半导体二极管

1. 半导体二极管 • 1、半导体 • 2、二极管的结构及符号 • 3、二极管的外形 • 4、二极管的分类 • 5、二极管的型号命名方法 • 6、二极管的特性 • 7、二极管的伏安特性 • 8、 二极管的主要参数

2. 半导体二极管 • 1、半导体：导电能力介于导体和绝缘 体之间，具有掺杂性、热敏性和光敏性，有P型半导体和N型半导体。 PN结：将N型和P型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体交界处会出现特殊薄层，叫做PN结。

3. P N PN结 PN结的特性： PN结两端加正向电压（PN结的P区与电 源的正极连接，N区与电源的负极连接，如图 1）时， 电路中有电流。加反向电压（ PN结 的P区与电源的负极连接， PN结的N区与电

4. P N 源的正极连接,如图2）时，电路中几乎无电流。这种特性称为PN结的单向导电性。 图1

5. P N 图2 2、二极管的结构及符号 半导体二极管又称晶体二极管，它是由 管芯（主要是PN结）、从P区和N 区分别焊

6. A 正极 K 负极 • 出的两根金属线——正、负极以及将它们 • 封装起来的外壳组成。符号如下： 3、二极管的外形（实物展示） 4、二极管的分类： 按半导体材料的不同分为：硅管和锗管。

7. 按PN结面积分：点接触型（电流小，高 频应用）、面接触型 （电流大，用于整流）。 按用途分；①整流二极管：把交流电变 成直流电的二极管。 ②稳压二极管：利用反向击 穿特性进行稳压的二极管。 ③发光二极管：电能转变成光 能的二极管。

8. ④光电二极管：将光信号转变为电 信号的二极管。 ⑤变容二极管：能改变PN结电容量的 二极管。

9. 按外壳封装材料可分为：玻璃壳二极管、塑料封装二极管、金属封装二极管、大功率螺栓状金属壳二极管、微型二极管、片状二极管。按外壳封装材料可分为：玻璃壳二极管、塑料封装二极管、金属封装二极管、大功率螺栓状金属壳二极管、微型二极管、片状二极管。

10. 5、二极管的型号命名方法：国产二极管的 型号命名由五部分组成： 第一部分用数字“2”表示二极管， 第二部分用字母表示材料， 第三部分用字母表示类型， 第四部分用数字表示序号， 第五部分用字母表示规格。

11. 2 * * * * 规格（字母） 序号（用数字表示） 类型（字母表示） 材料（用字母表示） 二极管

12. 二极管型号的意义

13. 6、二极管的特性：单向导电性。二极管的核心部分是PN结，PN结具有单向导电性，二极管也具有单向导电性。6、二极管的特性：单向导电性。二极管的核心部分是PN结，PN结具有单向导电性，二极管也具有单向导电性。 • 7、二极管的伏安特性 〈1〉正向特性： 当二极管两端加的正向电压从零开始 增大时，开始时，正向电流很小，几乎

14. 为零。二极管呈现很大的电阻，如OA段，通 常把这个范围称为死区，相应的电压成为死 区电压。 硅管的死区电压约为0.5V左右（锗 管约为0.1V-0.2V）。外加电压超过死区电压以后，正向电流开始出现，直到等于导通电

15. 压，正向电流迅速增加，这时二极管处 于正向导通状态。如图中BC段，硅管的 导通电压约为0.6V-0.7V，常取0.7V（锗 管死导通电压约为0.2V-0.3V，常取 0.3V）。

16. 正向电流I /mA 正向特性C 30 死区电压 20 10 A VBR -40 -30 -20 -10 0 B 0.5 1 V/V D O E 反向特性 反向电流I /A

17. 〈2〉反向特性： 当给二极管加反向电压时，形成的反向电 流很小的，而且在很大的范围内基本不随反 向电压的变化而变化，故称为反向饱和电 流，如OD段。若反向电压不断增大，当大到 一定数值时，反向电流会突然增大，如DE段。 这种现象称为反向击穿，相应的电压称为反

18. 向击穿电压。普通二极管正常使用时，是不 允许出现这种现象的。 从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极 管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻 不是常数，所以二极管属于非线性器件。 8、 二极管的主要参数 〈1〉最大整流电流IF ：指二极管长时间工

19. 作时允许通过的最大直流电流。使用二极管 时，应注意流过二极管的正向最大电流不能 大于这个数值（它是二极管极限参数），否 则可能损坏二极管。 〈2〉最高反向工作电压VBR：指二极管正 常使用时所允许加的最高反向电压。使用中

20. 如果超过此值，二极管有将被击穿的危险。 最高反向工作电压一般可取到反向击穿电压的一半。 作业： 请思考：二极管是怎样命名的？具有什么样的特性？有那些主要参数？