Radiografia digitale
Radiografia digitale. Radiografia digitale. Sistema ideale: Acquisizione istantanea di una immagine in forma digitale con il minimo numero di raggi X. Computed Radiology (Storage Phosphorous Radiology). Computed Radiology (Storage Phosphorous Radiology). Radiografia analogica vs digitale.
Radiografia digitale
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Radiografia digitale Sistema ideale: Acquisizione istantanea di una immagine in forma digitale con il minimo numero di raggi X
Radiografia digitale Specifiche
Necessità di larga area • Soluzioni • accoppiamento ottico “fosfori+lenti+Fotomoltiplicatore/CCD” • matrici attive in selenio/silicio amorfo
Necessità di larga area • Soluzioni • accoppiamento ottico “fosfori+lenti+Fotomoltiplicatore/CCD” • matrici attive in selenio/silicio amorfo Conversione diretta Conversione indiretta
Matrice di sensori attivi a conversione diretta Fotoconduttori
Requisiti per fotoconduttori Alto coefficiente di assorbimento: d<<L Alta sensibilità No ricombinazione No trappole: mtE>> L Bassa corrente dark: no iniezione dagli elettrodi, no generazione termica No degradazione Facilità di deposizione
Source Drain n a-Si:H i a-Si:H Gate insulator Gate Substrato Polarizzazione negativa
Matrici di sensori in a-Si:H: Scintillatori • Sono scintillatori inorganici: NaI, CsI, Bi4Ge3O12 (noto come BGO), PbWO4, BaF2... • Il meccanismo di scintillazione negli scintillatori inorganici è caratteristico della struttura a bande elettroniche che si trovano nei cristalli. • Spesso si hanno 2 costanti di tempo: • ricombinazione rapida dai centri di attivazione (ns-μs) • ricombinazione ritardata (trappole) (~100 ms)
Matrice di sensori in silicio amorfo Scintillatori • Segnale dipende da: • coefficiente di conversione • efficienza quantica • self-absorption X-ray Reflector S SCATTERING SELF ABSORPTION
Matrice di sensori in silicio amorfo CsI:Tl • Spessori 550µm • Buon assorbimento dei raggi X (65000 ph/MeV) • Struttura colonnare: guide d’onde • MTF=50% @ 1 lp/mm • Emissione luce nel verde
ITO/Metal n a-Si:H i a-Si:H p a-Si:H Metal/ITO Substrato Matrice di sensori in silicio amorfo
Row Driver Source Drain Switch n a-Si:H PD i a-Si:H Gate insulator Gate Substrato Vbias Matrice di sensori in silicio amorfo
Tecnologia planare • Limited Fill-factor limitato (<75%) TOP VIEW CROSS SECTION
Tecnologia Multi-livello • Fill-factor >90% TOP VIEW CROSS SECTION
Sistemi statici Large size (43cm x 43cm / 17" x 17") for high projection flexibility even with large patients Resolution up to 3.5 lp/mm, 143 μm pixel size
Sistemi dinamici • Amplificatore di brillanza • Pesante • Sensibile ai campi magnetici • Schermo curvo
Sistemi dinamici • Flat detector • Leggero • Assenza di distorsione • Miglior contrasto • Miglior uso della dose