EU peníze školám“ Projekt DIGIT – digitalizace výuky na ISŠTE Sokolov

1. EU peníze školám“ Projekt DIGIT – digitalizace výuky na ISŠTE Sokolov reg.č. CZ.1.07/1.5.00/34.0496

2. Tento výukový materiál je plně v souladu s Autorským zákonem ( jsou zde dodržována všechna autorská práva). Pokud není uvedeno jinak, autorem textů a obrázků je Ing. Josef Bulka.

3. Operační paměti Ing. Bulka Josef

4. Paměť počítače je zařízení, které slouží k ukládání programů (resp. instrukcí) a dat. • Podle fyzikálního principu, kterým se realizuje stav pro zápis informace (log.0 a log.1), můžeme paměti rozdělit na: • RAM (RWM) – statické RAM (SRAM), dynamické RAM (DRAM) • ROM – ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash ROM • Každá paměťová buňka má kapacitu 1 bit. • Paměťové buňky jsou na polovodičovém čipu uspořádány maticově (tvoří jakousi mřížku).

5. Operační paměti ROM (Read Only Memory) – byly určeny především pro čtení zapsané informace přímo od výrobce. Jednalo se o paměti energeticky nezávislé. • Operační paměti RWM (Read/Write Memory) – umožňují libovolné čtení i zápis dat. Jedná se o paměti energeticky závislé. Paměti s přímým přístupem (maticové uspořádání buněk) se označují jako paměti RAM (Random Access Memory).

6. Polovodičové paměti ROM • Jde o paměti energeticky nezávislé, většinou určené pouze pro čtení zapsaného obsahu (programy a data) s přímým přístupem. • Obsahují především firmware, v případě elektronických zařízeních, nebo dříve BIOSu základní desky. • Paměti ROM můžeme podle specifických vlastností rozdělit do dvou hlavních skupin: • ROM, PROM – po naprogramování nelze změnit obsah paměti • EPROM, EEPROM, Flash ROM – obsah paměti lze změnit, přeprogramovat

7. Polovodičové paměti RAM • Paměti typu RAM lze rozdělit podle řešení obvodu, který tvoří paměťovou buňku na: • Statickou paměť RAM (SRAM)– (Static Random Access Memory). Paměťová buňka je tvořena bistabilním klopným obvodem (BKO). Stav klopného obvodu určuje logickou hodnotu L nebo H (0 nebo 1). • Dynamická paměť RAM (DRAM) - DynamicRandom Access Memory. Paměťová buňka je tvořena dvojicí tranzistor MOSFET a kondenzátor (využívá se kapacity PN přechodu).

8. Aby nedocházelo ke ztrátě informace, provádí se periodická obnova dat - tzv. refresh. • Využití operační paměti DRAM - videopaměť grafické karty. • Typy pamětí DRAM: • Synchronous Dynamic RAM (SDRAM) –jedná se o synchronní paměť, která pracuje na stejném kmitočtu jako paměťová sběrnice základní desky (66,100,133 MHz – datové propustnost 533-1 060 MB/s • DDR (Double Data Rate) – paměť přenáší data jak během náběžné, tak sestupné hrany hodinového impulsu. (DDR2 – 6,2 GB/s, DDR3 – 12,8 GB/s, DDR4 – 72 GB/s)

9. RDRAM (Rambus DRAM) - paměti vyvinuté firmou Rambus a Intel, určené pro procesory Pentium 4. Data se přenášela 2x za hodinový cyklus podobně jako paměti DDR. Vysoká cena modulů (RIMM modul), dále nutnost osadit 2 nebo 4 moduly a do nepoužité banky osadit terminátor, způsobila, že se tyto paměti na trhu špatně prodávaly a neprosadily se.

10. Provedení paměťových modulů • Polovodičové paměti typu DRAM se využívají především pro konstrukci operační paměti. Paměťové čipy jsou umístěny na tzv. paměťovém modulu, který se zasunuje do patice (paměťové banky) na základní desce počítače. • Typy modulů: • DIL – klasický integrovaný obvod • SIPP – 30 pinů staré počítače 286,386 • SIMM – 30 nebo 72 pinů • DIMM – novější počítače – SDRAM -168 pinů, DDR DIMM – 184 pinů, DDR2 DIMM – 240 pinů, DDR3 -DIMM – 240 pinů, SO-DIMM (pro netebooky72–204 pinů).

11. Pouzdro DIL – integrovaného obvodu Zdroj http://commons.wikimedia.org/wiki/File:SC-MP_ISP-8A_500D_DIL.jpg Pouzdro SIPP – paměťového modulu Zdroj : http://commons.wikimedia.org/wiki/File:SIPP.jpg

12. Pouzdro SIMM – paměťového modulu Zdroj: http://commons.wikimedia.org/wiki/File:SIMM.jpg Pouzdro DIMM – paměťového modulu Zdroj: http://commons.wikimedia.org/wiki/File:DIMMs.jpg

13. Pouzdro RIMM – paměťového modulu Zdroj: http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Rimm.JPG Pouzdro SO DIMM – paměťového modulu Zdroj: http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Sodimm-rear.jpg

14. Pracovní list

15. Zadání 1 Popište, jaký je rozdíl mezi pamětí ROM, EPROM a EEPROM -čím jsou charakteristické a jak jsou konstrukčně řešeny. Zadání 2 Na Internetu nalezněte paměti typu DDR2, DDR3, DDR4 a zjistěte, pro jaké základní desky a chipsety jsou vhodné a jakou rychlostí můžete číst data.

16. Test a ověření znalostí

17. Paměť typu PROM je typ paměti určený: • pro zápis a čtení dat, data po zápisu nelze mazat • pro zápis a čtení dat, data lze mazat pomocí ultrafialového záření • pro zápis a čtení dat, data lze mazat elektrickým signálem • Paměť typu EPROM je typ paměti určený: • pro zápis a čtení dat, data po zápisu nelze mazat • pro zápis a čtení dat, data lze mazat elektrickým signálem • pro zápis a čtení dat, data lze mazat pomocí ultrafialového záření

18. Paměť typu EEPROM je typ paměti určený: • pro zápis a čtení dat, data lze mazat elektrickým signálem • pro zápis a čtení dat, data lze mazat pomocí ultrafialového záření • pro zápis a čtení dat, data po zápisu nelze mazat • Paměť typu SRAM: • synchronní paměť – tato paměť pracuje na stejném taktovacím kmitočtu paměťové sběrnice na základní desce • paměť přenáší data jak během náběžné, tak sestupné hrany hodinového impulsu • jedná se o společnou paměť RAM pro data

19. Paměť typu DRAM: • synchronní paměť – tato paměť pracuje na stejném taktovacím kmitočtu paměťové sběrnice na základní desce • jedná se o společnou paměť RAM pro data • paměť přenáší data jak během náběžné, tak sestupné hrany hodinového impulsu

20. Seznam odkazů a použité literatury: • Klimeš, Skalka, Lovászová, Švec -Informatika pro maturanty a zájemce o studium na vysokých školách. ISBN978-80-89132-71-3 • Horst Jansen – Heinrich Rotter a kolektiv – Informační a komunikační technika, Europa – Sobotáles, Praha 2004. • Jiří Plášil, PC pro školy, nakladatelství KOPP, České Budějovice, 2003. ISBN 80-7232-206-0