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模拟电子技术基础

模拟电子技术基础. 课件制作:. . 郑恒秋. §2.8 场效应管放大电路. 场效应管的源极、栅极和漏极分别对应于晶体管的射极、基极和集电极。与晶体管的 共射、共基和共集 三种组态相对应,场效应管也有 共源、共栅和共漏 三种组态。. 一、场效应管的偏置电路 二、场效应管静态工作点的确定 三、场效应管的动态分析 四、场效应管三种组态放大性能的比较 五、应用举例. 一、场效应管的偏置电路. 1 、 自偏压电路 在场效应管放大器中,由于 结型场效应管与耗尽型 MOS 场效应管 的 u GS =0 时, i D 0 ,故可以采用自偏压方式,如图所示:.

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Presentation Transcript


  1. 模拟电子技术基础 课件制作:  郑恒秋

  2. §2.8 场效应管放大电路 • 场效应管的源极、栅极和漏极分别对应于晶体管的射极、基极和集电极。与晶体管的共射、共基和共集三种组态相对应,场效应管也有共源、共栅和共漏三种组态。 • 一、场效应管的偏置电路 • 二、场效应管静态工作点的确定 • 三、场效应管的动态分析 • 四、场效应管三种组态放大性能的比较 • 五、应用举例

  3. 一、场效应管的偏置电路 • 1、自偏压电路 • 在场效应管放大器中,由于结型场效应管与耗尽型MOS场效应管的uGS=0时,iD0,故可以采用自偏压方式,如图所示: • 与晶体管放大器类似,静态工作点的设置对放大器的性能至关重要。

  4. 在静态时,场效应管栅极电流为零,因此栅极电压为零;而漏极电流不为零,必然在源极电阻上产生压降,使栅源电压为负,获得合适的工作点。在静态时,场效应管栅极电流为零,因此栅极电压为零;而漏极电流不为零,必然在源极电阻上产生压降,使栅源电压为负,获得合适的工作点。 注意:该电路产生负的栅源电压,所以只能用于需 要负栅源电压的电路。

  5. 2、混合偏压电路 • 对于增强型MOSFET,由于uGS=0时,iD=0,故一定要采用分压式偏置或混合式偏置方式,如图所示:

  6. 注意:该电路产生的栅源电压可正可负,所以适 用于所有的场效应管电路。

  7. 二、场效应管静态工作点的确定 • 1、图解法 在场效应管的转移特性曲线上做出栅源回路直流负载线的方程,其交点即为工作点。

  8. 对于(a)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点;对于(a)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点; • 对于(b)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点,Q3为增强型MOSFET的工作点。

  9. 2、解析法 • ⑴耗尽型场效应管的电流方程为: • 把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ:

  10. 把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ:把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ: • ⑵增强型场效应管的电流方程为: • 把下式代入上式,解关于iD的二次方程,有两个根,舍去不合理的一个根,留下合理的一个根便是IDQ。

  11. 三、场效应管的动态分析 • 1、场效应管的低频小信号等效模型 • 2、共源放大电路的分析 • 3、共漏放大电路的分析 • 4、共栅放大电路的分析

  12. 1、场效应管的低频小信号等效模型 • 与晶体管模型的导出相类似,iD是uGS和uDS的函数: • iD=f(uGS, uDS) • 研究动态信号时用全微分表示:

  13. 当信号较小时,管子的电压、电流仅在Q点附近变化,可以认为是线形的,gm与rds近似为常数,用有效值表示:当信号较小时,管子的电压、电流仅在Q点附近变化,可以认为是线形的,gm与rds近似为常数,用有效值表示: • 定义: • 由此式可画出场效应管的低频小信号等效模型: • 可见场效应管的低频小信号等效模型比晶体管还要简单。

  14. 可以从场效应管的转移特性和输出特性曲线上求出gm与rds。可以从场效应管的转移特性和输出特性曲线上求出gm与rds。 • ⑴由转移特性曲线可知,gm是uDS=UDSQ那条曲线上Q点处的斜率。由于gm是输出回路电流与输入回路电压之比,所以称为跨导。

  15. ⑵由输出特性曲线可知,rds是uGS=UGSQ这条曲线上Q点处斜率的倒数,描述曲线上翘的程度。⑵由输出特性曲线可知,rds是uGS=UGSQ这条曲线上Q点处斜率的倒数,描述曲线上翘的程度。

  16. 由于rds的值很大,可以忽略,得到简化的等效模型:由于rds的值很大,可以忽略,得到简化的等效模型:

  17. 对增强型MOS管,可用电流方程求出gm的表达式:对增强型MOS管,可用电流方程求出gm的表达式:

  18. 在小信号作用时,可用IDQ代替iD,得出:

  19. 对耗尽型MOS管,同样可用电流方程作类似的推导求出gm的表达式,电流方程和推导如下:对耗尽型MOS管,同样可用电流方程作类似的推导求出gm的表达式,电流方程和推导如下:

  20. 在小信号作用时,可用IDQ代替iD,得出:

  21. 休息

  22. 2、共源放大电路的分析 • ⑴ 电路结构

  23. ⑵交流分析 • 先画出交流通路,再画出交流等效电路:

  24. 再根据等效电路计算交流性能: • ① 电压放大倍数 电压放大倍数为负值,说明输出电压与输入电压反相。 如果有信号源内阻RS时: ② 输入电阻: Ri== Rg1∥Rg2 ③ 输出电阻: RO=RD

  25. 3、共漏放大电路的分析 • ⑴电路结构 一个共漏放大器的电路图如下:

  26. ⑵交流分析 • 先画出交流通路,再画出交流等效电路:

  27. 再根据等效电路计算交流性能: • ① 电压放大倍数: • 电压放大倍数为正值,表示输出电压与输入电压同相。

  28. ② 输入电阻:

  29. ③ 输出电阻: 输入端短路,用输出端加电压求电流的方法。

  30. 4、共栅放大电路的分析 • ⑴电路结构 一个共栅放大器的电路图如下:

  31. ⑵交流性能分析 • 先画出交流通路,再画出交流等效电路:

  32. 再根据等效电路计算交流性能:

  33. 四、场效应管三种组态放大性能的比较

  34. 五、应用举例 • 例1、电路如图。已知UGS(off)=-4V,IDSS=1mA,VDD=16V,RG1=160K, RG4=40K, RG=1M, RD=10K, RS=8K, RL=1M,试计算:1、静态工作点Q;2、输入电阻Ri和输出电阻RO;3、电压放大倍数 。

  35. 解: 1、计算静态工作点Q

  36. 2、计算输入电阻Ri和输出电阻RO

  37. 3、计算电压放大倍数 。

  38. 例2、电路如图。已知场效应管的UGS(off)=-4V, IDSS=2mA, VDD=15V, RG=1M, RL=1M, RS=8K,试计算:1、静态工作点Q;2、输入电阻Ri和输出电阻RO;3、电压放大倍数 。

  39. 解: 1、计算静态工作点Q

  40. 2、计算输入电阻Ri和输出电阻RO • 3、计算电压放大倍数 。

  41. 作业 • P133 2.20 • P134 2.22

  42. 再见

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