1 / 18

INF3400 Del 4

INF3400 Del 4. Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler. Enkle utleggsregler:. Introduksjon til utleggsregler. Inverter. Enkle MOS kapasitans modeller. Gatekapasitens:. der. der. Oppgave 2.4.

quemby-joyce
Télécharger la présentation

INF3400 Del 4

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. INF3400 Del 4 Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler

  2. Enkle utleggsregler: Introduksjon til utleggsregler Inverter

  3. Enkle MOS kapasitans modeller Gatekapasitens: der der

  4. Oppgave 2.4 En transistor med lengde 90nm har en tykkelse på gateoksid(tox) lik 16Å. Hva blir gatekapasitans per mikrometer? Løsning:

  5. Gatekapasitans detaljer Ubiasert gatekapasitans: Operasjonsområde AV: Operasjonsområde LINEÆR: Overlappskapasitanser (statiske): Operasjonsområde METNING: Gatekapasitans:

  6. Diffusjonskapasitans detaljer Diffusjonskapasitans source: der:

  7. Oppgave 2.5 Beregn diffusjonskapasitans Cdbfor en transistor med en (minimum) kontakt på drain i en 0.6μm prosess når drainspenningen er 0V og VDD = 5V . Anta at substratet er jordet. Parameterverdier er CJ = 0.42fF/μm2, MJ= 0.44, CJSW= 0.33fF/μm, MJSW = 0.12 og Ψ0 = 0.98V ved romtemperatur. Løsning:

  8. ENKLE RC modeller Motstand i transistor:

  9. Transmisjonsport:

  10. RC forsinkelsesmodeller

  11. Seriekobling av transistorer: Eksempel NAND3: Parallellkobling av transistorer:

  12. Transisjon fra 0 til 1: Transisjon fra 1 til 0:

  13. RC modell

  14. Oppgave C Tegn transistorskjematikk for en toinngangs NOR port med transistor bredder slik at effektiv motstand i nedtrekket blir lik en enhetsinverter. Beregn stige og fall forsinkelse når porten skal drive h identiske NOR porter ved å bruke enkle RC modeller. Løsning:

  15. Hastighetsmetning Hastigheten til ladningsbærere: AV LINEÆR der: METNING Transistormodeller: AV Metningsspenning LINEÆR METNING

More Related