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多晶矽 TFT LCD 應用

多晶矽 TFT LCD 應用. 指導老師：許進明 學 生：曾祥修 學 號： 96L0231. 大綱. 多晶矽 TFT LCD 元件結構 TFT LCD 目前技術分為 低溫多晶矽 多晶矽 TFT 薄膜製作方法 多晶矽 TFT 薄膜在元件之功能 多晶矽 TFT 薄膜的特性要求 多晶矽 TFT 薄膜的優點 參考文獻. 多晶矽 TFT LCD 元件結構. TFT-LCD 即是 thin-film transistor liquid-crystal display ( 薄膜電晶體液晶顯示器 ) 的縮寫 TFT-LCD 。. TFT LCD 目前技術分為.

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多晶矽 TFT LCD 應用

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Presentation Transcript

  1. 多晶矽TFT LCD應用 指導老師：許進明 學 生：曾祥修 學 號：96L0231

  2. 大綱 • 多晶矽TFT LCD元件結構 • TFT LCD目前技術分為 • 低溫多晶矽 • 多晶矽TFT薄膜製作方法 • 多晶矽TFT薄膜在元件之功能 • 多晶矽TFT薄膜的特性要求 • 多晶矽TFT薄膜的優點 • 參考文獻

  3. 多晶矽TFT LCD元件結構 • TFT-LCD 即是thin-film transistor liquid-crystal display (薄膜電晶體液晶顯示器) 的縮寫TFT-LCD。

  4. TFT LCD目前技術分為 • TFT LCD目前技術分為 非晶矽(a-Si TFT) 多晶矽(Poly-Si TFT) 高溫多晶矽 必須以攝氏1000度以上製程。 低溫多晶矽 600度上下製程。 準分子雷射退火法(ELA) 固相結晶法(SPC) 金屬又發結晶（MIC/MICL）

  5. 低溫多晶矽（準分子雷射） • 準分子雷射的工作物質是準分子氣體。準分子就是一種處於激發態的複合粒子，在標準狀態下，即在基態時，它處於分離狀態，而在激發態處於分子狀態。

  6. 低溫多晶矽（固相結晶） • 固相結晶技術成本最低，也是最容易使用的方式。一般的作法是將非結晶矽薄膜放在爐管中進行退火。為了得到較大的晶粒，可以改變非晶矽的沈積參數幾退火條件。

  7. 低溫多晶矽（金屬誘發結晶） • 利用金屬語系反應成介穩定的矽化合物，在矽化物移動的過程中，金屬原子的自由電子Si-Si共價鍵發生反應，降低a-Si結晶所需的能障降低，使得結晶問度降低。 退火前 退火後

  8. 多晶矽TFT薄膜製作方法 • 在玻璃基板上形成非晶矽薄膜(LP-CVD) /雷射退火形成LTPS(ELA) /圖形定義(第1道光罩) • 沉積二氧化矽作為閘極絕緣層(CVD)/濺鍍閘極金屬層/圖形定義閘極(第2道光罩) • 遮蔽N-LDD(第3道光罩)/N+ S/D離子佈植 • N-LDD (輕摻雜汲極）離子佈植 • 二氧化矽沉積/圖形定義接觸孔(第4道光罩) • 濺鍍S/D金屬層/形成S/D電極(第5道光罩)

  9. 多晶矽TFT薄膜在元件之功能 • TFT（薄膜電晶體）靠電極間電場的驅動，引起液晶分子扭轉向列的電場效應，以控制光源的透射或遮斷功能 。

  10. 多晶矽TFT薄膜在元件之功能 A A’為TFT B B’為液晶電容

  11. 多晶矽TFT薄膜的特性要求 • 多晶矽晶膜結晶晶粒尺大小要均勻與晶粒邊界數量要一致，避免電晶體元件在電特性上成生不穩。 • I.500nm S.300nm

  12. 多晶矽TFT薄膜的優點 • 低溫多晶矽與a-Si TFT最大的差異在於p-Si TFT的電晶體需進一步接受雷射回火的製程步驟，將非晶矽的薄膜轉變為多晶矽薄膜層，使得p-Si TFT在矽晶結構上較a-Si TFT來的排列有序。 • 多晶矽(Poly Si)TFT–LCD與非晶矽(a-Si)TFT–LCD特性差異大，多晶矽提升電子遷移率達200(cm2/V-sec)，反應時間快10倍以上、多晶矽電子移動速度較快使得面板厚度可縮小、多晶矽開口率高出70%以上、多晶矽可採更低功耗背光源…差異 。

  13. 參考文獻 • http://ind.ntou.edu.tw/~oesemi/new_page_24.htm • 國立成功大學 工程科學研究所 低溫多晶矽薄膜製成研究 陳毓儒 • 國立雲科 光電工程研究所 金屬誘發結晶法研製太陽電池之低溫多晶矽薄膜 劉育誠 • 東華大學材料科學與工程學系平面顯示器技術 張文固 博 士

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