Bismuth quantum-wire arrays fabricated by a vacuum melting and pressure injection process

1. Bismuth quantum-wire arrays fabricated by a vacuum meltingand pressure injection process Nome:Fabricio Guivares Saggioro Professor: Lucas Autores da pubicação original: Zhibo Zhang; Jackie Y. Ying; Mildred S. Dresselhaus.

2. Formação de Nanofio de Bi. FIG. 1. Diagrama esquemático do processo de fabricação do nanofiomatriz composta: (a) um modelo tão preparado da parte anódica porosa de alumina,(b) a injecção de pressão de metal fundido nos canais de vácuo domolde poroso, e (c) o metal cheia de película compósita, que pode serusado em aplicações práticas.

3. FIG. 2. Imagem TEM da secção transversal da alumina anódicamolde com um diâmetro de canal médio de 56 nm após a moagem ion

4. FIG. 3. (a) micrografia em SEM dos nanofios de Bi expostas após a matriz de alumina ter sido parcialmente dissolvida a partir do lado inferior da película. (b, c) imagens de TEM dos nanofios independentes de BI. São mostrados Nanofios Bi preparados a partir de modelos com diâmetros médios de canal De (a, b​​) 23 nm e (c) 56 nm.

5. FIG. 5. A temperatura ambiente espectros de absorção óptica do Binanowire / alumina anódica películas compósitas, com diâmetros médios de fio de (a) 56 nm, (b) 23 nm, e (c) 13 nm, e o correspondente ao modelos de alumina não preenchidasanódicas(d), (e) e (f).

6. Obrigado