第九章半导体异质结构

第九章半导体异质结构 9.1 半导体异质结及其能带图

9.1 半导体异质结及其能带图 1 半导体异质结两种不同半导体材料接触形成的结反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结如p-Ge和n-GaAs 记为p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型异质结：导电类型相同的两种半导体材料所形成的异质结如n-nGe-Si, p-p Ge-GaAs ,p-pSi-GaP 一般把禁带宽度较小的半导体材料写在前面。

9.1 半导体异质结及其能带图 2. 理想异质结的能带图形成突变pn异质结之前的平衡能带图

9.1 半导体异质结及其能带图 窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图

形成突变pn异质结之后的平衡能带图

由于p区和n区的电子亲和势和禁带宽度不同，使异质结在界面处的能带突变，EC和EV的出现将阻碍载流子通过界面，这种对载流子的限制作用是同质结中所没有的。由于p区和n区的电子亲和势和禁带宽度不同，使异质结在界面处的能带突变，EC和EV的出现将阻碍载流子通过界面，这种对载流子的限制作用是同质结中所没有的。

p-nGe-GaAs异质结的平衡能带图

9.1 半导体异质结及其能带图 热平衡状态下的一个典型的np异质结能带图

9.1 半导体异质结及其能带图 Nn异质结在热平衡状态下的理想能带图

9.1 半导体异质结及其能带图 n-AlGaAs, n-GaAs异质结的导带边缘图

本章小结 一重要术语解释 1．异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。 2．反型异质结：由导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。如：p(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-n(Si)等。 3．同型异质结：由导电类型相同的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。如：n(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-p(Si)等。

本章小结 二知识点学完本章后，读者应具备如下能力： 1．会画理想突变反型异质结的能带图 2．会画理想突变同型异质结的能带图

本章小结 三复习题什么是异质结？

第九章半导体异质结构

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