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李嗣涔教授 辦公室 : 電機二館 440 室 , 校長室 電話 : 33662001 email : sclee@cc.ee.ntu.edu.tw. 研 究 領 域 ( 三大主題 ). 奈米粒子及元件 --- InAs/GaAs 量子點雷射及室溫紅外線 偵測器( 由上而下 長量子點) --- Si 奈米線( nanowire) 場效電晶體 2. 金屬光子晶體熱輻射源之研究 3. 非晶及多晶矽氫材料、薄膜電晶體及 OLED 驅動電路、軟性電子.
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李嗣涔教授 辦公室 : 電機二館440室, 校長室 電話 : 33662001 email : sclee@cc.ee.ntu.edu.tw
研 究 領 域 (三大主題) • 奈米粒子及元件 --- InAs/GaAs量子點雷射及室溫紅外線 偵測器(由上而下長量子點) --- Si 奈米線(nanowire)場效電晶體 2. 金屬光子晶體熱輻射源之研究 3.非晶及多晶矽氫材料、薄膜電晶體及OLED驅動電路、軟性電子
InAs/GaAs量子點(環)紅外線偵測器 • 研究InAs量子點在GaAs基板上的成長機制 • 製作接近室溫操作的量子點(環)紅外線偵測器,偵測波長在3 ~ 25 μm • 可以用於光通信、微量氣體的偵測、與細胞的交互作用、室溫夜視裝備、工業用及醫療用溫度的偵測等
Si 奈米線(nanowire)場效電晶體 • 用奈米金粒當晶種,以LPCVD在450oC通入SiH4氣體成長奈米矽線 • 加上電壓,以電場導引做定向成長 • 製作場效電晶體或電阻 降低記憶元件的面積,IC中電阻的面積
Cr:100nm SiO2:250 (nm) Si (a) PR Si (b) Si Si (e) (c) Si Si V V (f) (d) One-sided Two-sided
d a 金屬光子晶體熱輻射源 • 利用週期性結構的金屬光子晶體加熱,產生光束窄,頻譜單純的紅外線輻射 △λ/ λ=10%
金屬光子晶體熱輻射源 • 紅外線、可見光或白光發光二極體 • 可以用於控制植物的成長速度,找出作用的基因等 • 了解金屬表面電漿子的物理性質
非晶及多晶矽氫材料、薄膜電晶體(TFT)及OLED 驅動電路 • 非晶及多晶矽材料及薄膜電晶體,用於TFT-LCD及OLED顯示器的驅動電路 金屬 以準分子雷射快速退火鍍有週期性金屬結構的非晶矽, 製作出週期性形狀的多晶矽 多晶矽
非晶及多晶矽氫材料、薄膜電晶體(TFT)及OLED 驅動電路 • 低溫多晶矽薄膜電晶體 --- 製出的多晶矽薄膜電晶體(LT Poly-Si TFT), 其mobility = 270 cm 2/V-sec , on/off current ratio = 108.