SlideServe
Menu
Préférences
© SlideServe · v2026

Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники

nehru-manning avatar
8 diapositives · 341 Views · Nov 01, 2014

Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники. ИСВЧПЭ. РАН. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Директор ИСВЧПЭ РАН, П.П. Мальцев

Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники - slide 1
01 / 8Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники
1 / 17

Télécharger la présentation

Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники
Une image / un lien ci-dessous est fourni (tel quel) pour télécharger la présentation

Politique de téléchargement : le contenu du site vous est fourni TEL QUEL pour votre information et votre usage personnel ; il ne peut être vendu, concédé sous licence ni partagé sur d’autres sites sans l’accord de son auteur.Le contenu vous est fourni TEL QUEL, pour votre information et votre usage personnel uniquement. Téléchargez la présentation en cliquant sur ce lien. Lors du téléchargement, si vous ne parvenez pas à télécharger une présentation, l’éditeur a peut-être supprimé le fichier de son serveur.Pendant le téléchargement, si vous ne parvenez pas à obtenir une présentation, le fichier a peut-être été supprimé par l’éditeur.

F I N

Plus de contenu associé

Transcription de la présentation
  1. Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники ИСВЧПЭ РАН Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Директор ИСВЧПЭ РАН, П.П. Мальцев д.т.н., профессор

  2. ИСВЧПЭ РАН Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) создана в 2007 году согласно Генеральному соглашению между МГТУ МИРЭА и ИСВЧПЭ РАН от 01 ноября 2007 года.  Заведующий лабораторией - д.т.н. Белкин Михаил Евсеевич. Целью деятельности ОНИЛ СОУ является решение комплексных научных, производственных и учебных задач в области исследования, разработки, проектирования и опытного производства изделий СВЧ микро- и наноэлектроники, микро- и нанофотоники для перспективных телекоммуникационных и радиолокационных применений. 

  3. ИСВЧПЭ РАН Структурная схема оптоэлектронного генератора (ОЭГ) L. Maleki. Recent Progress in Opto-Electronic Oscillator. – Microwave Photonics International Topical Meeting, 12–14 Oct. 2005, p. 81–84.

  4. ИСВЧПЭ РАН Структурная схема связанного оптоэлектронного генератора (СОЭГ) X. S. Yao, L. Maleki, L. Davis. Coupled opto-electronic oscillators. – Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency Control Symposium, 1998, p. 540.X. S. Yao, L. Davis, L. Maleki. Coupled opto-electronic oscillator for generating both RF signals and optical pulses. – Journal of Lightwave Technology, vol. 18, 2000, p.73.

  5. ИСВЧПЭ РАН Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона Патент на изобретение № 2436141. Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона. М.Е. Белкин, Л.М. Белкин. 17.05.2010

  6. ИСВЧПЭ РАН Общий вид экспериментального образца оптоэлектронного генератора СВЧ диапазона, разработанного в ОНИЛ СОУ Государственный контракт № 14.740.11.0136 «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц» Сроки: 13.09.2010-15.11.2012 По ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг. заказчик Минобрнауки России

  7. ИСВЧПЭ РАН Сравнение ОЭГ с серийно выпускаемыми изделиями известных зарубежных изготовителей МИС генераторов СВЧ диапазона, как на базе генератора, управляемого напряжением, (ГУН) с варакторной перестройкой частоты, так и на базе современного синтезатора частот

  8. ИСВЧПЭ РАН ПОСТАНОВЛЕНИЕ ПРЕЗИДИУМА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (№ 279 от 25 декабря 2012 года) Согласовать следующие дополнительные Основные научные направления ИСВЧПЭ РАН: - расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц; - исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц; - создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц.