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8.2.1 PN 结

8.2.1 PN 结. 8.2 半导体二极管. 空间电荷区. N. P. 耗尽层. 一、 PN 结的形成. 1 、浓度差引起载流子的扩散运动. 2 、内电场引起载流子的漂移运动. 内电场. 3 、动态平衡时 PN 结 中的电流：扩散电流等于漂移电流， PN 结中的电流为零。. 空间电荷区变窄. I. 外电场方向. E. 二、 PN 结的单向导电特性. 外电场驱使 P 区的空穴进入空间 电荷区抵消一部分负空间电荷. N 区电子进入空间电荷区 抵消一部分正空间电荷. P 区. N 区. 内电场方向. R. 扩散运动增强，形

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Presentation Transcript

  1. 8.2.1 PN 结 8.2 半导体二极管 空间电荷区 N P 耗尽层 一、PN结的形成 1、浓度差引起载流子的扩散运动 2、内电场引起载流子的漂移运动 内电场 3、动态平衡时PN结 中的电流：扩散电流等于漂移电流，PN结中的电流为零。

  2. 空间电荷区变窄 I 外电场方向 E 二、PN结的单向导电特性 外电场驱使P区的空穴进入空间 电荷区抵消一部分负空间电荷 N区电子进入空间电荷区 抵消一部分正空间电荷 P 区 N 区 内电场方向 R 扩散运动增强，形 成较大的正向电流 (1)外加正向电压

  3. 空间电荷区变宽 IR 外电场方向 E 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走 多数载流子的扩散运动难于进行 P 区 N 区 少数载流子越过 PN 结形成很小的反向电流 内电场方向 R (2)外加反向电压

  4. 三、PN结的击穿 1、齐纳击穿：（击穿电压低）4伏以下。 浓度高时，PN结窄，在同样电压下，反向电场很强，从而破坏共价键的结构，把电子拉出来。 2、雪崩击穿：（击穿电压高）6伏以上。 浓度低时，：PN结宽，电子在PN结中被加速，当遇到价电子时，就可以把其撞出来。 3、4伏~6伏，两种情况都可能电击穿

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