1 / 21

Что такое «узкозонные» материалы?

Особенности излучательных свойств узкозонных полупроводников на примере твердых растворов PbSnSe (Te) и HgCdTe Румянцев В.В. Семинар аспирантов и студентов, 17 апреля 2014 г. Что такое «узкозонные» материалы?. III-V compounds. Atmospheric windows. phonon bands. 500. Sb based lasers. 400.

lenora
Télécharger la présentation

Что такое «узкозонные» материалы?

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Особенности излучательных свойств узкозонных полупроводников на примере твердых растворов PbSnSe(Te) и HgCdTe Румянцев В.В. Семинар аспирантов и студентов, 17 апреля 2014 г.

  2. Что такое «узкозонные» материалы? III-V compounds Atmospheric windows phonon bands 500 Sb based lasers 400 300 Peltier Temperature (K) GaAs based lasers 200 InP based lasers LN 100 2 0 100 200 2 5 50 10 20 m Wavelength ( m) 5 – 12 THz 20 – 50 meV 150 – 400 cm-1

  3. Зонная структура HgCdTe

  4. Зонная структура HgCdTe

  5. Зонная структура PbTe(Se)

  6. Зонная структура PbSnTe • Коэффициент анизотропии: • PbSnSe – 2 • PbSnTe – 10

  7. Инверсия зон При температуре жидкого гелия x ~ 0.35 x ~ 0.15 x ~ 0.168 Ширина запрещенной зоны увеличивается с ростом температуры

  8. Выводы HgCdTe PbSnTe(Se)

  9. Рекомбинация в HgCdTe Рекомбинация Шокли-Рида-Холла Время жизни ограничено снизу!

  10. Излучательная рекомбинация Предел слабого возбуждения Время жизни увеличивается с уменьшением Eg Время жизни неограниченно уменьшается с ростом накачки

  11. Оже-рекомбинация Пороговый процесс

  12. Рекомбинация в PbSnTe (Se) Оже-рекомбинация Плазмонная рекомбинация Междолинная Оже-рекомбинация tp ~ 1 ps

  13. Фотолюминесценция в PbSnTe(Se)

  14. Стимулированое излучение в PbSnTe (Se) PRL 16, 1193 (1966)

  15. Суперлюминесценция в CdHgTe

  16. Выводы • Более высокая вероятность Оже-рекомбинации • Низкий уровень остаточного легирования (1014 см-3) – плазмонная рекомбинация становится важной при высоких уровнях накачки • В гетероструктурах возможен симметричный закон дисперсии – снижается роль Оже-рекомбинации • Возможна междолинная Оже-рекомбинация • Высокий уровень остаточного легирования (1017 см-3) – плазмонная рекомбинация ограничивает характеристики длинноволновых лазеров • Технология роста гетероструктур осложнена рассогласованием постоянных решетки HgCdTe PbSnTe

  17. Спасибо за внимание!

  18. Выводы

  19. Плазмонная рекомбинация

  20. Рекомбинация • Рекомбинация Шокли-Рида-Холла • Время жизни ограничено снизу! • Излучательная рекомбинация • Время жизни увеличивается с уменьшением Eg • Оже-рекомбинация • Время жизни уменьшается с уменьшением Eg

  21. Мотивация – спектроскопия газов

More Related