1 / 10

Aktivity a záme ry v r ámci riešenia projektu CENG v roku 2006

Aktivity a záme ry v r ámci riešenia projektu CENG v roku 2006. Oddelenie k ryoelektroniky El Ú SAV.

driscoll-padilla
Télécharger la présentation

Aktivity a záme ry v r ámci riešenia projektu CENG v roku 2006

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Aktivity a zámery v rámci riešenia projektu CENG v roku 2006 Oddelenie kryoelektroniky ElÚ SAV

  2. Vincenc Oboňa, J., Chromik, Š., Španková, M., Öszi, Zs., and Kostič, I.: C60 films as etching masks for creation of micrometer and submicrometer YBa2Cu3O7 structures,, Physica C 435(2006) 37-40. Chromik Š., Huran J., Štrbík V., Španková M., Vávra I., Bohne W., Röhrich J., Strub E., Kováč P., and Stanček S.: MgB2 thin films on SiC buffered Si subtrates prepared by an in-situ method, Superc. Sci. Technol.19 (2006) 577-580. Španková M., Chromik Š., Vávra I., Sedláčková K., Lobotka P., Lucas S., Stanček S.: Epitaxial LSMO films grown on MgO single-crystalline subtrates, submitted to Applied Surface Science. Valeriánová M., Chromik Š., Odier P., Štrbík V.: Role of the mercury pressure during reaction synthesis of Hg(Re)-based superconducting films using no contact mercuration, submitted to Physica C. Lobotka P., Gaži Š., Vávra I., SedláčkováK., Satka A., Kováč J., and Haško D.: Vortex behaviour in a superconducting NbN–AlN multilayered nanocomposite, Superc. Sci. Technol. 19 (2006) 612-617. Patentové prihlášky 5101-2005 Š. Chromik, J. Vincenc Oboňa: Spôsob tvarovania tenkých vrstiev v kryoelektronike použitím fullerénu C60. 5016-2006 Š. Chromik, J. Vincenc Oboňa, I. Kostič: Spôsob tvarovania submikrometrových štruktúr v kryoelektronike využitím fullerénu C60.

  3. APVT: Výskum supravodivých kvantových interferenčných detektorov (SQUID) na báze tenkých vrstiev vysokoteplotných supravodičov I-V charakteristika submikrometrového Josephsonového spoja IC – B charakteristika SQUIDu so submikrometrovou plochou spojov projekt štátnej objednávky:Nové materiály a súčiastky v submikrometrovej technológii

  4. MgB2mostíky premennej hrúbky ASTRA-projekt 2004 SiC MgB2 1980 ab5nm j 140nm l=4.9×10-16m2,=40cm, l1nm, ICRn(4K)2mV => j1THz W<< 2.8m; L>>(3-4) ab 20nm 50nm

  5. MgB2 vrstvy nanášané na NbN/Si a SiC/Si podložky Selektívne elektrónové difrakcie NbN/Si ,SiC/Si rozhrania s MgB2 TC>37K (31K pre d~30nm) mikroštruktúra MgB2 Chromik et al : Appl. Phys. 96 (2004) 4668. Chromik et al: Supercond.Sci. Technol. 19 (2006) 577. Mikroštruktúra MgB2povrchus Mg2 Si zrnami

  6. Fyzikálne a transportné vlastnosti nanogranulárnych supravodivých tenkých vrstiev – coulombovská blokáda kovové ostrovčeky pospájané cez tunelové bariéry s tunelovým odporom RT>>RK ( RK=h/e2 =25,8 k napätie na kondenzátore C je U=Q0/C. Ak C je veľmi malé (10-15-10-17F pri ostrovčekoch rozmeru 100100nm2 až 1010nm2) zmenou Q0=e vznikne zmena napätia U=10-4 – 10-2V čo stačí na pretunelovanie náboja q=ne čo vyvolá pokles napätia a coulombovskú blokádu (CB), t.j. ďalšie tunelovanie vznikne až pri náraste napätia na U=UT Podmienka pre CB: energia ET(UT)EC>kBT (EC=e2/2C pre UC=e/C;T=0,1-10K pre 10-100nm-ové zrná). coulombovská blokádananoškálový systém spojov vnašom prípade kovový ostrovček = supravodič Ej=h/2.I0 /2e je joshephsonovská energia väzby

  7. Nanogranulová vrstva rastená neepitaxne naprašovaním NbN v Ar-N2 plyne v AlN amorfnej matrici postupnou depozíciou NbN-AlN-NbN-AlN-NbN, hrúbka 15/4nm. R(T) charakteristika nanogranulovej vrstvy 10 TC=6,1K Závislosť prúdu a napätia okontaktovanej vrstvy pre tri rôzne teploty (6,52-6,5K hranica CB, Ej =0), 6,4K-efekty SET (záporná dynamická charakteristika, Ej 0), UC20mV C = 0,8 x 10-17 F r (AlN)  10 rozmer zrna cca.10nm UC  20 mV Š.Gaži et al: submitted to Supercond. Sci. and Technol.

  8. selektívna elektrónova difrakcia rozhrania vrstva/podložka LSMO tenkej vrstvy Na MgO monokryštalickej podložke potvrdzuje epitaxný rast LSMO Orientovaná (epitaxná)oddelovacia (buferová) MgO vrstva na GaAs

  9. Hg –Ba-Ca-Cu-O štruktúry perspektívne ako fotodetektory -Excited electrons within hundreds of fs thermalise with other electrons-relax through electron phonon scattering process At superconductivity at Tc negative response of sign with slower relaxation rate At temperatures below Tc only negative component with temperature dependent relaxation time scenario follows Rotwarf and Taylor model

  10. Plán výskumného kolektívu: • - príprava suprav. tenkých vrstiev a nanoštruktúr (vrátane SVSS, t.j. Josephsonove javy) mikroobvodovými technológiami (tvarovanie vrstiev) a štúdium ich transportných vlastností v závislosti od planárnych rozmerov (limity súvisiace s rozmermi) • príprava a štúdium nanogranulárnych suprav. tenkých vrstiev (vrátane samoorganizovaných), vplyv josephsonovskej a coulombovskej interakcie medzi granulami na fyzikálne a transportné vlastnosti vrstiev a štruktúr. • príprava a štúdium kombinácie YBCO a LSMO vrstiev a štruktúr s polovodčovými prvkami naGaAs a GaN (bolometre, filtre) • materiály: NbN, Nb, MgB2, YBCO • príprava suprav. tenkých vrstiev: fyz. depozícia • tvarovanie: EBL, IBE, (FIB) • Meranie v elektrických a magnetických poliach a VHF až do mikrovlnných oblastí frekvencií(mK teploty )

More Related