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一連のドープ細線における バンド端とフェルミ端の構造

’06 06 月 23 日 秋山研究室打ち合わせ. 一連のドープ細線における バンド端とフェルミ端の構造. Optical structures at the band edge and Fermi edge on the series of n-type doped quantum wires. <アウトライン> 我々の実験 他の実験屋さんの論文 理論屋さんの論文 おまけ( FES べき発散を含んだ数値計算) まとめ. 我々の実験結果① 通常のドープ細線. FES の特徴はほとんど現われていない。. 我々の実験結果② アクセプタードープ細線.

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一連のドープ細線における バンド端とフェルミ端の構造

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Presentation Transcript


  1. ’06 06月23日 秋山研究室打ち合わせ 一連のドープ細線におけるバンド端とフェルミ端の構造 Optical structures at the band edge and Fermi edgeon the series of n-type doped quantum wires <アウトライン> 我々の実験他の実験屋さんの論文理論屋さんの論文おまけ(FESべき発散を含んだ数値計算)まとめ

  2. 我々の実験結果① 通常のドープ細線 FESの特徴はほとんど現われていない。

  3. 我々の実験結果② アクセプタードープ細線 ホールの局在によってPLのFermi端のピークが現われ、Band端のピークが消える。

  4. Callejaらの実験 “Large optical singularities of the one-dimensional electron gas in semiconductor quantum wires”J. M. Calleja, A. R. Goni, B. S. Dennis, J. S. Weiner, A. Pinczuk, S. Schmitt-Rink, L. N. Pfeiffer, K. W. West, J. F. Muller, and A. E. Ruckenstein, Solid State Commun. 79, 911 (1991). 彼らは「鋭いFESは1D特有、Band端は構造揺らぎで消失」と主張した(本当?)

  5. Oberliらの実験 “Optical studies of modulation-doped V-groove quantum wires: Fermi-edge singularity” D. Y. Oberli, A. Rudra and E. Kapon, Physica E 11, 224 (2001). 「ホール局在のほか、フェルミ端とサブバンドの共鳴がFESに必要な条件」と主張するが、実験的には説得力が弱い。

  6. テーブル PLにおいては、Band端とFermi端が出たり出なかったりする。ホールの局在、高次サブバンドとの共鳴、がポイントのようだ。 PLEでBand端のピークを見たのは我々が初めて。PLEで鋭いFESピークを見たのはCallejaだけ。 1Dでも2DでもPLEのFESピークは鋭かったりブロードだったりする。原因は不明。

  7. Rodriguezらの理論計算 “Optical singularities in doped quantum-well wires” F. J. Rodriguez and C. Tejedor, Phys. Rev. B 47, 1506 (1993). “Fermi-edge singularities in the optical absorption and emission of doped indirect quantum wires”F. J. Rodriguez and C. Tejedor, Phys. Rev. B 47, 13015 (1993). 細線の有限太さ、有限温度、ホール局在、高次サブバンドとの共鳴、間接遷移などを考慮してFES効果を含めた計算をしたが、ポイントが不明確。

  8. Hawrylakらの理論計算 “Excitonic effects in optical spectra of a quasi-one-dimensional electron gas” P. Hawrylak, Solid State Commun. 81, 525 (1992). Fermi端の発光ピークはホール局在が必要。Band端の発光ピークは強いホール局在によって消える。 (Band端が消えるカラクリを知りたいが、読んでもよく分からない。。。)

  9. Ogawaらの理論計算 鋭い発散 鋭い発散 電子間斥力 電子正孔間引力 “Fermi-edge singularity in one-dimensional systems”T. Ogawa, A. Furusaki, and N. Nagaosa, Phys. Rev. Lett. 68, 3638 (1992). べきの値を電子正孔間相互作用、および電子間相互作用の関数として計算。 FESのべきの値は正孔のmassに依らない。 これらの効果を実験的に見られるものなのかどうかは、今のところ不明。

  10. 1D DOSとFESにLorentzian畳み込んで計算

  11. 計算 続き

  12. 計算 続き べきの値を固定しても、発光スペクトルはホールのmassに大きく左右される。→ ホール局在によってFermi端のピークが強くなっても、「FESがhole局在で強くなった」とはいえない。

  13. 計算 続き 我々の結果に合わせた計算 Callejaの結果に合わせた計算 べきの値を変えなくとも、mhやγ、Γの値を変えるとスペクトルが大幅に変化。→ 実験的にべきの値の変化を見るのは難しそう。まずはmh、γ、Γから!!

  14. 発光についてのポイント ①Fermi端に発光ピークが現われるのはFES効果によるもの。 ②Band端やFermi端のピークが出たり出なかったりするのは、hole localizationが  大きく関与。(ただしhigher subbandとの共鳴や間接遷移であることも関与)。 ③べきの値がhole massに依存するかどうかは不明(発光からは分かりにくい)。

  15. 吸収についてのポイント ①電子ガスが縮退していなければ、Band端のピークも観測できる。 ② Fermi端のピークは鋭かったりブロードだったりする(1D、2D共通) ③吸収なので、正孔の分布は関与していない。  ならば、べきの値が変化?ブロードニングの違い?higher subbandとの共鳴や間接遷移であることの影響? 依然として未解決

  16. まとめ 発光についてのポイント ①Fermi端に発光ピークが現われるのはFES効果によるもの。 ②Band端やFermi端のピークが出たり出なかったりするのは、hole localizationが  大きく関与。(ただしhigher subbandとの共鳴や間接遷移であることも関与)。 ③べきの値がhole massに依存するかどうかは不明(発光からは分かりにくい)。 吸収についてのポイント ①電子ガスが縮退していなければ、Band端のピークも観測できる。 ② Fermi端のピークは鋭かったりブロードだったりする(1D、2D共通) ③吸収なので、正孔の分布は関与していない。  ならば、べきの値が変化?ブロードニングの違い?higher subbandとの共鳴や間接遷移であることの影響? 依然として未解決

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