فرآیند کاشت یونی استاد: دکتر شهرام محمد نژاد ارائه دهنده: علی خلفی اردیبهشت 93

2. فرآیند کاشت یونی استاد: دکتر شهرام محمد نژاد ارائه دهنده: علی خلفی اردیبهشت 93

3. مباحث 1

4. ایجاد دوز بالا کنترل دوز بسیار دقیق کنترل دقیق ولتاژ آستانه برای MOS مزیت دمای پایین مورد نیاز برای فرآیند فرآیند کاشت یونی امکان استفاده از مواد مختلف برای ماسک آسیب دیدن شبکه بلور عیب 2

5. 3

6. تصویر کلی از دستگاه کاشت یونی 4

7. Analyzing magnet 5

8. Acceleration Column 6

9. Target 7

10. مکانیزم توقف یون شبیه سازی حرکت یون در زیر بنا انواع حالت های توقف • هر یون پس از برخورد با هدف مورد نظر، با یک سری از اتم های میزبان بر خورد کرده و در نهایت متوقف می شود. برخورد الاستیک بین یون و هسته اتم میزبان • پراکندگی یونی برخورد غیر الاستیک بین یون و الکترون اتم میزبان • قدرت کل توقف به صورت زیر تعریف می شود: (رابطه 1) 8

11. دامنه توزیع مقایسه پروفایل های نفوذ بروم در سیلیکون در انرژی های مختلف لیست دامنه توزیع و انحراف استاندارد اتم بور در مواد مختلف • هر یون برای نفوذ به هدف یک مسیر تصادفی را طی می کند. • متوسط مسیر طی شده توسط یون به صورت تعریف می شود. • نحوه ی توزیع یون در نیمه هادی به صورت یک تابع گوسی با انحراف استاندارد مشخص می شود. 9

12. نمایش توزیع فسفر در سیلیکون به صورت سه بعدی و دو بعدی 10

13. آسیب دیدن شبکه آسیب دیدن شبکه با یون • زمانی که یون به نیمه هادی مورد نظر می رسد یک سری برخورد ها بین یون و اتم های میزبان رخ می دهد که این برخورد ها باعث جابجایی اتم های میزبان می شود. • در نتیجه ی این جابجایی ها نیمه هادی حالت بلوری خود را از دست داده و به حالت بی نظم می رود. 11

14. تابکاری فرآیند تابکاری • ویفر پس از این فرآیند باید به مدت 15 الی 30 دقیقه با دمای تقریبی 1000 در جه سانتی گراد گرم شود، که به این فرآیند تابکاری گویند. • تابکاری یک بار آن هم بعد از این که تمام نواحی کاشته شدند انجام می شود. 12

15. کانال زنی رابطه تابع توزیع و کانال زنی حرکت در جهت کریستالی نحوه ی حرکت سه یون در شبکه مکعبی ساده 13

16. حل مشکل کانال زنی ایجاد سایه در ناحیه رشد 14

17. مقایسه فرآیند کاشت یونی و نفوذ 15

18. با تشکر...