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半导体二极管基础

半导体二极管基础. By : Snto. 半导体 的 定义 半导体( semiconductor ),指常温下导电性能介于导体 (conductor) 与绝缘体 (insulator) 之间的材料 。 电阻率 介于金属和绝缘体 [1] 之间并有负的电阻温度系数的物质。 半导体 在 室温 时电阻率约在 10E -5 ~ 10E 7 欧母之间,温度升高时电阻率指数则减小 。. 半导体分类. 本征半导体. 定义: 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。 如纯净的硅。. N 型 半导体. 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了 N 型半导体。.

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半导体二极管基础

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Presentation Transcript


  1. 半导体二极管基础 By:Snto

  2. 半导体的定义半导体(semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体在室温时电阻率约在10E-5~10E7欧母之间,温度升高时电阻率指数则减小。半导体的定义半导体(semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体在室温时电阻率约在10E-5~10E7欧母之间,温度升高时电阻率指数则减小。

  3. 半导体分类 本征半导体 定义:不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。如纯净的硅。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。 P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体。

  4. 二极管结构 组成本体。Epoxy(SiO2) 黑胶 引线 焊片 主芯片,实现二极管的功能。Si 晶粒 焊片 芯片与引脚联接。Pb\Sn\Ag 方便客人焊接使用,散热。Cu 引线

  5. 二极管的外观与符号 二极管在电路图中用D表示,取Diode的第一个字母 • P,positive,正极,也叫阳极(+) • N,negative,负极,也叫阴极(-) 银色引脚 色环,极性标示,负极 黑胶本体

  6. 二极管的外观与符号 二极管在电路图中用D表示,取Diode的第一个字母 符号 银色引脚 色环,极性标示 黑胶本体 图1 二极管:包括整流、检波、开关等都是这个符号 图2 双向二极管:两个负极连在一起的二极管 图3 发光二极管 图4 变容二极管:电调和数调收音机用 图5和7 稳压二极管和瞬变二极管 图6为压敏二极

  7. 二极管分类 • 按结构分: 点接触型、面接触型、平面型 • 按封装分:贴片(SMD)、插件(DIP) • 按功能分:整流、检波、开关、稳压、触发、瞬态抑制二极管…… • 按电性参数:一般(普通)二极管、快恢复二极管、高速(高效率)二极管、超快速二极管、肖特基

  8. 二极管分类 按电性参数 • 一般(普通)二极管STD,VF≤1.0V,TRR>2000nS • 快恢复二极管FR, VF≤1.3V,TRR<500nS • 高速(高效率)二极管HER, VF≤1.3V,TRR<70nS • 超快速二极管SF, VF≤1.7V,TRR<35nS现在VR做到600V • 肖特基SKY, VF≤0.95V,现在VR做到200V • 开关二极管SW, TRR<4nS

  9. 二极管主要参数 • VF正向瞬态电压(正向压降) 单位:伏,V • VR反向直流电压(反向耐压) 单位:伏,V • IF正向直流电流 单位:安培,A • IO 正向平均电流 单位:安培,A • IR反向漏电流单位:微安,uA • Trr反向恢复时间单位:纳秒,nS • TA 环境温度单位:度,℃ • TC管壳温度单位:度,℃

  10. 二极管应用 交流电(AC)变为直流电(DC),一般在市电也就是我们常用的照明电中,如果把交流变为直流电,或者叫做低频整流,用的是普通整流二极管,如1N4007、RL207、1N5408……;对于高频电路中的整流,如常用的电脑开关电源,手机充电器等,根据各自的应用会用的是快恢复二极管(FR107、F1220CT…)、高速(高效率)二极管(UF1007、HER103…)、超快速二极管(SF26、SF38…、肖特基1N5819、SR540…)

  11. 电路(Rcc)

  12. 謝謝 Thank END

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