SlideServe
Menu
Préférences
© SlideServe · v2026

Overview of VLSI Inverter Design and Manufacturing Processes

heinz avatar
31 diapositives · 491 Views · Jul 29, 2014

This document provides a comprehensive overview of the design and manufacturing processes in VLSI technology, particularly focusing on the flowchart and cross-sectional layout of an inverter. Key components such as n-well, polysilicon, n+ and p+ diffusion, and contact methods are discussed. The iterative process of ion implantation and the significance of design rules based on λ are outlined, including a detailed description of DRC (Design Rule Check) procedures to ensure compliance. This guide facilitates understanding the basic ingredients for creating integrated circuits, particularly using the TSMC 0.18 µm process.

Overview of VLSI Inverter Design and Manufacturing Processes - slide 1
01 / 31Overview of VLSI Inverter Design and Manufacturing Processes
1 / 17

Télécharger la présentation

Overview of VLSI Inverter Design and Manufacturing Processes
Une image / un lien ci-dessous est fourni (tel quel) pour télécharger la présentation

Politique de téléchargement : le contenu du site vous est fourni TEL QUEL pour votre information et votre usage personnel ; il ne peut être vendu, concédé sous licence ni partagé sur d’autres sites sans l’accord de son auteur.Le contenu vous est fourni TEL QUEL, pour votre information et votre usage personnel uniquement. Téléchargez la présentation en cliquant sur ce lien. Lors du téléchargement, si vous ne parvenez pas à télécharger une présentation, l’éditeur a peut-être supprimé le fichier de son serveur.Pendant le téléchargement, si vous ne parvenez pas à obtenir une présentation, le fichier a peut-être été supprimé par l’éditeur.

F I N

Plus de contenu associé

Transcription de la présentation
  1. Introduction to Layout Jack Ou, Ph.D. CES 522 V VLSI Design Sonoma State University

  2. Flow Chart

  3. Cross Sectional of an Inverter

  4. S S D D Mask Set

  5. Basic Ingriedents • n-well (N_WELL) • Polysilicon (POLY) • n+ diffusion • p+ diffusion • contact • metal

  6. Manufacturing the n-well • Grow a protective Layer of oxide. • Remove oxide in selected region • Ion Implantation

  7. Poly silicon (doped to make good conductor, Block n+ diffusion) • n-diffusion

  8. p-diffusion, contacts and metal Thick metal oxide provides insulation p+ diffusion is made selectively using silicon dioxide and photo resist

  9. λ • λ is half of the smallest feature size • In 0.18 um, λ is 0.09 um • λ based design rules makes it easy to migrate from one process to process. • Industrial design rules are usually specified in microns, which makes it difficult to migrate to a more advanced process.

  10. Simplified λ based design rules

  11. Example from tsmc 0.18 um process POLY has a width of 2 λ Contacts are 2 λ x 2 λ

  12. Design Rules

  13. Schematic/Layout of an Inverter VDD p+ diffision n+ diffision Ground

  14. Schematic/Layout of a NAND2 VDD p+ diffision n+ diffision Ground

  15. Substrate Contact

  16. P_WELL

  17. P_WELL+P_PLUS_SELECT

  18. P_WELL+P_PLUS_SELECT+Active(43)

  19. P_WELL+P_PLUS_SELECT+Active(43)+Contact to Active

  20. P_WELL+P_PLUS_SELECT+Active(43)+Contact to Active+Metal1

  21. Nwell Contact

  22. NWELL

  23. NWELL+N_Plus_Select+

  24. NWELL+N_Plus_Select+Active Layer

  25. NWELL+N_Plus_Select+ActiveLayer+Contact to Active Layer

  26. NWELL+N_Plus_Select+ActiveLayer+Contact to Active Layer+Metal 1

  27. DRC

  28. DRC Check: to run DRC First: to see the first DRC violation Next: to step through the DRC errors

  29. DRC Results DRC violation

  30. Use the Rule Deck to Repair the Layout

  31. Repaired Layout Enlarged N Plus Select Reduced Result Count