ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов

1. ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнили студенты группы 21303 Федотов Роман Филиппов Артём

2. Обозначения полупроводниковых приборов на принципиальных электрических схемах Диод Тиристор А А К К - - + + УЭ «А» - Анод «К» - Катод «УЭ» - Управляющий Электрод

3. А К А К P N P N P N УЭ

4. Обозначения выводов биполярного транзистора К Э P N P К Э Б Б «Э» - Эмиттер «К» - Коллектор «Б» - База

5. Транзисторы

6. Обозначения выводов полевого транзистора З З З И С И С П «З» - Затвор «С» - Сток «И» - Исток «П» - Подложка З С И P+ P+ N П

8. Фотодиод

9. Буквенно-цифровые обозначения полупроводниковых приборов на основе государственного стандарта ГОСТ 11 336.919-81 Диоды Первый элемент Обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен прибор Г(1) - для германия или его соединений К(2) - для кремния или его соединений А(3) - соединения галлия (например арсенид галлия) И(4) - соединения индия (например фосфид индия)

10. Второй элемент Буква, определяющая подкласс (или группу) приборов Д -Диоды выпрямительные и импульсные Ц - выпрямительные столбы и блоки В - варикапы И - туннельные диоды А - сверхвысокочастотные диоды С - стабилитроны Г - генераторы шума О - оптопары Н - диодные тиристоры У - триодные тиристоры

11. Назначение прибора: Диоды выпрямительные с прямым током А: 1. менее 0.32. 0.3...10 Генераторы шума: 1.низкочастотные 2.высокочастотные Туннельные диоды: 1.усилительные2.генераторные3.переключательные4.обращенные Третий элемент Условное обозначение: «1» «2» «1» «2» «1» «2» «3» «4»

12. Четвертый элемент Число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа Пятый элемент Буква, условно определяющая разбраковку по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии

13. Пример КД213Б 8612 КД213Б 2Д106А КЦ405А 8503 КЦ405А

14. Транзисторы Первый элемент Обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор Г(1) - для германия или его соединений К(2) - для кремния или его соединений А(3) - соединения галлия (например арсенид галлия) И(4) - соединения индия (например фосфид индия) Второй элемент Буква, определяющая подкласс (группу) транзисторов Т - для биполярных П - для полевых

15. Третий элемент Цифра, определяющая основные функциональные возможности максимальная граничная частота максимальная мощность цифра не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц 123456789 0,3 Вт не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц 1,5 Вт не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц Больше 1,5 Вт

16. Четвёртый элемент Число, обозначающее порядковый номер разработки Пятый элемент Буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзистора, изготовленного по единой технологии

17. Пример Б А 8 КТ315Б КТ805АМ lll-83 КТ805АМ

18. Обозначения транзисторов по ГОСТам: ГОСТ 10862 - 64 ГОСТ 10862 - 72 П217Г Класс Номер разработки, указывающий на материал и функциональные возможности Группа ВЗР П217Г 2-79

19. Зарубежные обозначения полупроводниковых приборов • Американская система JEDEC • Японская система JIS

20. Американская система JEDEC Первый элемент Число p-n переходов: 1 – диод 2 – транзистор 3 – тиристор 4 – оптоприбор Второй элемент Буква N Третий элемент Серийный номер прибора (100-9999) Четвертый элемент Буква модификации прибора

21. Пример S 2N 5551 CB114 2N5551 1 1N 1N4007

22. Японская система JIS Пример: 2SB247 Первый элемент 0 - фотодиод, фототранзистор1 - диод2 - транзистор3 - тиристор Второй элемент Буква: S Третий элемент Буква - тип прибора: A - высокочастотный PNP транзистор B - низкочастотный NPN транзистор C - высокочастотный NPN транзистор D - низкочастотный PNP транзистор F - тиристор I – Полевой транзистор с Р-каналом

23. К - Полевой транзистор с N-каналом М - Симметричный Тиристор (Семистор) Q - Светодиод R - Выпрямительный диод V -Варикап Z – Стабилитрон Четвертый элемент Серийный номер:10-9999 Пятый элемент Одна или две буквы: модификации прибора