1. 中国科学院半导体研究所 基本情况汇报

2. 1.半导体所概况 2.科研布局及科研成果

3. 所情简介 1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所)，开启了中国半导体科学技术的发展之路。 1960年半导体所建所时的大门 所址设在东皇城根大取灯胡同 1986年迁址于海淀区清华东路甲35号 上图为半导体所新北大门

4. 海淀所区：北京市海淀区清华东路甲35号，所区面积近170亩。海淀所区：北京市海淀区清华东路甲35号，所区面积近170亩。 廊坊分部：廊坊科技谷，面积112亩。 拟建 廊坊分部（科技谷） 海淀所区（基础部）

5. 工作区 生活区

6. 运动馆 2号科研楼 研究生公寓 1号科研楼 图书馆 3号科研楼 科研楼

7. 人员情况 半导体所现有在职职工690余人，包括中国科学院院士8人；中国工程院院士2人；正高级105人；“千人计划”入选者6人；“百人计划”及“杰青”共43人次；博士后在站人数20人。离退休人员630余人。在读研究生550余人。 设有3个博士后流动站，3个一级学科博士培养点，3个工程硕士培养点。 基本上各占 三分之一。

8. 研发机构 半导体超晶格国家重点实验室 集成光电子学国家重点联合实验室 表面物理国家重点实验室 光电子器件国家工程技术研究中心 国家光电子工艺中心 国 家 级 研 发 机 构 中科院半导体材料科学重点实验室 中科院半导体照明研发中心 北京市全固态激光先进制造工程技术研究中心 北京市射频集成电路与系统北京市重点实验室 院 级 光电子研究发展中心 纳米光电子实验室 半导体集成技术工程研究中心 高速电路与神经网络实验室 全固态光源实验室 光电系统实验室 所 级

9. 历史贡献 • 黄昆先生荣获2001年度国家最高科学技术奖 • 1958年，第一台硅单晶炉、区熔炉； • 第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶； • 第一只锗晶体管、硅平面晶体管、半导体固体组件； • 1963年，第一只激光二极管； • 1970年，第一颗人造地球卫星关键配套组件； • 第一代计算机所需的全部晶体管和固体组件; • 2004年，第一只GaN基蓝光激光器 • ……

10. 1.半导体所概况 2.科研布局及科研成果

11. “一三五”规划 定位于半导体科学技术的基础和应用研究。面向国民经济和国家战略需求，为我国半导体功能材料、光电子器件及集成技术做出基础性、战略性和前瞻性贡献。 高亮度发光二极管及制造装备 半导体所 高功率半导体激光科学与技术 固态量子信息与量子调控 半导体高功率和低功耗电子材料 信息光电子功能材料、器件与光子集成芯片 半导体激光投影关键光电子器件与技术 半导体微纳结构材料、器件及其集成电路 面向生命科学的微纳传感器件、装备及相关数字网络

12. 科研成果 专利 论文 2001年获国家最高科技奖近五年来，SCI论 文1615篇；专利申请共一千余件，授权663 件。建所以来获国家奖十余项、省部级奖励 百余项。

13. 近年来获奖情况 • “直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术”获得2007年中国材料学会二等奖 (省部级奖); • “半导体低维结构光学与输运特性”获得2009年国家自然科学二等奖 (国家奖); • “第三代半导体JY电子材料和器件基础研究” 获得2009年GF一等奖(省部级奖); • “超辐射发光二极管模块”获得2009年GF二等奖（省部级奖); • 李树深院士 获得2011何梁何利基金科学与技术进步奖。 • “高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术”获得2012年北京市科学技术一等奖(北京市奖); • “高性能GaN外延材料”获得2012年北京市科学技术二等奖(北京市奖); • “大功率激光二极管及组件”获得2012年北京市科学技术三等奖(北京市奖)。

14. 谢谢！