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NANOMAGNETISMO y ELECTRONICA DE ESPIN

NANOMAGNETISMO y ELECTRONICA DE ESPIN. Laura B. Steren Depto. FISICA de la MATERIA CONDENSADA Centro Atómico Constituyentes, S.M. TEMAS DE INVESTIGACION DEL GRUPO. EFECTOS de CONFINAMIENTO sobre las PROPIEDADES ELECTRONICAS y MAGNETICAS de NANOESTRUCTURAS MAGNETICAS

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NANOMAGNETISMO y ELECTRONICA DE ESPIN

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  1. NANOMAGNETISMO y ELECTRONICA DE ESPIN Laura B. Steren Depto. FISICA de la MATERIA CONDENSADA Centro Atómico Constituyentes, S.M.

  2. TEMAS DE INVESTIGACION DEL GRUPO • EFECTOS de CONFINAMIENTO sobre las PROPIEDADES ELECTRONICAS y MAGNETICAS de NANOESTRUCTURAS MAGNETICAS • EFECTO TUNEL POLARIZADO EN ESPIN y FILTROS DE ESPIN Nuevas estrategias para el diseño y fabricacion de dispositivos magnetoresistivos. NUEVOS EFECTOS, CONSECUENCIA DEL CONFINAMIENTO Y FABRICACION DE NANOESTRUCTURAS ARTIFICIALES!!

  3. 5x5mm2 MnAs: miniaturizacion a escala micro NANOESTRUCTURAS UNICAS = Anisotropia en la estructura de dominios magneticos = Comportamiento en funcion de T y campo magnetico = Dinamica de paredes de dominio ARREGLOS EN GRANDES SUPERFICIES

  4. I+ VH V+ VH V- I- Film de MnAs Dependencia en temperatura de sus propiedades magneto-electricas A resolver: *Mecanismo de transporte balistico/difusivo *Polarizado en espin? *Tipo y cantidad de portadores *Efectos bordes/interfases? efecto HALL MAGNETO- RESISTENCIA

  5. JUNTURAS TUNELEspaciador aislante entre dos electrodos metalicos Con electrodos magnéticos, el efecto depende del arreglo relativo de las magnetizaciones de la muestra DESAFIOS EXPERIMENTALES: FABRICACION DE JUNTURAS 1- CRECIMIENTO DE MUESTRAS 2- NANOESTRUCTURACION Preguntas: *Rol de la barrera e interfaces *Polarizacion en espin de las interfaces *Eficiencia juntura

  6. DESPLAZAMIENTO DE PAREDES DE DOMINIOS POR INYECCION DE CORRIENTE ELECTRICA ANILLOS I+ V+ V- I- SEM IMAGE CMA (UBA) NOSOTROS: 300 nm HILOS 62 nm Preguntas: *Paredes de dominios: geometria de anclaje (defecto), efectos de borde y tamaño…. * Dinamica de paredes de dominio, dependencia en campo magnetico, corriente electrica y anclajes – tiempos caracteristicos, etc.

  7. METODOLOGIA MAGNETISMO - A nivel local: microscopia de fuerza magnetica. f(T,H) - A nivel bulk: magnetometria SQUID o VSM - Simulaciones TRANSPORTE ELECTRICO - A nivel local: mapeo de conductancia = CAFM - En general: medidas de magnetoresistencia y efectoHall en funcion de temperatura y campo magnetico DISEÑO Y FABRICACION DE DISPOSITIVOS - Crecimiento por sputtering - Litografia electronica y optica - Grabado por ataque ionico inerte o reactivo

  8. GRUPO CAB- CAC Gabriela Alejandro (I) Enrique Kaul (I) Martin Sirena (I) Mara Granada (I) Federico Fernandez Baldis (doc) Luis Rodriguez (doc) Colaboraciones: Ana Maria Llois, CACGabriela Leyva CAC Victor Etgenes INSP, Francia Giancarlo Faini LPN, Francia Javier Briatico Thales-CNRS, Francia Laura Sterensteren@tandar.cnea.gov.ar

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