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吉林大学超硬材料国家重点实验室

吉林大学超硬材料国家重点实验室. 磁控溅射法制备氮化硼薄膜. 杨旭昕 徐洋 李柳暗 任士远 李红东* 邹广田. 2009/7/13. 引言. 氮化硼 (BN) 是一种应用极为广泛材料。氮化硼能够以 多种结构存在:即 sp 3 杂化的立方氮化硼 ( cBN ) 和纤锌矿氮化 硼 ( wBN ) , sp 2 杂化的六角氮化硼 ( hBN ) 和菱面体氮化硼 (rBN) ,以及 sp 2 和 sp 3 混合杂化的氮化硼 (eBN) ,其中 cBN 以其 优异的物理和化学性质受到人们普遍重视 , 对其合成及特性研 究十分重要。. 立方氮化硼 (cBN) 的性质.

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  1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室 磁控溅射法制备氮化硼薄膜 杨旭昕 徐洋 李柳暗 任士远 李红东* 邹广田 2009/7/13

  2. 引言 氮化硼(BN)是一种应用极为广泛材料。氮化硼能够以 多种结构存在:即sp3杂化的立方氮化硼(cBN)和纤锌矿氮化 硼(wBN),sp2杂化的六角氮化硼(hBN)和菱面体氮化硼 (rBN),以及sp2和sp3混合杂化的氮化硼 (eBN),其中cBN以其 优异的物理和化学性质受到人们普遍重视,对其合成及特性研 究十分重要。

  3. 立方氮化硼(cBN)的性质 立方氮化硼(cBN)作为一种在自然界中并不 存在的人造材料具有优异的理化特性。 • 高硬度 • 高热导率 • 高电阻率 • 抗高温氧化性 • 良好的化学稳定性 • 全光谱范围的透过性 • 既能N型掺杂,又能P型掺杂的宽禁带半导体料。 • 可应用在超硬刀具、高温电子器件和光学保护膜等领域。

  4. 立方氮化硼薄膜生长方法 通常,cBN薄膜是以特定材料为衬底在各种辅助条件下通过气相沉积方法(PVD 和 CVD)制备的。其中衬底的选择和制备工艺参数对cBN薄膜的质量有直接影响。 传统的生长方法: 利用Si 为衬底,在温度和偏压等辅助条件下生长。由于Si衬底材料与cBN晶格常数间的失配大,妨碍了 高质量的cBN膜的生长和应用。 现代的生长方法: 利用以金刚石为代表的材料为衬底,在高温﹑偏压或等离子体刻蚀等辅助条件下生长。制备出了含100%立方相 的单晶cBN薄膜,及高立方相的cBN厚膜。 如何选择衬底材料,利用简易的方法制备出高质量cBN厚膜材料 是使cBN成为适合应用的相关材料和拓宽应用领域的关键。

  5. 石墨上生长cBN膜 • 背景 石墨衬底上生长立方氮化硼并不常见,需高温条件,且 cBN 薄膜质量不高。 石墨片的最新进展。 • 研究意义:新的半导体结构 • 潜在应用: 场发射 MIS结构 欧姆触点 微波二极管、场效应晶体管、紫外光电二极管器件等。

  6. 薄膜的生长条件 衬底材料:主要为c轴取向石墨片 本底真空:2×10-3 Pa 气体比例:N2:Ar =1:6 工作气压:2 Pa 射频功率:150 W 生长时间:2 小时 没有衬底加热和偏压辅助条件下生长cBN

  7. 薄膜的定性及定量分析 图1,BN的红外光谱 图2,BN的B1sXPS光谱 主要相为 立方相 拟合结果表明 cBN含量为~90%

  8. 薄膜的形貌特征 cBN的截面SEM cBN的AFM 平均尺寸20nm 1.2mm厚膜

  9. 功率对相转变的控制 不同功率条件下得到的样品红外光谱 cBN eBN cBN eBN

  10. 薄膜在空气中的稳定性 cBN 长时间放置在空气中薄膜没有发生相变,脱落现象,说明薄膜的应力较低。

  11. 光学性质 cBN的透射光谱 可见光区透过率~ 60%

  12. cBN的光学吸收边 T = A exp (-ad) (1) d= (iC/r) (2) ahn = D(hn- Eg)n (3) 5.8eV Eg =ccEc+chEh=6.1×cc+ 4.2×(1–cc) (4)

  13. 场发射性质 电场为30 V/mm时,电流密度是2.8×10-5A/cm2, 是Si衬底生长cBN的5倍。

  14. 结论 1,制备出了1.2mm 厚纯度为90%的cBN膜。 2,cBN膜暴露在空气中很长一段时间后,没有出现裂纹、 剥落现象,说明所生长的cBN膜的应力低。 3,制备过程中,没有衬底加热和电子轰击等辅助条件参 与,降低了能量损耗和成本,提供了一种简易、低成本 制备高质量cBN膜的有效途径。 思考 “超硬”与“超软”的结合

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