1 / 20

JFET *

JFET *. Junction field-effect transistor (JFET) , spojni FET. Inverzno polarisan PN spoj kontroli še struju Iste elektrode kao kod MOSFETa Može biti p ili n tipa. (*Sedra-Smith, Drugo izdanje, u petom ne postoji . Vasiljevic, Tesic, 87-100 ). JFET.

alice
Télécharger la présentation

JFET *

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. JFET* Junction field-effect transistor (JFET), spojni FET • Inverzno polarisan PN spoj kontroliše struju • Iste elektrode kao kod MOSFETa • Može biti p ili n tipa (*Sedra-Smith, Drugo izdanje, u petom ne postoji. Vasiljevic, Tesic, 87-100 )

  2. JFET • VGS je uvijek negativno, gejt na manjem potencijalu od sorsa • VDS je pozitivno

  3. JFET • Zavistnost struje drejna od napona VGS.

  4. JFET • Oznake

  5. Strujno-naponske karakteristike JFETa • Izlazna karakteristika, VGS=0V • Napon stiskanja Vp (pinch-off), uoči razliku sa Vt kod MOSFETa!

  6. Strujno-naponske karakteristike JFETa • VGS<>0V, VGS(off)=-Vp • Radi u triodnoj oblasti i oblasti zasićenja

  7. Strujno-naponske karakteristike JFETa • Oblast zasićenja, prenosna karakteristika

  8. Strujno-naponske karakteristike JFETa • Triodna oblast, naponom kontrolisana otpornost

  9. Strujno-naponske karakteristike JFETa • Oblast zasićenja G D S Model za DC analizu

  10. Strujno-naponske karakteristike JFETa • kataloške • karakteristike za • tipični FET

  11. DC analiza Primjer: Za 2N5459 JFET naći struju ID za VGS = 0 V, -1 V i –4 V Iz kataloških karakteristika nalazimo IDSS = 9 mA i Vp = -8 V Za VGS = 0 ID = IDSS = 9mA Za VGS= –1V upotrebljavamo jednačinu: ID = IDSS(1 – VGS/Vp)2 = (9 mA)(1 – (-1 V/-8 V))2 = 6.89 mA Takodje za VGS= –4 V : ID = IDSS(1 – VGS/Vp)2 = (9 mA)(1 – (-4 V/-8 V))2 = 2.25 mA

  12. DC analiza • Trankonduktansa

  13. DC analiza • Polarizacija, samo-polarizacija, Gate na nultom potencijalu kako je IS = IDi VG = 0, tada VS = IDRS. Tada: VGS = VG – VS = 0 – IDRS = – IDRS VD = VDD – IDRD Kako je VS = IDRS, VDS = VD – VS = VDD – ID(RD + RS)

  14. DC analiza • grafička anliza

  15. DC analiza • Polarizacija razdelnikom napona VG = VDD(R2/(R2 + R1))  VGS = VG - VS ID = (VG - VGS)/RS VD=7V, ID = (VDD – VD)/RD = (12 V – 7 V)/3.3 kΩ = 1.52 mA VS = IDRS = (1.52 mA)(2.2 kΩ) = 3.34 V VG = R2/(R1+R2)VDD = (1 MΩ)/(7.8 MΩ) 12 V = 1.54 V VGS = VG – VS = 1.54 V – 3.34 V =–1.8V

  16. FET kao pojačavačAC analiza • Model za male signale, isto kao kod MOSFETa • pojednostavljeni model • transkonduktansu nalazimo • iz DC analize

  17. FET kao pojačavač • zajednički sors (common source, CS)

  18. FET kao pojačavač

  19. FET kao pojačavač Primjer: Naći ukupni izlazni napon za kolo na slici? Pretpostaviti IDSS=770μA i Vp = –3 V. DC analiza ID = IDSS(1 – IDRS/(Vp) = 770 μA (1 – (ID)(910 Ω)/(-3 V))2 0 = 1 – ID(2 RS/Vp + 1/IDSS) + ID2(RS/Vp)2 A = (RS/Vp)2, B = 2 RS/Vp + 1/IDSS, and C = 1. : 0 = A ID2 + B ID + 1 ID = [-B ± √(B2 – 4 AC)]/(2 A) = 1.96 mA VD = VDD – IDRD = 12 V – (1.96mA)(3.3 kΩ) = 5.53 V VGS = -IDRS = -(1.96 mA)(910 Ω) = –1.78 V gm0 = 2 IDSS/|VGS(off)| = 2(770 μA)/3 V = 2.31 mS gm = gm0(1 – VGS/VGS(off)) = (2.31 mS)(1 – (-1.78 V)/(-3 V)) = 940 μS AC analiza Vout = AvVin = gmRDVin = (940 μS)(3.3 kΩ)(100 mV) = 310 mVrms Tako je zadata efektivna vrijednost ulaznog napona, tada je Vizm= (310mV)(1.41) = 438.9 mV oko 5.53 V DC vrijednosti, tj VIZ=438.9 mV sinwt + 5.53V

  20. FET kao pojačavač • zajednički drejn (common drain, CD) • zajednički gejt (common gate, CG)

More Related