferritten. Max flux m ikke overskrides, medfrer mtning. Curie temperatur m ikke overskrides (210 grader Permax 54).

    24. Beregninger p kernematriale

    25. Udgangs filtre Undertrykker harmonisk udstrling Justres i produktionen Diplexer til afsluttelse af 3. Harm kan forbedre PA performance. Lige harmoniske dvs. 2, 4, 6 osv er udbalanceret i udgangs trafoen. Undertrykker ikke drligdomme som IMD, selvsving og spurious.

    26. Lavpas filtre

    27. Valg af Toroider og kondensatorer Hav styr p tab og max kerne flux. Hav styr p Kerne temp. Brug et simulerings program til at beregne max spnding og strm i kondensatorer. MICA kondensator er bedst men dyrest. Lavpris KCK benyttes i stor udstrkning i amatr og professionelt udstyr

    28. Valg af Udgangs transistorer MOSFET eller BJT, matched pair. 12V, 24V eller 48V. Mske endda 100V MOSFET! . Udvalget er ikke ret stort. Kun nyudvikling indenfor MOSFET. Frekvenser hjere end 6m, overvej MOSFET. Vlg hj spnding, til high power PA. Efter hnden er der ved at komme lavpris MOSFET. Ellers indtil nu langt det billigste at vlge Bipolr. Termisk modstand, junction til case s lav som muligt. Stabilitet ikke s let med MOSFET som med BJT.

    29. MOSFET versus BJT MOSFET Kan g hjere op i frekvens Hjere orden IMD meget bedre Temp. sporing ikke s kritisk Simpel Bias Hj 2. Harmonisk Strrer tendens til selvsving BJT Lav pris: Watt/kr. Termisk runaway skal forhindres Lav 2. harmnisk Lille tendens til selvsving IMD stiger ved lav power Anbefales til amatr byggeprojekter

    30. Bias Kredslb BJT Forsyner biasstrm til driver og PA. Vbias = 0.7 V. Indstilling af Bias potmeter vigtig for IMD performance. Sproring kredslb i termisk kontakt med PA transistorer. Sikre tilfredstillende IMD over fra 15 grader til + 55 grader. Sikre tilfredstillende IMD ved kontinuert TX i 15 minutter Forhindre termisk runaway. Dvs. skrue ned for Bias stigende temperatur Over et bredt frekvens omrde kan man med fordel ndre bias

    31. Bias MOSFET

    32. Beskyttelses kredslb Max Temperatur SWR beskyttelse Max udgangseffket Max strm i PA transistorer Max spnding over PA transistorer

    33. PA Kling

    34. Enkelt trins PA trin Overkommelig byggeprojekt Low cost udgangs transistorer i sm PA Kun et trin 5W ind 30 W ud Godt trin at Starte med

    35. Sprgsml og tak for iaften

More Related