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Les systèmes magnétiques pulsés de SOLEIL. Le transfert des faisceaux d’électrons entre les 3 accélérateurs nécessite des aimants pulsés d’injection ou d’extraction : Des aimants à septum en extrémité de ligne de transfert, Des aimants kickers dans le Booster ou l’Anneau,
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Les systèmes magnétiques pulsés de SOLEIL • Le transfert des faisceaux d’électrons entre les 3 accélérateurs nécessite des aimants pulsés d’injection ou d’extraction : • Des aimants à septum en extrémité de ligne de transfert, • Des aimants kickers dans le Booster ou l’Anneau, • Des bumpers lents à l’extraction du Booster. Pour de tels éléments, l’aimant constitue un composant du circuit électrique, qui détermine la forme d’impulsion (de courant, donc de champ). L’optimisation de l’aimant inclut la chambre à vide, qui est interne (aimant hors vide) ou externe (aimant sous vide). Il faut donc concevoir en même temps la chambre à vide, l’aimant et son alimentation pulsée. • La conception de tous ces Systèmes Magnétiques Pulsés a été faite par les équipes de SOLEIL, ainsi que : • toutes les spécifications techniques, • le suivi de fabrication, • - la construction des alimentations pulsées les plus délicates (HT), • - et les mesures électriques et magnétiques. • Groupes impliqués : • Alimentations et Aimants pulsés, • Ultra-vide, • Conception-Ingénierie • En relation avec les physiciens • Accélérateurs.
Cahier des charges des Systèmes Magnétiques Pulsés Spécification Physique machine Paramètres de conception Eléments Pulsés • Choix pour la conception : • Tous les switchs BT ou HT à semi-conducteurs (éviter les dérives en temps), • Tous les pulsers hors des tunnels (accessibilité à tout moment), • Chambres étuvables => aimants hors vide ouvrables, • Blindage CEM autour des aimants, transmissions et pulsers, • Traiter les problèmes thermiques, • Positionnement réglables, repères d’alignement.
Les chambres à vide céramiques des kickers • Spécifications techniques des chambres alumine • - Epaisseurs Al2O3: 6 mm Booster, 7 mm Anneau • - Tolérance rectitude et profil < 1 mm • Essais de brasure => choix alumine et brasure • Suivi des fabrications : • Contrôle dimensionnel => rejet éventuel, • Contrôle étanchéité • Dépôts de Titane : • Calculés selon rapidité du kicker • Difficulté du process • Suivi des résistances des dépôts
Les kickers rapides de l’injection et de l’extraction du Booster Switch 25 kV – 1000 A basé sur transistors MOS rapides Mis en parallèle et en série Circuit avec PFL (formeur à câbles coax) sur charge inductive (désadapté) compensée Ipeak = Ucharge/ Zc
Les kickers de l’injection de l’Anneau de stockage - 1 • Tolérances mécaniques serrées • Co-planéité des 2 platines mobiles des ferrites : < 0.2 mm • Position relative des bras de spire : 0.1 mm monté • malgré empilement pièces, et utilisation isolants plastique • Ventilation forcée distribuée tout le long chambre céramique • par buse pliée-soudée • Collaboration étroite entre BE et Alims-Aimants Pulsés • pour ajuster exigences et possibilités fabrication • Pulser 8 kV 5500 A : • - Switch HT basé sur 3 modules d’IGBTen // • chaque module :12 kV, 2400 A crête • Contraintes d’isolement • Identité entre 4 kickers impose : • faibles tolérances sur composants, • mécanique précise
Les kickers de l’injection de l’Anneau de stockage - 2 • Résultats électriques : • Jitter temporel < 1 ns, dérive non mesurable • Marges en courant et tension > 10 % • Résultats magnétiques : • Très bonne homogénéité transverse du champ, • Excellente linéarité Tension/courant/Champ Vu par le faisceau (résultats actuels) : Après réglages tension, délais, largeurs pulses identité entre 4 kickers ~ qqs 10-3du champ crête
Les aimants à septum passif (à courants de Foucault) - 1 La spire électrique est au fond du C de la culasse, et se referme derrière (attaque « passive ») La culasse est enfermée dans une boîte en cuivre qui draine les courants de Foucault : dans le plan du faisceau, ils circulent dans la lame de septum mince = 3 mm et réduisent les champs de fuite à l’extérieur Entrée • Aimants sous vide : • Matériaux Ultra-vide cuivre OFHC, inox 316 LN • Traversées ultra-vide alumine • pour connexions courant et drain thermique • Assemblage mécanique des tôles de la culasse • Isolements par dépôt alumine chouppée • Pas de fenêtre de séparation : • vide différentiel entre ligne de transfert et anneau • Pour le septum de l’Anneau : • Ajout d’un blindage Mumétal 0.5 mm tout autour de la chambre interne du faisceau stocké • - Epaisseur totale du septum de 3.5 mm Sortie
Les aimants à septum passif (courants de Foucault) - 2 Champ de fuite initial, et évolution Dans l’entrefer : homogénéité transverse du champ = +/- 5 10-3 • Hors du gap, zone du faisceau circulant ou stocké : • exigence d’un faible champ de fuite • spécialement pour l’Anneau = 12 µT.m max • Travail spécifique pour réduire le champ de fuite : • Blindage Mumétal enveloppant, • Pulses bipolaires • Résultats : < 4 µT.m soit ~10-5 du champ principal Champ de fuite final mesuré
Les septum actif (“direct-drive”) : fonction de pré-septum Dans l’entrefer : homogénéité transverse du champ = +/- 5 10-3 • Les septums actifs assurent l’essentiel de l’angle : • 110 mrad entre ligne de transfert et faisceau • => 2 culasses rectilignes, spire 2 tours • fort courant crête 7080 A nominal • l’épaisseur de septum peut être plus importante • pour assurer une fonction de pré-septum • Hors du gap, zone du faisceau circulant ou stocké : • exigence d’un faible champ de fuite • spécialement pour l’Anneau = 12 µT.m max • Travail spécifique pour réduire le champ de fuite : • Blindage Mumétal enveloppant la chambre Anneau, • Blindage Supra36 autour des culasses.
Les kickers rapides H et V pour les études machine -1 La caractérisation de l’Anneau de stockage (acceptance; résonances) nécessite de pouvoir « kicker » le faisceau dans les 2 plans (H et V) en agissant uniquement sur 1 bunch de 300 ns. La longueur disponible est beaucoup plus courte pour le Kicker V. Aimant Kicker H (similaire aux kickers injection) Aimant Kicker V (étude spécifique) Définition des chambres céramiques S’agissant de kickers à transition rapide (450 ns), il a fallu faire un calcul spécifique et des simulations thermiques pour déterminer le compromis acceptable entre temps de montée et échauffement dû au faisceau stocké. Epaisseur Titane = 0.5 µm seulement Ventilation forcée impérative.
Les kickers rapides H et V pour les études machine - 2 Même schéma que pour les autres kickers rapides mais avec des PFL d’impédances adaptées à chaque cas: KemH = 12.5 W, KemV = 8.33 W Circuits avec PFL (formeur à câbles coax) sur charge inductive compensée Ipeak = Ucharge/ Zc Mais beaucoup plus decourant : Kem H : 1400 A / 19 kV Kem V : 1500 A /14 kV(réalisé) En fait les longueurs magnétiques effectives, plus grandes que prévues, permettent de travailler un peu plus bas en courant/tension. Switch 25 kV – 2700 A basé sur transistors MOS rapides Mis en parallèle et en série
En résumé Les compétences et l’expérience disponibles dans le groupe dans le domaine des Aimants et Alimentations Pulsés couvrent : • La conception complète des Systèmes magnétiques pulsés : • Chambre à vide, Aimant, Alimentation pulsé Etudes avec BE et Vide • La spécification technique d’aimants pulsés, d’alimentation de charge, • La sélection des switchs adéquats, et des autres composants critiques, • Le choix des sous-traitants, le suivi de fabrication, les réceptions, • La définition des besoins d’interface de contrôle commande (avec la division Informatique) • La réalisation interne des alimentations pulsées les plus délicates (haute tension), • La mesure des performances magnétiques pulsées(champ local, intégrale de champ, champ de fuite) • L’amélioration des performances des aimants et des alimentations, en fonction des nouveaux besoins: Préparation de l’injection en mode Top Up, • Modification des réglages, • Modification des interfaces de contrôle • Projets nouveaux : • Collaboration avec le synchrotron SESAME, • Transfert de connaissances vers la société SIGMAPHI (en cours de définition).