1 / 26

Realizzazione di impedenze

Realizzazione di impedenze. Impedenze distribuite Impedenze concentrate. Impedenze distribuite. Parametri primari e secondari di una linea di trasmissione. Linea chiusa su carico. Se Z L = 0 Z(-l) = jZ 0 tan  l Se Z L =  Y(-l) = jY 0 tan  l Z(-l) = -jZ 0 cotan  l

sancho
Télécharger la présentation

Realizzazione di impedenze

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Realizzazione di impedenze Impedenze distribuite Impedenze concentrate

  2. Impedenze distribuite

  3. Parametri primari e secondari di una linea di trasmissione

  4. Linea chiusa su carico Se ZL= 0 Z(-l) = jZ0tanl Se ZL= Y(-l) = jY0tanl Z(-l) = -jZ0cotanl Se ZL= Z0 Z(-l) = Z0

  5. Induttanza Se l << /10 il circuito è assimilabile ad un’induttanza Z(-l) = jZ0tanl  jZ0l = jZ0 ( / c) l = j  Leq Leq = Z0l /  = Z0l / c = L'l

  6. Capacità Se l << /10 il circuito è assimilabile ad una capacità Y(-l) = jY0tanl  jY0l = jY0 ( / c) l = j  Ceq Ceq = Y0l /  = Y0l / c = C'l

  7. Induttanza + carico Se l << /10 e Z0 >> mod( ZL) il circuito è assimilabile ad un’induttanza in serie al carico

  8. Induttanza + carico (segue) Se l << /10 e Z0 >> mod( ZL ) Z(-l) ZL + jZ0l = ZL + jZ0 ( / c) l = ZL + j  Leq Leq = Z0l / c = L'l

  9. Capacità + carico Se l << /10 e Z0 << mod( ZL) il circuito è assimilabile ad una capacità in parallelo al carico CEQ = Y0 l / c = C' l

  10. Realizzazione su microstriscia di impedenze distribuite Induttanza serie e parallelo Capacità parallelo e serie Circuito risonante serie Circuito risonante parallelo

  11. Induttanza serie e parallelo L < 2-3 nH Nei modelli trascuro i parassiti delle discontinuità

  12. Capacità parallelo e serie C < 0.2 pF Nei modelli trascuro i parassiti delle discontinuità

  13. Circuiti risonanti e antirisonanti in parallelo alla linea

  14. Impedenze concentrate

  15. Impedenze concentrate • Con questa dizione si intendono componenti le cui dimensioni sono piccole rispetto alle lunghezze d’onda in gioco. • Grazie all’uso di tecniche fotolitografiche è oggi possibile realizzare elementi concentrati a frequenze fino a 60 GHz • Vantaggi sono le ridotte dimensioni e un comportamento abbastanza costante su ampie bande • Svantaggi sono i Q più bassi rispetto a quelli ottenibili con elementi distribuiti

  16. Linea corta Per linee corte l < /10 ( =  l)

  17. Rete a pi-greco

  18. Analogia Affinché le due matrici si riferiscano allo stesso componente deve essere: operando su B operando su A

  19. Conclusioni Un tratto di linea breve può essere rappresentato tramite una rete a pi greco in cui L2 e C1 sono legati ai parametri primari del tratto di linea

  20. Induttanza a loop LTOT < 1 nH

  21. Induttanza a spirale Lunghezza totale < /20 LTOT < 20 nH Rispetto al caso precedente si evidenzia la non simmetria del circuito Cp1 Cp2 e la presenza di una capacità di shunt legata al ponte in aria.

  22. Capacità interdigitata C < 1 pF

  23. Capacità MIM C < 25 pF

  24. Circuito antirisonante e risonante

  25. Resistenza a film metallico Tipicamente si usano Nichel Cromo o Tantalio l t l R = l/S = l/lt =  / t non dipende dal lato del quadrato Si misura in ·

  26. Resistenza a film semiconduttore Si realizza una piazzola di semiconduttore su di un substrato semi-isolante

More Related