1 / 7

JEDNOELEKTRÓNOVÉ TUNELOVACIE ZARIADENIA

JEDNOELEKTRÓNOVÉ TUNELOVACIE ZARIADENIA. OBSAH:. JEDNOELEKTRÓNOVÝ TRANZISTOR ( Popis princípu činnosti ) NANO-FLASH PAM Ä TE YANO PAM Ä TE TABULKA POROVNANIA PARAMETROV ( porovnanie bežných a jednoelektrónových pamätí ). JEDNOELEKTRÓNOVÝ TRANZISTOR.

zlata
Télécharger la présentation

JEDNOELEKTRÓNOVÉ TUNELOVACIE ZARIADENIA

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. JEDNOELEKTRÓNOVÉ TUNELOVACIE ZARIADENIA

  2. OBSAH: • JEDNOELEKTRÓNOVÝ TRANZISTOR (Popis princípu činnosti) • NANO-FLASH PAMÄTE • YANO PAMÄTE • TABULKA POROVNANIA PARAMETROV (porovnanie bežných a jednoelektrónových pamätí)

  3. JEDNOELEKTRÓNOVÝ TRANZISTOR • Tvorba metalických ostrovčekov alebo polovodivých bobov • Kapacita ostrovčeka je veľmi malá  energia ostrovčeka (e2/C) je väčšia než tepelná energia v systéme (kBT )

  4. Princíp jednoelekt. tranzistora • Elektróny prechádzajú iba tunelovaním na neobsadenú hladinu m N+l • Prechádzajú iba pri vhodnom napätí na štruktúre alebo hradla  m1>mN+l>mr • Pridaná energia elektrónov na ostrovčeku je m N+l -m N = e2/C

  5. NANO-FLASH PAMÄTE • Trojterminálové zariadenie • Zmena naboja na plávajúcom hradle spôsobuje veľkú zmenu prahového napätia • Väčšia hustota než DRAM na nižších výkonoch a väčších pracovných teplotách • Veľké výrobné náklady

  6. YANO PAMÄTE • Dvojterminálové zariadenie • Informácia je ukladaná v hlbokých pasciach • Jeden a viac bodov sú tvorene prirodzeným rastom na 3nm hrubom filme blízko FETu • Zachytený naboj moduluje prahové napätie • Veľká hustota integrácie • Problém kontroly výroby zapríčinenou prirodzeným rastom záchytných bodov

  7. POROVNANIE BEŽNÝCH A JEDNOELEKTRÓNOVÝCH PAMÄTÍ

More Related