1 / 8

Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники

Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники. ИСВЧПЭ. РАН. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Директор ИСВЧПЭ РАН, П.П. Мальцев

nehru-manning
Télécharger la présentation

Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники ИСВЧПЭ РАН Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Директор ИСВЧПЭ РАН, П.П. Мальцев д.т.н., профессор

  2. ИСВЧПЭ РАН Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) создана в 2007 году согласно Генеральному соглашению между МГТУ МИРЭА и ИСВЧПЭ РАН от 01 ноября 2007 года.  Заведующий лабораторией - д.т.н. Белкин Михаил Евсеевич. Целью деятельности ОНИЛ СОУ является решение комплексных научных, производственных и учебных задач в области исследования, разработки, проектирования и опытного производства изделий СВЧ микро- и наноэлектроники, микро- и нанофотоники для перспективных телекоммуникационных и радиолокационных применений. 

  3. ИСВЧПЭ РАН Структурная схема оптоэлектронного генератора (ОЭГ) L. Maleki. Recent Progress in Opto-Electronic Oscillator. – Microwave Photonics International Topical Meeting, 12–14 Oct. 2005, p. 81–84.

  4. ИСВЧПЭ РАН Структурная схема связанного оптоэлектронного генератора (СОЭГ) X. S. Yao, L. Maleki, L. Davis. Coupled opto-electronic oscillators. – Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency Control Symposium, 1998, p. 540.X. S. Yao, L. Davis, L. Maleki. Coupled opto-electronic oscillator for generating both RF signals and optical pulses. – Journal of Lightwave Technology, vol. 18, 2000, p.73.

  5. ИСВЧПЭ РАН Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона Патент на изобретение № 2436141. Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона. М.Е. Белкин, Л.М. Белкин. 17.05.2010

  6. ИСВЧПЭ РАН Общий вид экспериментального образца оптоэлектронного генератора СВЧ диапазона, разработанного в ОНИЛ СОУ Государственный контракт № 14.740.11.0136 «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц» Сроки: 13.09.2010-15.11.2012 По ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг. заказчик Минобрнауки России

  7. ИСВЧПЭ РАН Сравнение ОЭГ с серийно выпускаемыми изделиями известных зарубежных изготовителей МИС генераторов СВЧ диапазона, как на базе генератора, управляемого напряжением, (ГУН) с варакторной перестройкой частоты, так и на базе современного синтезатора частот

  8. ИСВЧПЭ РАН ПОСТАНОВЛЕНИЕ ПРЕЗИДИУМА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (№ 279 от 25 декабря 2012 года) Согласовать следующие дополнительные Основные научные направления ИСВЧПЭ РАН: - расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц; - исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц; - создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц.

More Related