1 / 20

Risultati degli irraggiamenti con neutroni e protoni

Risultati degli irraggiamenti con neutroni e protoni. Annunziata Sanseverino Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale. L’irraggiamento dei dispositivi è stato effettuato utilizzando il reattore Tapiro presso ENEA Casaccia. Dispositivi in Silicio: 72 Mosfet

peyton
Télécharger la présentation

Risultati degli irraggiamenti con neutroni e protoni

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Risultati degli irraggiamenti con neutroni e protoni Annunziata Sanseverino Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale

  2. L’irraggiamento dei dispositivi è stato effettuato utilizzando il reattore Tapiro presso ENEA Casaccia. Dispositivi in Silicio: 72 Mosfet Dispositivi SiC: 12 Mosfet 12 Jfet Irraggiamento con neutroni

  3. Neutroni Fluenza1MeVeq. su Si Il valore della dose è legato alla posizione della scheda all’interno del reattore ed al tempo di permanenza del campione all’interno dello stesso. Tempo di irraggiamento: 4 ore (K) 27 ore (N-K) 31 ore (N) Per ciascuna tipologia di MOSFET sono state condotte prove a 4 diverse dosi irraggiando 3 campioni per ogni dose. 6 schede contenenti ciascuna 9 dispositivi Dosi

  4. MOSFET da 30V: • LR2703 (IR) • LR7843 (IR) • STP80N03L(STMicroelectronics) • STP22N(STMicroelectronics) • MOSFET da 200V: • IRFB31N20 (IR) • IRF630(STMicroelectronics) Mosfet in Si

  5. Caratteristica Id-Vgs • Caratteristica inversa • Caratteristica ON • Leakagedi gate Tensione di soglia (ID=250uA) Tensione di breakdown (ID=10uA) Ron Misurecondotte su dispositivi: Pre irraggiamento Preannealing Post annealing Oltre 1000 forme d’onda Misure effettuate

  6. + Si sono calcolati i parametri di interesse e rappresentati in funzione della dose di radiazione assorbita Elaborazione dei dati

  7. LR2703 IR 30V

  8. LR7843 IR 30V

  9. STP80N03LST30V

  10. STP22NST30V

  11. IRFB31N20 IR 200V

  12. IRF630 ST 200V

  13. MosfetCMF10120DCREE1200V 12 dispositivi Jfet SJEP120R100SEMISOUTH1200V 12 dispositivi • DOSE 1: 3.95 1011 n/cm2 • DOSE 2: 5.17 1011 n/cm2 • DOSE 3: 6.77 1011 n/cm2 • DOSE 4: 2.67 1012 n/cm2 Dispositivi SiC

  14. JFET • Caratteristica ON • Caratteristica Diodo Diretta • Caratteristica Diodo Inversa • Caratteristica Diodo per Vgs=0 MOSFET • Caratteristica ON • Leakage di gate • Caratteristica Id-Vgs Misure effettuate

  15. Pre irraggiamento Post JFET

  16. Pre irraggiamento Post MOSFET

  17. Risultati dell’ irraggiamento con protoni

  18. MOSFET Si 17 campioni IRF630200V (STMicroelctronics) 4 campioni IRFB31N20200V (IR) Condizioni test: Vgs=-2V Vds=180V – 190V – 200V In queste condizioni i dispositivi sono stati esposti al fascio fino al verificarsi della rottura. Dispositivi testati

  19. IRF630 VGS = -2V IRFB31N20 VGS = -2V Risultati

  20. Grazie per l’attenzione

More Related