1 / 17

Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti

Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti. Institute of Electrical E ngineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble. Tenk é supravodivé vrstvy na báze ortuti. M. Valeriánová 1 , P. Odier 2 , Š. Chromik 1 , V. Štrbík 1.

tamah
Télécharger la présentation

Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble Tenké supravodivé vrstvy nabáze ortuti M. Valeriánová1, P. Odier2, Š. Chromik1, V. Štrbík1 1 Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava 2 Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  2. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble • Supravodiče na báze ortuti: • Všeobecné zloženie Hg1Ba2Can-1CunO2n+2 • Najvyššie hodnoty kritických teplôt zo všetkých supravodičov (Hg-1223 = 135 K) • Môžu nájsť využitie v mnohých praktických zariadeniach ako sú napr. prúdové limitéry, mikrovlnné filtre, slabé väzby pre mikroelektroniku alebo SQUIDY

  3. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  4. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble Syntéza Hg-1201 fázy: HgO ↔ Hg(g) + ½ O2 Ba2CuO3+x+ Hg(g) + (1 − x + δ)/2 O2 ↔ HgBa2CuO4+δ SyntézaHg-1212 a Hg-1223 fáz: HgO + 2 BaO + 2 CaO + 3 CuO + δ/2 O2 alebo Hg(g) + CaO → CaHgO2 → HgBa2CaCu2O6+δ+ CaO + CuO CaHgO2 + BaCuO2 + Ca2CuO3 → → HgBa2Ca2Cu3O8+δHgBa2CaCu2O6+δ Syntéza: Kvôli vysokej toxicite Hg a rozklade HgO na Hg a O2 už pri relatívne nízkych teplotách (460 ºC) musí byť uskutočnená v zatavených kremenných trubiciach. Toto takisto zabraňuje úniku ortuti z reakčného systému. V zlatých alebo platinových púzdrach, aby sa zabránilo reakcii s kremennou trubicou. Príprava tenkých vrstiev – dvojkroková metóda – depozícia prekurzoru bez ortuti (Ba-Ca-Cu-O) a ex-situ merkurácia.

  5. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble Supravodivý prúdový limitér (fault-current limiter FCL) zvyčajne využíva nízku impedanciu a tvorí neviditeľnú súčasť elektrického systému. V prípade chyby (fault) v elektrickom obvode, limitér vloží do obvodu svoju impedanciu a limituje poškodený prúd (fault current).

  6. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble Supravodivé detektory – sú to zvyčajne nanoštruktúrne tenké vrstvy včlenené do externej antény na účinnú väzbu detekovaného žiarenia. Funkcia tzv. Hot-electron bolometrov a fotodetektorov (HEB a HEP) je založená na nerovnomernom zahrievaní elektrónového subsystému absorbovaním žiarenia a výsledkom je resistencia vrstvy a zodpovedajúce ľahko merateľné napätie. Relatívne jednoduchá jednovrstvová výrobná technológia robí tieto zariadenia veľmi populárnymi pre rádioastronómiu a diaľkové snímanie.

  7. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble • Príprava prekurzorových vrstiev • 2. Príprava práškov na prípravu zdroja ortuti • 3. Merkurácia

  8. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Sapphire: Hg-based superconductor CeO2 Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  9. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Merkurácia s kontaktom medzi prekurzorovou vrstvou a zdrojom ortuti Merkurácia bez kontaktu medzi prekurzorovou vrstvou a zdrojom ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  10. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Impurities come from the mercury source. Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  11. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Un-textured precursor Un-textured precursor Epitaxial growing layer Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  12. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti a) Hg-based film prepared by mercuration with contact between the precursor film and the Hg-source b) Hg-based film prepared by mercuration without contact between the precursor film and the Hg-source Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  13. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  14. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble Temperature dependent relaxation time of the superconducting component of the ΔR/R signal Transient differential reflectivity ΔR/R of Hg-based thin film

  15. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble

  16. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble • Bezkontaktná metóda: • merkurácia vrstiev prebieha aj bez kontaktu medzi prekurzorovou vrstvou a zdrojom ortuti – príprava vrstiev pomocou plynnej fázy • zlepšenie supravodivých vlastností a morfológie pripravených tenkých vrstiev • uľahčenie merkurácie tvarovaných vrstiev a zlepšenie ich morfológie, zabránenie tvorby skratov medzi páskami v koplanári

  17. Tenké supravodivé vrstvy na báze ortuti Institute of Electrical Engineering, SAS, Bratislava Laboratoire de Cristallographie, CNRS, Grenoble Ďakujem za pozornosť

More Related