1 / 24

M ěření vlastností pixelových detektorů

M ěření vlastností pixelových detektorů. Detektor ATLAS. Pixel detector. 37 cm. Barrel region. Disk region. 160 cm. P - N přechod. Koncentrace elektronů a děr Náboj vázaný v mřížce Elektrické pole Potenciál. Oxid test structure. Mini chip. Diode with guardring. Single chip.

mika
Télécharger la présentation

M ěření vlastností pixelových detektorů

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Měření vlastností pixelových detektorů

  2. Detektor ATLAS

  3. Pixel detector 37 cm Barrel region Disk region 160 cm

  4. P - N přechod • Koncentraceelektronů a děr • Náboj vázaný v mřížce • Elektrické pole • Potenciál

  5. Oxid test structure Mini chip Diode with guardring Single chip

  6. Pixely Wafer CIS Wafer TESLA

  7. APARATURA

  8. Sesazovací znaky

  9. Kontrola sesazení Nepřesnost sesazení: -1,5 μm

  10. C-V na diodách s guardringem Vdep~ 80V

  11. I-V na diodách s guardringem

  12. 3T - tiles

  13. I-V na oxide test structure

  14. Závislost závěrného proudu Damage parameter a = I/Volume/Fluency a = 4 * 10-17 A/cm

  15. I-V: ozářené Single Chipy

  16. I-t měření • Měření se provádí na tilech. • Vysoké napětí je nastaveno na –Vop. Proud je zaznamenáván každých 10 s nejméně po dobu 54000s (15h). Maximální proud se nastavuje na 20 μA. 15 hodin 10 dní

  17. Telescope bar schéma live

  18. Princip měření na telescope bar Stripové detektory  ~ 3 m extrapolace beam Pixelový detektor –Single chip Místo průletu částice Střed pixelu

  19. ~ 107 protons at 450 GeV/c 2 108 pi+ at 200 GeV/c 7 107 pi- at 200 GeV/c ~ 106 Pb at 400 GeV/Z Profil svazku H8

  20. Charge collection efficiency • Redukovaná účinnost sběru náboje v místech připojení bias grid Bias grid

  21. Rozlišení – klíčový parametr rovnoměrné rozdělení x = 115,4 m y = 14,4 m 2hit ~ 5,7 m  x = 400 m y = 50 m 2hit~ 20 m

  22. Rozlišení 2hit 1 + 2 hit 1hit  = 6,0865 m  = 14,1315 m x = 400 m y = 50 m 2hit~ 20 m

  23. Shrnutí • Skupina ve FzU se účastní jak měření dat v laboratorních podmínkách tak měření na svazku • Vyráběné detektory TESLA a CiS mají projektované parametry • V současné době je Si laboratoř připravena na měření standardní produkce pro ATLAS

More Related