1 / 27

Tranzistör

Tranzistör. 2.4.4. Diyot Olarak Tranzistör T ranzistör iki ekleme sahip olmasına rağmen, diyot olarak kullanılabilir. Tranzistörün iki kapısı kısa devre edilerek veya tümdevre (ICs) üretimindeki tasarım sırasında dışarıya sadece iki uç çıkartılarak diyot gibi kullanılır.

tess
Télécharger la présentation

Tranzistör

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Tranzistör 2.4.4. Diyot Olarak Tranzistör Tranzistör iki ekleme sahip olmasına rağmen, diyot olarak kullanılabilir. Tranzistörün iki kapısı kısa devre edilerek veya tümdevre (ICs) üretimindeki tasarım sırasında dışarıya sadece iki uç çıkartılarak diyot gibi kullanılır.

  2. Tranzistör ve Darlington 2.4.5. Darlington Tipi Güç Tranzistörleri • Güç tranzistörlerinde, baz ucundan yapılan sürme işlemi sırasında, büyük kolektör akımlarında büyük baz akımları gerektirir. Örneğin 100A'lik kolektör akımına sahip bir güç tranzistöründe 10A'lık bir baz akımı gerekir. Bu amaçla, bir tranzistör, diğer bir tranzistörü iletime sürecek şekilde bağlanıp ortak kolektör beslemesi şeklinde akım kazancı arttırılarakdarlington bağlantıoluşturulur.

  3. Tranzistör ve Darlington

  4. Tranzistör ve Darlington

  5. Alan Etkili Tranzistörler • 2.5 ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER • FET:Field Effect Transistor • Üç uçlu bir eleman olup geniş bir uygulama alanı vardır. MOSFET ve JFET olmak üzere iki özel yapı şekli tranzistör tipi bulunmaktadır. FET'ler tümdevre yongası üzerinde, normal iki kutuplu tranzistörlerden daha az yer kaplarlar. Örneğin 100.000 MOSFET, tek bir yonga üzerinde oluşturulabilir.

  6. p+ n+ Tranzistör tutucusu (Sıkıştırma yayı) G G n tipi kanal p tipi kanal S S D D p+ n+ (a) (c) D ID DID IG + VDS - IG + VDS - G + VGS - G + VGS - IS S IS S Soğutucu profil (d) (b) Alan Etkili Tranzistörler

  7. Alan Etkili Tranzistörler • Alan etkili tranzistörler FET ve JFET olarak iki guruptur.

  8. Tranzistör ve Mosfet • 2.5.2.Güç MOSFET'leri (Power MOSFETs) • Alan etkili tranzistörlerin, güç devrelerinde kullanılan tipidir. Son yıllarda gelişen teknoloji ile MOSFET (Metal Oxide Semicon­ductor Field Effect Transistor) ler 500V ve 30 A sınırında çalışabilecek özelliklerde üretilmektedirler.

  9. Tranzistör ve Mosfet

  10. Tranzistör ve Mosfet • Güç tranzistörlerinden daha düşük güçte kumanda sinyalleri ile denetlenebilirler. • Yüksek frekanslarda kullanılabilirler. (özellikle 1-10GHz arasında)

  11. Tranzistör ve Mosfet

  12. Tranzistör ve Mosfet

  13. Tranzistör ve Mosfet • Kapıdaki metal alan ile n veya p yarıiletken bölge arası, dielektrik (elektriksel yalıtkan) oksit tabakası ile yalıtımlı bir paralel kondansatör özelliği gösterir. Dolayısıyla bu tip FET'lerin kapıları yalıtılmış olur ve bu FET'ler IGFET(Insu­lated Gate FET) olarak da tanımlanır.

  14. Tranzistör ve Mosfet • 2.5.3.VMOS veya GüçFET'leri • MOSFET'lerde taşıyıcılar, sorce'den drain'e yatay olarak akarlar. Modern üretim teknolojileri ile, MOS'larda yüksek giriş empedansı ve yüksek anahtarlama hızları elde edilmektedir. Böyle MOSFET'lere, yüksek yayılımlı MOS veya VMOS (Vertical MOS) denir. Üretim özelliklerinden dolayı, akım dikey olarak, elektronların akış yönünün ters yönünde akar.

  15. Tranzistör ve Mosfet

  16. Tranzistör ve Mosfet • 2.6 2.6. TEK EKLEMLİ TRANZİSTÖRLER (UJT :Uni Junction Transistor) • 2.6.1. Standart UJT • Üç uçlu bir eleman olan UJT, bir tranzistör gibi davranır. Genel olarak, uygu­lamalarda bir osilatör devresi olarak kullanılır. Bazen de akım veya gerilim algılayıcısı görevi görür. UJT'ler geniş oranda tristör tetikleme elemanı olarak kullanılırlar.

  17. Tranzistör ve Mosfet

  18. Tranzistör ve UJT • 2.6.2.CUJT (Complementary UJT) • Sürekli çalışma gerilimi düşük, daha kararlı bir UJT'dir. Standart UJT ile aynı öz değerlere sahiptir. Aralarındaki fark, standart UJT'ye göre uygulanan gerilimin ters kutuplu olmasıdır.

  19. Tranzistör ve IGBT • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors) MOSFET’lere benzer bir yarıiletken yapısı olan yalıtımlı kapılı tranzistörlerdir. MOSFET’ten en önemli farkı, drain ucunu p+ tabakası oluşturur. IGBT’ler, iki kutuplu tranzistörlerden farklı olarak denetim parametreleri; giriş akımı yerine, giriş ve gate-source gerilimleridir.

  20. Tranzistör ve IGBT

  21. Tranzistör ve IGBT

  22. Tranzistör ve IGBT • IGBT’lerin Tipik bazı parametreleri; • VCES, Kollektör-Emiter Gerilimi (VGS = 0’da) :600 V • VGE, Kapı-Emiter Gerilimi : 20 V • IC, Kollektör Akımı (sürekli ve TC =25 C de) :6A • ICM, Kollektör Akımı (darbeli iletimde ) :25 A • PT, Toplam Kayıp Güç (TC=25C de) :40W • TJ, İşletme Sıcaklığı (Tdepo.) :-65 ile 150C • TJ, Maksimum Eklem Sıcaklığı :150C • TJC, Eklem-Gövde Isıl Direnci :3,25 W/C • VGE(th), Kapı Eşik Gerilimi :2,5 ile 5V arası

  23. IGBT • td(on), Gecikme Süresi :170 ns • tr, Yükselme Süresi :540 ns • td(o ff), Kesim Gecikme Süresi :3,4 s • IGBT’lerdeiletim kayıplarının MOSFET’lere oranla daha düşük olmasından dolayı yüksek gerilimli uygulamalarda, MOSFET’lerin yerine tercih edilirler. • Akımın sıfır geçişinde anahtarlama veya rezonans anahtarlama tekniklerinin kullanılmasıyla yüzlerce KHz anahtarlama frekans oranlarında çalıştırılabilirler.

  24. IGBT ! ... KARŞILAŞTIRMA

  25. IGBT • IGBT’lerin MOSFET’lerden bir farkı da ters paralel bağlı bir diyotlarının olmayışıdır. Bu nedenle devre tasarımcıları, motor denetiminde IGBT kullandıklarında yükte oluşabilecek zıt emk’ların olumsuz etkilerini önlemek için devreye ters paralel bağlı bir diyot kullanırlar.

  26. IGBT

  27. TESEKKÜRLER N. ABUT Bölüm Sonu

More Related