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2-2 位错. 一、 位错的基本类型和特征 (一)位错理论的提出 晶体的理论切变强度 约为 G / 30 G 为切变弹性模量 ( 10 3 ~ 10 4 MPa ) 晶体的实际切变强度 约为 1~10 MPa. 晶体的滑移过程 a— 未滑移 ; b— 滑移中. 2-2 位错. 晶体滑移与位错 的形成. 已滑移区与未滑移区的界限,即定义为位错 。. 2-2 位错. (二)两种基本位错 根据位错的几何结构 特征可分为两种基本类型
E N D
2-2 位错 一、位错的基本类型和特征 (一)位错理论的提出 晶体的理论切变强度 约为 G / 30 G为切变弹性模量 (103~ 104 MPa) 晶体的实际切变强度 约为1~10 MPa
晶体的滑移过程 a—未滑移; b—滑移中 2-2 位错 晶体滑移与位错的形成 已滑移区与未滑移区的界限,即定义为位错。
2-2 位错 (二)两种基本位错 根据位错的几何结构 特征可分为两种基本类型 即刃型位错和螺型位错。 1. 刃型位错 (1)结构模型
刃型位错线 2-2 位错 刃型位错的原子模型
2-2 位错 (2)结构特点 1)刃型位错有一个多余半原子面。 2)刃型位错线与形成位错的晶体滑移矢量垂直。 3)刃型位错是以位错线为中心轴半径为2~3个原子间 距的一个圆筒状区域。 4)刃型位错有正、负之分。
2-2 位错 2.螺型位错 (1)结构模型
2-2 位错 螺型位错线附近上、下两层原子面间原子移动情况
2-2 位错 (2)结构特点 1)无多余半原子面,而且与位错线垂直的面为一螺旋面。 2)螺型位错线与形成位错的晶体滑移矢量平行。 3)螺型位错也是一个圆筒状区域,其直径一般为3~4 个原子间距。 4)螺型位错有左、右之分。
2-2 位错 二、柏氏矢量 (一)柏氏矢量及其确定 1. 柏氏矢量:形成一个位错的晶体滑移矢量。 2. 柏氏矢量的确定方法 通过围绕位错作柏氏回路的方法确定改该位错 的柏氏矢量。
o y x 2-2 位错 刃型位错柏氏矢量的确定 a—实际晶体的柏氏回路 b—完整晶体的相应回路
2-2 位错 螺型位错柏氏矢量的确定
2-2 位错 (二)柏氏矢量的表示方法 1. 柏氏矢量的表示方法 2. 位错强度 [uvw]
2-2 位错 (三)柏氏矢量的守恒性及其物理意义 1. 柏氏矢量的守恒性 不论所做柏氏回路的大小、形状、位置如何变化, 怎样任意扩大、缩小或移动,只要它不与其他位错线 相交,对给定的位错所确定的柏氏矢量是一定的。 一定位错的柏氏矢量是固定不变的,这一特性叫 做柏氏矢量的守恒性。
2-2 位错 2. 柏氏矢量守恒性的推论 1) 同一条位错线上各点处的柏氏矢量均相同。 2) 若数条位错线相交于一点(称为位错结点),则指向 结点的各位错线的柏氏矢量之和应等于离开结点的各位错线 的柏氏矢量之和。 3) 位错线不可能中断于晶体内部。即位错在晶体内部或 自成一个闭合的位错环,或与其他位错相交于一个结点, 或贯穿整个晶体而终止于晶体表面。
2-2 位错 3. 柏氏矢量的物理意义 (1)柏氏矢量是位错区别于其它晶体缺陷的一个特征。故可 把位错定义为柏氏矢量不为零的晶体缺陷。 (2) 柏氏矢量与位错线之间的关系决定位错类型: 1)柏氏矢量与位错线垂直时,是刃型位错,其位错线可以 是任意形状的平面曲线(可以是直线,也可以是折线或曲线)。 2)柏氏矢量与位错线平行时,是螺型位错,其位错线必定 为一直线。 3)柏氏矢量与位错线既不垂直也不平行时,是混合位错。
b刃 b螺 t t t t t 2-2 位错
2-2 位错 4. 混合位错
2-2 位错 思考题: 1. 指出刃型位错与螺型位错在结构方面的不 同之处。 2. 一个环形位错能否各部分均为刃型位错或 螺型位错?为什么?
2-2 位错 三、位错的运动 位错的运动方式有两种最基本形式,即滑移和攀移。 (一)位错的滑移 1. 有关概念 (1)位错滑移:位错沿着由位错线和柏氏矢量所决定 的面的运动。 (2)位错的滑移面 可滑移面:平行于位错线和柏氏矢量的面。 易滑移面:晶体的最密晶面。
2-2 位错 2. 位错的滑移机制和实质 (1)滑移机制 (2)位错滑移的实质:已滑移区的扩大或缩小
刃型位错的滑移与晶体滑移 2-2 位错 3. 位错的滑移方向 位错线的法线方向(垂直于位错线的方向)。 4. 位错滑移与晶体滑移
螺型位错的滑移与晶体滑移 混合位错的滑移与晶体滑移 2-2 位错 晶体的滑移方向为位错柏氏矢量方向,滑移量大小为|b|。
2-2 位错 (二)位错的交滑移 1. 位错交滑移:保持晶体的滑移方向不变,位错从原 滑移面转移到与之相交的另一个滑移面上继续滑移。 2. 位错交滑移的条件 螺型位错除可发生滑移外,也可以发生交滑移。 螺型位错交滑移前后的两个滑移面必须属于以螺型位 错柏氏矢量所在晶向为轴的晶带。
3. 螺型位错的交滑移过程 a b c a—沿A面滑移; b—交滑移到B面; c—再次交滑移到A面 2-2 位错
2-2 位错 (二)位错的攀移 1. 基本概念 位错在垂直于滑移面方向上运动,或离开滑移面的运 动,或沿着多余半原子面的运动。 刃型位错除可发生滑移外,也可发生攀移。
2-2 位错 2. 位错攀移的机制 刃型位错的攀移 a — 正攀移; b — 未攀移; c — 负攀移
2-2 位错 3. 位错攀移的实质 多余半原子面面积的扩大或缩小。 4. 影响位错攀移的因素 (1)作用于刃型位错多余半原子面上的正应力: 有助于刃型位错的攀移。 (2)温度: 高温有助于刃型位错的攀移。
2-2 位错 思考题: 1. 面心立方晶体中(111)晶面上的螺型位错 在滑移过程中受阻时,将通过交滑移 转移到哪一个{111}晶面上继续滑移?为什么? 2. 何谓位错滑移与攀移?其实质各是什么?
2-2 位错 四、位错的交割 (一)基本概念 林位错:穿过某一晶面S的所有位错即称为S面的 林位错。 位错交割:位错间交叉通过的行为。 交割位错 被交割位错(原位错)
交割前 交割后 2-2 位错 扭折线段:为一段位错。 扭折:随原位错滑移可消失。 割阶:随原位错滑移不可消失。 可动割阶(滑移割阶) 不动割阶(攀移割阶)
2-2 位错 (二)几种典型的位错交割 1. 位错交割的分析方法 1)位错被交割后是否形成扭折线段? 被交割位错是否变成折线 2)扭折线段是扭折还是割阶? 扭折线段的滑移面与被交割位错的滑移面重合为扭折, 不重合(通常呈垂直关系)则为割阶 3)割阶是可动割阶还是不动割阶? 割阶的滑移方向与被交割位错的滑移方向平行为可动 割阶,不平行(通常呈垂直关系)则为不动割阶
2-2 位错 2. 两个柏氏矢量和位错线均互相垂直的刃型位错间的交割 交割前 交割后
2-2 位错 3. 柏氏矢量互相平行、位错线互相垂直的刃型位错间的交割 交割前 交割后
交割前 交割后 2-2 位错 4. 柏氏矢量互相垂直的刃型与螺型位错间的交割
交割后 交割前 D 2-2 位错 5. 柏氏矢量互相垂直的螺型位错间的交割
B b O O A 2-2 位错 (三)带割阶的螺型位错运动 1. 带小割阶的螺型位错运动 割阶高度为1~2个原子间距
D D b b P P P O O O C C 2-2 位错 2. 带中等尺寸割阶的螺型位错运动 割阶高度为几个~20个原子间距
M b S1 O O S2 N 2-2 位错 3. 带大割阶的螺型位错运动 割阶高度为20~30个原子间距
2-2 位错 思考题: 1. 何谓位错交割? 2. 分析柏氏矢量互相垂直的两个刃型位错的 交割过程。
2-2 位错 五、位错的形成与增殖 (一)位错密度 1. 概念 单位体积晶体中所含有的位错线的总长度。 2. 数学表达式 (单位为 1/cm2)
2-2 位错 经精心制备和处理的超纯金属单晶体,位错密度 可低于103 1/cm2; 经充分退火的多晶体金属晶体中,位错密度约为 106~108 1/cm2 ; 经过剧烈冷变形的金属晶体,其内部的位错密度 可高达1010~1012 1/cm2。
2-2 位错 (二)位错的形成 位错形成途径: (1)在晶体凝固过程中形成。 (2)由晶体在凝固后的冷却 过程中产生的局部内应 力所造成。 (3)由空位聚集而形成。
b b A B A B A B A B A B 2-2 位错 (三)位错的增殖 增殖位错的地方称为位错源。 1. 弗兰克瑞德(Frank Read)位错增殖机制 双边U形平面F-R源
2-2 位错 Si单晶中的F-R源(以Cu沉淀缀饰后用红外显微镜观察)
2-2 位错 2. 双交滑移位错增殖机制