1 / 12

李嗣涔教授 辦公室 : 電機二館 440 室 , 校長室 電話 : 33662001 email : sclee@cc.ee.ntu.tw

李嗣涔教授 辦公室 : 電機二館 440 室 , 校長室 電話 : 33662001 email : sclee@cc.ee.ntu.edu.tw. 研 究 領 域 ( 三大主題 ). 奈米粒子及元件 --- InAs/GaAs 量子點雷射及室溫紅外線 偵測器( 由上而下 長量子點) --- Si 奈米線( nanowire) 場效電晶體 2. 金屬光子晶體熱輻射源之研究 3. 非晶及多晶矽氫材料、薄膜電晶體及 OLED 驅動電路、軟性電子.

Télécharger la présentation

李嗣涔教授 辦公室 : 電機二館 440 室 , 校長室 電話 : 33662001 email : sclee@cc.ee.ntu.tw

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. 李嗣涔教授 辦公室 : 電機二館440室, 校長室 電話 : 33662001 email : sclee@cc.ee.ntu.edu.tw

  2. 研 究 領 域 (三大主題) • 奈米粒子及元件 --- InAs/GaAs量子點雷射及室溫紅外線 偵測器(由上而下長量子點) --- Si 奈米線(nanowire)場效電晶體 2. 金屬光子晶體熱輻射源之研究 3.非晶及多晶矽氫材料、薄膜電晶體及OLED驅動電路、軟性電子

  3. InAs/GaAs量子點(環)紅外線偵測器 • 研究InAs量子點在GaAs基板上的成長機制 • 製作接近室溫操作的量子點(環)紅外線偵測器,偵測波長在3 ~ 25 μm • 可以用於光通信、微量氣體的偵測、與細胞的交互作用、室溫夜視裝備、工業用及醫療用溫度的偵測等

  4. InAs/GaAs Quantum Ring

  5. InAs/GaAs Quantum Ring Infrared Photodetector

  6. Si 奈米線(nanowire)場效電晶體 • 用奈米金粒當晶種,以LPCVD在450oC通入SiH4氣體成長奈米矽線 • 加上電壓,以電場導引做定向成長 • 製作場效電晶體或電阻 降低記憶元件的面積,IC中電阻的面積

  7. Cr:100nm SiO2:250 (nm) Si (a) PR Si (b) Si Si (e) (c) Si Si V V (f) (d) One-sided Two-sided

  8. d a 金屬光子晶體熱輻射源  • 利用週期性結構的金屬光子晶體加熱,產生光束窄,頻譜單純的紅外線輻射 △λ/ λ=10%

  9. 金屬光子晶體熱輻射源  • 紅外線、可見光或白光發光二極體 • 可以用於控制植物的成長速度,找出作用的基因等 • 了解金屬表面電漿子的物理性質

  10. 非晶及多晶矽氫材料、薄膜電晶體(TFT)及OLED 驅動電路 • 非晶及多晶矽材料及薄膜電晶體,用於TFT-LCD及OLED顯示器的驅動電路 金屬 以準分子雷射快速退火鍍有週期性金屬結構的非晶矽, 製作出週期性形狀的多晶矽 多晶矽

  11. 非晶及多晶矽氫材料、薄膜電晶體(TFT)及OLED 驅動電路 • 低溫多晶矽薄膜電晶體 --- 製出的多晶矽薄膜電晶體(LT Poly-Si TFT), 其mobility = 270 cm 2/V-sec , on/off current ratio = 108.

  12. 謝 謝 大 家

More Related