1. Universidade Federal do Amazonas-UFAM Faculdade de Tecnologia–FT Engenharia de Materiais NANOWIRES Aluno: André Andrade Ferreira

2. Universidade Federal do Amazonas-UFAMFaculdade de Tecnologia–FTEngenharia de Materiais ARTIGO: Crescimento de nanofios dendríticos mediados por catalisador auto-montados

3. NANOFIO dos GRUPOS III-V Alterna-se componentes dos grupos III-V e manipula-se a dinâmica de crescimento do nanofio. • Fases cristalográficas; • Rota de incorporação; • Processo de nucleação.

4. Crescimento Vapor-Líquido-Sólido (VLS) Figura 1. Esquema do processo de crescimento Vapor-Líquido-Sólido.

5. Vantagens • Simples produção; • Controle de diâmetro do nanofio; • variedades de nanofios. Desvantagens • Controle reduzido da fase líquida; • Baixa produtividade.

6. Câmara de crescimento epitaxial por feixe químico (CBE) Figura 2 – Esquema do sistema CBE instalado no IFGW da Unicamp.

7. Introdução de precursor de Mn durante a síntese de nanofio InAs VLS • Dendrítico; • Crescimento de ramos epitaxial; • ramificado; 1+2+3=novas aplicacões.

8. Nanofio InAs em GaAs Figura 3. Visão geral de crescimento VLS de nanofios de InAs orientados por MOVPE.

9. Mudança nas condições de crescimento Figura 4. Imagem MEV.

10. Estrutura Cristalina Figura 5. TEManalysis de nanofios de InAs ramificados.

11. conclusão A capacidade de inicioposição começou crescimento dendrítico utilizando um catalisador depositado pelo precursor de fase vapor permitindo a síntese in-situ de multigerações de heteroestruturas hierárquicas de nanofios. Átomos de Mn servem como barreira ao crescimento epitaxial incentivam a nucleação e crescimento de pontos de InAs sobre as facetas do nanofio criando novos nanofios nas mesmas (ramos nascentes).